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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>中國28nm和14nm芯片進步神速,未來5nm仍是挑戰(zhàn)

中國28nm和14nm芯片進步神速,未來5nm仍是挑戰(zhàn)

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臺積電2nm良率超 90%!蘋果等巨頭搶單

當行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進展時,臺積電已經(jīng)悄悄把2nm技術推到了關鍵門檻!據(jù)《經(jīng)濟日報》報道,臺積電2nm芯片良品率已突破 90%,實現(xiàn)重大技術飛躍!
2025-06-04 15:20:211051

高功率1064nm半導體激光管介紹(布拉格和DFB版本可選)

01、1064nm激光二極管介紹 1064nm半導體激光管可提供現(xiàn)貨,或與連續(xù)或脈沖半導體激光管驅(qū)動器連用。它們可與低噪聲連續(xù)或高速納秒脈沖驅(qū)動器兼容1064nm波長的高輸出功率半導體激光管模塊包括
2025-06-04 09:41:38997

主流汽車電子SoC芯片對比分析

分析。 一、技術參數(shù)對比 芯片型號 制造商 制程工藝 CPU算力(DMIPS) GPU算力(GFLOPS) NPU算力(TOPS) 存儲帶寬(GB/s) 車規(guī)認證 高通SA8295P 高通 5nm
2025-05-23 15:33:105252

上海光機所在972nm摻Y(jié)b石英光纖激光器實現(xiàn)超40mW穩(wěn)定單頻激光輸出

圖1 光纖激光器輸出功率曲線及光譜 近日,中國科學院上海光學精密機械研究所先進激光與光電功能材料部特種玻璃與光纖研究中心團隊首次報道了一種高性能的972 nm單頻分布式布拉格反射(DBR)摻鐿(Yb
2025-05-22 08:25:56543

季豐電子ESD實驗室新增VFTLP測試能力

隨著半導體工藝節(jié)點不斷向5nm、3nm邁進,芯片內(nèi)部結(jié)構日趨精密,靜電放電(ESD)問題愈發(fā)嚴峻。傳統(tǒng)人體放電模型(HBM)和機器模型(MM)失效占比逐漸降低,而?充電器件模型(CDM)?因其極快
2025-05-21 15:21:571118

雷軍:小米自研芯片采用二代3nm工藝 雷軍分享小米芯片之路感慨

5月19日,雷軍發(fā)文宣布小米戰(zhàn)略新品發(fā)布會定在5月22日晚7點。雷軍發(fā)文稱:小米戰(zhàn)略新品發(fā)布會,定在5月22日晚7點。 這次重磅新品特別多:手機SoC芯片小米玄戒o1,小米15SPro,小米平板7
2025-05-19 16:52:591155

見合八方發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品

天津見合八方光電科技有限公司(以下簡稱“見合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品;包括850nm SLD,850nm RSOA,同時,850nm SOA也在測試驗證階段,即將發(fā)布。
2025-05-17 11:15:33882

跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則

。 然而,隨著摩爾定律逼近物理極限,傳統(tǒng)掩模設計方法面臨巨大挑戰(zhàn),以2nm制程為例,掩膜版上的每個圖形特征尺寸僅為頭發(fā)絲直徑的五萬分之一,任何微小誤差都可能導致芯片失效。對此,新思科技(Synopsys)推出制造解決方案,尤其是
2025-05-16 09:36:475598

28nm制程!國產(chǎn)抗量子密碼芯片迎重磅新品

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)抗量子密碼芯片作為融合量子物理原理與經(jīng)典密碼學的新型安全芯片,其核心使命在于抵御量子計算對傳統(tǒng)加密體系帶來的嚴峻威脅。該芯片的核心技術涵蓋量子隨機數(shù)生成、抗量子算法
2025-05-08 01:06:008785

1060nm 半導體光放大器

ASE中心波長λASE25℃, If=400mA 1070 nm工作波長λ25℃, Pin=0dBm 1060 nm-3dB
2025-04-29 09:01:59

廣明源172nm晶圓光清洗方案概述

在半導體制造中,清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關鍵流程,并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術的發(fā)展,芯片制程已推進至28nm、14nm乃至更先進節(jié)點。
2025-04-24 14:27:32715

從臺積電到中芯國際:盤點2025年全球100+晶圓廠布局與產(chǎn)能現(xiàn)狀

期,從領先的臺積電到快速發(fā)展的中芯國際,晶圓廠建設熱潮持續(xù)。主要制造商紛紛投入巨資擴充產(chǎn)能,從先進的3nm5nm工藝到成熟的28nm、40nm節(jié)點不等,單個項目
2025-04-22 15:38:361574

三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

較為激進的技術路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
2025-04-18 10:52:53

Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功

我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標準封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級 IP 解決方案?的承諾,可滿足新一代汽車電子和高性能計算應用的嚴格要求。
2025-04-16 10:17:15843

【新品發(fā)布】紫光同創(chuàng)最全FPGA開發(fā)板資料發(fā)布!參與互動教材免費送!

第一顆28nm100K邏輯規(guī)模的FPGA芯片發(fā)布差不多已經(jīng)有5年的時間,在這5年時間歷經(jīng)多次迭代,已經(jīng)在包括通訊、工業(yè)、醫(yī)療等市場被大規(guī)模地使用,如果還沒有找到合適的學習資料,或者開發(fā)難度還覺得大,那只
2025-04-14 09:53:471224

方案拆解展示 | 納祥科技365nm UV紫光燈檢測方案

隨著防偽檢測、食品、紡織等領域?qū)ψ贤夤庠葱枨蟮奶嵘?65nm紫光燈方案憑借其高純度UVA波段輸出等特性,成為替代傳統(tǒng)檢測方式操作復雜、運維成本高的理想選擇。本文將分享納祥科技便攜小巧型365nm
2025-04-11 15:34:581739

超窄帶低波數(shù)拉曼濾光片的新升級(from 350nm to 3000nm

超窄帶陷波濾光片(Bragg Notch Filter,簡稱BNF)和帶通濾光片(Bragg Bandpass Filter,簡稱BPF)是目前實現(xiàn)超低波數(shù)拉曼光譜(通常50cm-1以下才稱為超低波數(shù)拉曼)測量常用的方法。設計波長覆蓋350-3000nm波段,超低波數(shù)拉曼信號可低至10cm-1.
2025-04-09 16:54:15726

突破14nm工藝壁壘:天準科技發(fā)布TB2000晶圓缺陷檢測裝備

TB2000已正式通過廠內(nèi)驗證,將于SEMICON 2025展會天準展臺(T0-117)現(xiàn)場正式發(fā)布。 這標志著公司半導體檢測裝備已具備14nm及以下先進制程的規(guī)?;慨a(chǎn)檢測能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點后,天準在高端檢測裝備國產(chǎn)化進程中的又一里程碑。 核心技術自主研發(fā) TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33683

臺積電2nm制程良率已超60%

據(jù)外媒wccftech的報道,臺積電2nm制程取得了突破性進展;蘋果的A20芯片或成首發(fā)客戶;據(jù)Wccftech的最新消息顯示,臺積電公司已啟動2nm測試晶圓快速交付計劃,當前試產(chǎn)良率突破60%大關
2025-03-24 18:25:091240

千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預計?2027?年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當時的說法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個增加到?4?個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827

千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

次公開了 SF1.4(1.4nm 級別)工藝,原預計 2027 年實現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當時的說法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個增加到 4 個,有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002462

手機芯片進入2nm時代,首發(fā)不是蘋果?

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,2nm工藝制程的手機處理器已有多家手機處理器廠商密切規(guī)劃中,無論是臺積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺
2025-03-14 00:14:002486

曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進技術。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(SF4X)進行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207

北京市最值得去的十家半導體芯片公司

A股上市,獲中國移動、紅杉資本等投資,技術應用于大模型訓練與圖形渲染。 4. 昆侖芯(Kunlunxin) *領域 :AI芯片 亮點 :前身為百度智能芯片部門,7nm工藝的昆侖芯2代已量產(chǎn),性能較前
2025-03-05 19:37:43

28nm!印度今年將推出首款 “國產(chǎn)芯片

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,拉美社報道稱,印度鐵道、通信以及電子和信息技術部長阿什維尼?瓦伊什瑙透露,印度今年將擁有首款國產(chǎn)芯片。 ? 據(jù)悉,印度首款芯片采用 28 納米制程工藝,由塔塔電子與力積電
2025-03-05 00:20:001014

2025年中國成熟芯片將占全球產(chǎn)量的28%

的市場格局。 成熟工藝節(jié)點(通常指20nm及以上的工藝)看似工藝遠落后于先進工藝節(jié)點(典型如5nm),但卻是芯片市場的主流,被廣泛應用于消費電子和汽車等諸多日常產(chǎn)品中,而這些看似落后的芯片產(chǎn)品實則為整個芯片行業(yè)的研發(fā)部門提供了寶貴的利潤
2025-02-28 14:29:292814

請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少?

您好!請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級的功率密度?
2025-02-26 06:16:47

要設計CH氣體檢測設備應用的激光源波長為3370nm,請問DMD微鏡的反射波長是多少?

請問:我現(xiàn)在要設計CH氣體檢測設備應用的激光源波長為3370nm,請問貴司的DMD微鏡的反射波長是多少?我們的要求能滿足嗎?
2025-02-24 08:08:31

DLP660TE 370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少?

我想知道該型號關于370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少?
2025-02-21 07:05:14

DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少?

DLP9500UV在355nm納秒激光器應用的損傷閾值是多少,480mW/cm2能否使用,有沒有在355nm下的客戶應用案例? 這個是激光器的參數(shù):355nm,脈寬5ns,單脈沖能量60uJ,照射面積0.37cm^2,
2025-02-20 08:42:33

DLP9500UV在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

YOKOGAWA/橫河AQ6370B 光譜分析儀 波長范圍 600nm至1700nm

范圍:600 至 1700 nm應用光纖:9/125 微米 50/125 微米,62.5/125 微米1523 nm 處的近動態(tài)范圍:37 dB(±0.1 nm
2025-02-19 14:36:55

VirtualLab Fusion應用:基于分布式計算的AR光波導中測試圖像的仿真

使用一個由5個提供41個客戶端的多核PC組成的網(wǎng)絡,模擬時間可以減少到大約4小時(與之前的大約43小時相比)。 模擬任務 入射耦合 周期:380 nm;光柵脊寬度:190 nm;高度:100 nm
2025-02-19 08:51:05

請問DLP9500能否承受3mJ/cm2的脈沖光(532nm, 5ns, 2kHz)?

我嘗試使用脈沖激光照射具有調(diào)制圖案的DMD反射鏡(DLP9500),我想知道DMD是否能夠承受以下參數(shù)的激光: 激光器:532nm 脈沖能量:3mJ 脈沖寬度:5ns 重復頻率:2kHz 照明面積:1cm2
2025-02-18 06:05:30

紫光同創(chuàng)FPGA權威開發(fā)指南,原廠攜手小眼睛科技技術專家聯(lián)合編著

100Pro+開發(fā)板(型號:MES2L676-100HP)采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列PG2L100H-6IFBG676, 擁有100k等效LUT4,DDR3數(shù)據(jù)交互時鐘頻率最高到533MHz,2
2025-02-17 16:33:20

365nm紫外點光源固化燈的特點、優(yōu)勢與應用

在現(xiàn)代制造業(yè)中,紫外光固化技術已成為一種高效、環(huán)保的固化方式,廣泛應用于涂料、油墨、膠水等多個領域。紫外點光源固化燈,尤其是365nm波長的紫外燈,因其獨特的光學性能和應用優(yōu)勢,成為高精度固化過程中
2025-02-13 15:44:392484

臺積電加大亞利桑那州廠投資,籌備量產(chǎn)3nm/2nm芯片

據(jù)最新消息,臺積電正計劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度,旨在推廣“美國制造”理念并擴展其生產(chǎn)計劃。據(jù)悉,此次投資將著重于擴大生產(chǎn)線規(guī)模,為未來的3nm和2nm等先進工藝做準備。
2025-02-12 17:04:04996

見合八方亮相2025年美國西部光電子展

”)攜自主研發(fā)的覆蓋850nm、1060nm、1270nm、1310nm、1490nm、1550nm、1625nm、1653nm波段的SOA(半導體光放大器)及增益芯片驚艷亮相,彰顯了“中國芯”的強勁實力。
2025-02-06 15:17:531058

聯(lián)發(fā)科采用AI驅(qū)動Cadence工具加速2nm芯片設計

近日,全球知名的EDA(電子設計自動化)大廠Cadence宣布了一項重要合作成果:聯(lián)發(fā)科(MediaTek)已選擇采用其人工智能驅(qū)動的Cadence Virtuoso Studio和Spectre X Simulator工具,在英偉達(NVIDIA)的加速計算平臺上進行2nm芯片的開發(fā)工作。
2025-02-05 15:22:381069

三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結(jié)束開發(fā)工作、順利進入量產(chǎn)階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001

慧榮正在開發(fā)4nm PCIe 6.0 SSD主控芯片

慧榮科技正在積極開發(fā)采用4nm先進制程的PCIe 6.0固態(tài)硬盤主控芯片SM8466。根據(jù)慧榮的命名規(guī)律,其PCIe 4.0和5.0企業(yè)級SSD主控分別名為SM8266和SM8366,因此可以推測,SM8466也將是一款面向企業(yè)級市場的高端產(chǎn)品。
2025-01-22 15:48:511148

三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071410

歐洲啟動1nm及光芯片試驗線

高達14億美元,不僅將超越當前正在研發(fā)的2nm工藝技術,更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領域。NanoIC試驗線的啟動,標志著歐洲在半導
2025-01-21 13:50:441023

創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

一站式 NVM 存儲 IP 供應商創(chuàng)飛芯(CFX)今日宣布,其反熔絲一次性可編程(OTP)技術繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實現(xiàn)量產(chǎn)后,2024 年在國內(nèi)多家代工廠關于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647

臺積電美國Fab 21晶圓廠2024年Q4量產(chǎn)4nm芯片

21晶圓廠在生產(chǎn)相同4nm芯片時面臨著一系列挑戰(zhàn)。首先,由于折舊成本較高,使得在該廠生產(chǎn)的芯片成本相應增加。其次,F(xiàn)ab 21晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模相對較小,這也會對其生產(chǎn)效率和經(jīng)濟性產(chǎn)生一定影響。此外,當?shù)夭煌暾纳鷳B(tài)系統(tǒng)以及需要將芯片運回亞洲進行封裝等
2025-01-20 14:49:411129

293nm UVB LED無創(chuàng)光療治療骨質(zhì)疏松癥

紫外LED分UVA、UVB、UVC,用于醫(yī)療消毒、皮膚及骨科疾病治療。UVBLED波長窄,屏蔽不利波長,更優(yōu)治骨質(zhì)疏松。293nm波長LED有效產(chǎn)生維生素D3,光療潛力大,助治慢性病,中國骨質(zhì)疏松癥患者眾多,期待創(chuàng)新方案。
2025-01-18 10:43:42784

臺灣取消臺積電海外生產(chǎn)2nm芯片限制

近日有消息報道,臺積電(TSMC)在美國投資生產(chǎn)下一代2納米(nm)芯片將不再受到任何限制。這一決定標志著臺灣當局在半導體產(chǎn)業(yè)策略上的重要調(diào)整。 此前,為了維護中國臺灣在芯片制造領域的領先地位
2025-01-15 15:21:521017

臺積電4nm芯片量產(chǎn)

率和質(zhì)量可媲美臺灣產(chǎn)區(qū)。 此外;臺積電還將在亞利桑那州二廠生產(chǎn)領先全球的2納米制程技術,預計生產(chǎn)時間是2028年。 臺積電4nm芯片量產(chǎn)標志著臺積電在美國市場的進一步拓展,也預示著全球半導體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 ?
2025-01-13 15:18:141453

創(chuàng)新突破|單模1064nm鎖波DFB激光芯片與器件

單模1064nm鎖波DFB激光芯片與器件成功開發(fā),實現(xiàn)穩(wěn)定批產(chǎn)供貨。該產(chǎn)品基于自主研制的第一代高性能1064nmFP激光芯片,采用片上集成DFB光柵技術,實現(xiàn)了大功率范圍的鎖波功能,產(chǎn)品性能和光譜
2025-01-08 11:02:441990

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