基于最近的趨勢，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄生電容。
2014-04-17 11:24:12
1699 ROHM獨有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS，運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時間（trr），非常有助于降低空調(diào)和逆變器等應(yīng)用穩(wěn)定運行時的功耗，因而
2021-01-07 16:27:504016 
空降攻略！一文帶你玩轉(zhuǎn)2023開放原子全球開源峰會
2023-05-30 15:07:451275 
本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進行分析和改善。
2023-08-29 14:14:251322 
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運動有關(guān)。
2023-11-27 14:29:0470772 
IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓，主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 15:23:094752 
下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
2023-12-01 15:26:271669 
繼上一篇超級結(jié)MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 在超級結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯謀
2023-06-07 00:10:004320 
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461628 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
mosfet里的jte結(jié)終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
參考文件：一文了解BLDC與PMSM的區(qū)別? ?????BLDC和PMSM電機區(qū)別???? ? STM32 FOC BLDC與PMSM的區(qū)別PS：總結(jié)語句用紅色標(biāo)出，看紅色字體即可?，F(xiàn)代電機與控制
2021-08-30 08:38:10
起去了解不一樣的肖特基二極管，看完之后相信你就全明白了。 一、肖特基二極管定義：肖特基二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬
2019-04-10 14:50:37
一文帶你了解步進電機的相關(guān)知識：相、線、極性和步進方式2017-09-07 16:45這里不說步進電機的 “細(xì)分” 實驗，只說一下有關(guān)步進電機的基礎(chǔ)概念以及步進電機的三種工作方式——單拍、雙拍、單雙
2021-07-08 06:48:29
的特性、參數(shù)與應(yīng)用，除針對目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢做簡單介紹外，還將簡單比較新一代 Power MOSFET 的性能。
Power MOSFET 的參數(shù)與應(yīng)用
電源設(shè)計工程師在
2025-03-06 15:59:14
需謹(jǐn)慎在比較額定值為600V的器件時，IGBT的傳導(dǎo)損耗一般比相同芯片大小的600 V MOSFET少。這種比較應(yīng)該是在集電極和漏極電流密度可明顯感測，并在指明最差情況下的工作結(jié)溫下進行的。例如
2019-03-06 06:30:00
討論一下普通電容與超級電容的主要區(qū)別。圖源：華秋商城整體而言，相比于普通電容，超級電容具有法拉級的超大電容量、較低的額定電壓和10萬+超長充放電循環(huán)壽命，且超低溫特性更好，溫度范圍更寬。早期超級電容多用
2021-12-01 11:56:04
一篇文章帶你了解什么是原型制作化技術(shù)？
2021-04-26 06:15:20
電機的驅(qū)動，如下圖1所示，要做好驅(qū)動電路，必須得了解清楚MOSFET的一些原理，才不會出錯。圖1 H橋全橋驅(qū)
2021-09-13 08:14:12
，開發(fā)的代碼量）1.已經(jīng)簡單了解什么是嵌入式2.傳統(tǒng)的單片機與嵌入式的區(qū)別3.嵌入式操作系統(tǒng)的分類4.完成了嵌入式開發(fā)環(huán)境的安裝5.在老師的帶領(lǐng)下了解一些命令的使用6.能夠簡單的編一些小小的代碼段，并運行本日開發(fā)中出現(xiàn)的問題匯總1.出現(xiàn)問題時，跟不上老師...
2021-11-04 07:09:14
，Si-MOSFET在這個比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
2018-11-28 14:28:53
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
超級電容器(supercapacitor)，又叫雙電層電容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黃金電容、法拉電容。它與普通電容的最大區(qū)別是它是一種電化學(xué)的物理部件
2021-10-19 14:03:00
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
這個地方做了一個電源平面和直接用一個比較粗的電源線有什么區(qū)別這樣做個電源平面有什么好處
2019-09-24 09:01:40
，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。這個時候，有心急的網(wǎng)友就該問了，超級結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢在哪里？各位客官莫急，看完這篇文章你就懂了！平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了
2017-08-09 17:45:55
明朗，BLDC 驅(qū)控芯片廠商如何在市場起量的契機下在高效率，低能耗，穩(wěn)定性上取得突破將會是贏得市場的關(guān)鍵。而作為一家致力于以信息化技術(shù)改善傳統(tǒng)電子產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)模式的產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺，華秋電子秉承著“為電子
2022-06-10 11:36:13
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運動有關(guān)。因此基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管的研究
2019-10-30 13:22:00
嵌入式開發(fā)與傳統(tǒng)的軟件開發(fā)的區(qū)別是什么？就僅僅是平臺不一樣嗎？
2014-11-25 14:22:22
？①軟件的移植性差。②軟件開發(fā)人員必須懂硬件。③軟件的功能性差，在這里指的是用戶體驗和功能差。4.嵌入式開發(fā)與傳統(tǒng)開發(fā)的區(qū)別是什么呢？是否移植操作系統(tǒng)。5.嵌入式相較于傳統(tǒng)開發(fā)有什么優(yōu)點...
2021-10-27 07:14:51
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時間（trr※1））的同時，提高設(shè)計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高MOS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設(shè)計的影響:對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:27
31 眾所周知，超級結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗，但它也帶來了負(fù)面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動設(shè)計中，一個關(guān)鍵的控制參數(shù)就是外部串聯(lián)柵電阻（Rg）。這會抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443841 
，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計工程師常常為了照顧電磁干擾（EMI）、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分
2017-11-10 15:40:039 本文首先介紹了PLC的FB和FC是什么意思及它們的優(yōu)缺點，其次介紹了PLC中FB和FC塊的區(qū)別，最后用西門子舉例說明了FB和FC塊的區(qū)別。
2018-04-18 18:32:5539531 為驅(qū)動快速開關(guān)超級結(jié)MOSFET，必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對開關(guān)性能的影響，以及為使用超級結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-600V的超級結(jié)MOSFET。在這些電壓額定值中
2019-05-13 15:20:231792 
超級電容器又叫雙電層電容器、黃金電容、法拉電容。它與普通電容的最大區(qū)別是它是一種電化學(xué)的物理部件，但本身并不進行化學(xué)反應(yīng)，超級電容的儲電量特別大，達到法拉級的電容量。
2019-06-13 14:56:2617280 AEC車規(guī)認(rèn)證的超級結(jié)MOSFET、IGBT、門極驅(qū)動器、碳化硅（SiC）器件、電壓檢測、控制產(chǎn)品乃至電源模塊等，支持設(shè)計人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹用于電動汽車直流充電樁的超級結(jié)MOSFET和具成本優(yōu)勢的IGBT方案。
2020-01-01 17:02:009515 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
從手機解鎖、支付消費到工廠的生產(chǎn)應(yīng)用，3D 視覺已經(jīng)深入到生活的方方面面。那到底什么是3D 視覺。它在仙工智能視覺 AI 解決方案中又扮演著什么角色？ 今天零化身科普小達人一文帶你看懂 3D 視覺
2021-09-01 09:52:147364 1-1 嵌入式系統(tǒng)概述1-1-1 基本概念 嵌入式系統(tǒng)是一種計算機硬件和軟件組合（也許還有機械裝置），用于實現(xiàn)一個特定功能。（參考《嵌入式系統(tǒng)詞典》） 嵌入式計算機系統(tǒng)隱含在各類具體的產(chǎn)品
2021-11-05 21:05:583 芯片與模組的區(qū)別與聯(lián)系。模組與開發(fā)板的區(qū)別與聯(lián)系。芯片到模組，模組到開發(fā)板的演變原因與過程。一文帶你了解芯片是什么、模組是什么、開發(fā)板是什么。芯片和模組有什么區(qū)別或差異。
2021-11-26 09:21:1049 一文了解錘式破碎機軸承位維修的過程
2022-01-10 14:46:327 帶你深入了解示波器
2022-02-07 14:26:4819 一篇文章帶你了解物聯(lián)網(wǎng)
2022-03-23 14:16:005081 當(dāng)今最常見的三端半導(dǎo)體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。它是FET的變體。另一方面，BJT是雙極結(jié)型晶體管。
2022-06-20 16:37:3915405 
超級結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 NGTB20N60L2TF1G 應(yīng)用筆記 [與超級結(jié) MOSFET 的比較]
2022-11-15 19:25:270 維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:012717 
－ 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻，多次提到“因為內(nèi)置超級結(jié)MOSFET，......”。接下來請您介紹一下超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:152191 
區(qū)別嗎？QSFP28和QSFP+是否兼容？SFP28模塊是否可以在SFP+插槽中使用？如果你有這些疑問，請往下看，本文將帶你找到答案。
2023-03-15 17:35:2925252 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
功率器件業(yè)務(wù)為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線超級結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級和消費級等應(yīng)用領(lǐng)域。 在超級結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入突破5億元，根據(jù)芯
2023-06-08 07:45:023111 
晶體管BJT和MOSFET都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而，它們具有顯著不同的特征。圖源：華秋商城雙極結(jié)型晶體管(BJT)雙極結(jié)型晶體管，通常稱為BJT，從結(jié)構(gòu)上看，就像兩個背靠背連接的pn結(jié)二極管
2022-05-26 09:18:339670 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實際應(yīng)用需要。超結(jié)
2023-08-18 08:32:562019 
可通過基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應(yīng)用中，需要一個串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來應(yīng)對標(biāo)準(zhǔn)BJT的溫度依賴性。
2023-09-05 12:52:302665 
超級電容器與傳統(tǒng)電容器的區(qū)別 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電容器作為其中最基本的電子元件之一，也逐漸得到了廣泛的應(yīng)用。而在電容器的各種類型中，超級電容器是相對來說比較新的一種電容器。 超級電容器是在傳統(tǒng)
2023-09-08 11:41:396097 上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢，有時候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。
2023-09-27 09:27:493891 
平面工藝與Trench溝槽工藝MOSFET區(qū)別兩種結(jié)構(gòu)圖如下：由于結(jié)構(gòu)原因，性能區(qū)別如下（1）導(dǎo)通電阻Trench工藝MOSFET具有深而窄的溝槽結(jié)構(gòu)，這可以增大
2023-09-27 08:02:488744 
一文詳解pcb和smt的區(qū)別
2023-10-08 09:31:565492 超級電容與傳統(tǒng)電源有什么區(qū)別？雙電層電容是什么工作原理？ 超級電容與傳統(tǒng)電源的區(qū)別 超級電容是一種電力存儲設(shè)備，它與傳統(tǒng)電源之間的主要區(qū)別是它的功率密度和能量密度，以及其在短時間內(nèi)可快速充放電。傳統(tǒng)
2023-10-22 15:13:221617 一文帶你了解真正的PCB高可靠pdf
2022-12-30 09:21:002 mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:305061 一文了解 DAC
2023-12-07 15:10:3613512 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161895 
，這些差異對它們的雪崩耐量和性能產(chǎn)生一定影響。在選擇哪種類型的MOSFET時需要仔細(xì)評估應(yīng)用的需求和要求。在本篇文章中，我們將詳細(xì)探討平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的差異并討論如何選擇適合的類型。 平面型VDMOS與超結(jié)型VDMOS的基本結(jié)構(gòu)有所不同。平面型VDMOS的結(jié)構(gòu)相對簡單
2023-11-24 14:15:432352 超級電容器與傳統(tǒng)電容器的區(qū)別 影響超級電容器性能的因素 在現(xiàn)代電子技術(shù)和能量儲存領(lǐng)域，超級電容器（也稱為超級電容）作為一種重要的儲能裝置備受關(guān)注。相較于傳統(tǒng)電容器，超級電容器具有許多獨特的特征和性能
2024-02-02 10:28:116336 Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。
2024-03-19 13:57:2211603 
盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結(jié)MOSFET(例如意法半導(dǎo)體的MDmesh技術(shù))通過晶圓上又深又窄
2024-04-23 10:49:181117 
根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查，超級結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場份額超過30%，覆蓋了電動車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源、LED驅(qū)動、太陽能逆變器、家電控制等多個領(lǐng)域。預(yù)計到2032年，全球超級結(jié)MOSFET市場的年復(fù)合增長率將超過11.5%。
2024-07-29 14:38:451237 
型半導(dǎo)體材料層來構(gòu)成 PN 結(jié)，從而實現(xiàn)了比傳統(tǒng)平面 MOSFET 更低的導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ) 和柵
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 14:47:482578 
智慧公交是什么？一文帶你詳解智慧公交的解決方案！
2024-11-05 12:26:421605 
在橋式電路中，國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替換超結(jié)（SJ）MOSFET具有顯著優(yōu)勢，但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢和技術(shù)注意事項兩方面進行深度分析： 傾佳電子
2025-02-11 22:27:58833 
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級結(jié)”單元，通過電荷補償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件，其核心設(shè)計通過優(yōu)化電場分布實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
在可靠性檢驗中，不僅展現(xiàn)出樣本間的高度一致性，更實現(xiàn)了零老化問題。 ?瑞能超級結(jié) MOSFET 展現(xiàn)出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫表現(xiàn) 測試環(huán)境 測試平臺: 1200W?服務(wù)器電源 輸入
2025-05-22 13:59:30491 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過創(chuàng)新
2025-06-25 10:26:291701 
嵌入式主板是專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的計算機主板。它與我們常見的臺式機或筆記本電腦主板有著顯著的區(qū)別，核心在于它不是為了通用計算，而是為了執(zhí)行特定任務(wù)而設(shè)計、集成到更大的設(shè)備或系統(tǒng)中。以下是嵌入式主板
2025-06-30 16:12:53550 
在當(dāng)今電子與電力技術(shù)飛速發(fā)展的時代，各類電子設(shè)備、電力系統(tǒng)以及新能源相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和維護過程中，電源測試系統(tǒng)扮演著至關(guān)重要的角色。本文將帶你了解源儀電子的電源測試系統(tǒng)的功能。
2025-07-02 09:10:11712 
什么是毫米波雷達？毫米波雷達有什么特點？毫米波雷達有什么作用？海凌科有哪些系列毫米波雷達？一文帶你了解！毫米波的定義毫米波是指頻率在30GHz至300GHz之間、波長為1～10毫米的電磁波，兼具微波
2025-08-11 12:04:491614 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高壓功率轉(zhuǎn)換場景的N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-29 10:31:10192 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超級結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:28:48199 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超級結(jié)技術(shù)的N溝道功率MOSFET，憑借700V級耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高魯棒性，廣泛適用于功率因數(shù)校正（PFC）、開關(guān)模式電源（SMPS
2025-10-31 17:31:08179 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25205 ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40377 
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