相信各位在開車時(shí)一定遇到過這么一個(gè)場景，有一個(gè)很小的障礙物在車前，當(dāng)障礙物非?？拷囕v時(shí)，你在駕駛位置上是完全看不到的，這就是俗稱的“盲區(qū)”。對于激光雷達(dá)來說，也會出現(xiàn)類似的問題，當(dāng)障礙物離激光雷達(dá)足夠近時(shí)，它也會出現(xiàn)“盲區(qū)”，這一現(xiàn)象被稱為“吸點(diǎn)”。
2025-12-31 16:28:17
3168 燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01116 在導(dǎo)電金屬材料體系中，銅（Cu）以卓越導(dǎo)電性及遠(yuǎn)低于金、銀的成本優(yōu)勢，成為電子漿料、催化等領(lǐng)域貴金屬替代潛力材料。但納米銅表面活性高，易氧化形成絕緣層，嚴(yán)重限制實(shí)際應(yīng)用。因此，行業(yè)多通過合金化改性
2025-12-25 18:05:0367 
升高導(dǎo)電率增加，在使用過程中，極易出現(xiàn)漏電現(xiàn)象；更嚴(yán)重的狀況是銀層完全被腐蝕，銅層暴露。由于金線二焊點(diǎn)附著在銀層表面，當(dāng)支架功能區(qū)銀層被完全硫化腐蝕后，金球出現(xiàn)脫落
2025-12-16 10:48:37139 
LED封裝中的硫化難題在LED封裝制造過程中，硫化現(xiàn)象是一個(gè)長期存在且危害顯著的技術(shù)難題。它主要發(fā)生在固晶和點(diǎn)膠封裝工序中，直接影響含銀材料和硅性膠材料的性能穩(wěn)定性。深入理解硫化發(fā)生的機(jī)理、識別潛在
2025-12-10 14:48:11367 
之間，將功率模塊產(chǎn)生的熱量有效地傳遞到散熱部件，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)散熱。 與傳統(tǒng)的散熱方案相比，導(dǎo)熱硅膠片具有多重優(yōu)勢： 卓越的熱傳導(dǎo)性能：導(dǎo)熱硅膠片可以緊密貼合在芯片表面與散熱基板之間，能減少接觸熱阻，以提高
2025-11-27 15:04:46
導(dǎo)電銀膠是由銀粉填充入基體樹脂形成的具有導(dǎo)熱、導(dǎo)電及粘結(jié)性能的復(fù)合材料?；w樹脂固化后作為導(dǎo)電膠的分子骨架，決定了導(dǎo)電銀膠的力學(xué)性能和粘接性能。銀粉在基體樹脂中形成連結(jié)網(wǎng)絡(luò)從而導(dǎo)電、導(dǎo)熱，但同時(shí)也
2025-11-26 17:08:31553 
摘要：SMT導(dǎo)電泡棉是一種通過回流焊技術(shù)實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽的關(guān)鍵材料，由硅膠芯材與導(dǎo)電金屬薄膜復(fù)合而成，廣泛應(yīng)用于5G設(shè)備等電子產(chǎn)品。其優(yōu)勢包括低電阻（≤0.05Ω/sq）、高屏蔽效能（>
2025-11-17 08:44:56468 垂直導(dǎo)線扇出（VFO）的封裝工藝，實(shí)現(xiàn)最多16層DRAM與NAND芯片的垂直堆疊，這種高密度的堆疊方式將大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，為移動(dòng)設(shè)備的AI運(yùn)算提供強(qiáng)有力的存儲支撐。 ? 根據(jù)早前報(bào)道，移動(dòng)HBM通過堆疊和連接LPDDR DRAM來增加內(nèi)存帶寬，也同樣采用了
2025-11-14 09:11:212447 
在電子設(shè)備向微型化、高集成度狂奔的當(dāng)下，PCB 線路間距已縮小至 20-50μm，銀導(dǎo)電漿憑借優(yōu)異導(dǎo)電性成為首選。但隨之而來的 “銀遷移” 難題，卻成為設(shè)備故障的隱形導(dǎo)火索 —— 在濕度與電壓作用下
2025-11-12 16:07:55377 
保護(hù)電路，大大提高了產(chǎn)品的適應(yīng)。單顆芯片可作為8S應(yīng)用，通過EN 級聯(lián)2顆可作為16S應(yīng)用。采用SOP16封裝提高了產(chǎn)品的兼容性。 其主要特點(diǎn)如下： 內(nèi)置三八譯碼器 消除拖影現(xiàn)象 單顆8路輸出即可
2025-11-07 09:45:45
目前，市面上常用的NTC熱敏芯片為銀電極NTC熱敏芯片，其銀電極層所使用到的導(dǎo)電銀漿，因其性價(jià)比高成為最早被使用的導(dǎo)電漿料之一。導(dǎo)電銀漿其作為一種功能性導(dǎo)電材料被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，與導(dǎo)電碳漿、導(dǎo)電銅漿相比，因其具有更良好的導(dǎo)電性能而備受關(guān)注及青睞。
2025-11-05 11:09:09297 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162054 
銀膠與銀漿是差異顯著的材料：銀膠是“銀粉+樹脂”的粘結(jié)型材料，靠低溫固化實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電與固定，適合LED封裝、柔性電子等熱敏低功率場景，設(shè)備簡單（點(diǎn)膠機(jī)+烘箱），成本中等；導(dǎo)電銀漿是“銀粉+樹脂+溶劑
2025-10-17 16:35:141582 
今日，國內(nèi)高端電子材料領(lǐng)域迎來里程碑時(shí)刻。鉅合（上海）新材料科技有限公司（以下簡稱“鉅合新材”）宣布，其歷經(jīng)十年潛心研發(fā)的SECrosslink系列芯片燒結(jié)銀膏，已通過全球多家半導(dǎo)體企業(yè)的嚴(yán)格測試與評估，憑借卓越的產(chǎn)品性能與穩(wěn)定的可靠性，正式確立其在半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)品牌地位。
2025-10-14 17:28:16591 硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)是一種通過在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。
2025-10-13 10:41:463146 
和精準(zhǔn)控光等特點(diǎn)備受關(guān)注。然而，Mini LED芯片尺寸微小、集成度高，導(dǎo)致散熱問題成為制約其發(fā)展的關(guān)鍵因素。 鉅合（上海）新材料科技有限公司近日宣布，其專為Mini LED及大功率LED芯片封裝開發(fā)的SECrosslink 6264R7導(dǎo)電銀膠已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。這款以高純銀粉為導(dǎo)
2025-10-09 18:16:24690 ，嚴(yán)重影響終端產(chǎn)品的續(xù)航表現(xiàn)與用戶滿意度。根本原因技術(shù)分析漏電流的本質(zhì)是電容介質(zhì)在電場作用下產(chǎn)生的微小導(dǎo)電行為。其大小受電解質(zhì)成分、電極界面狀態(tài)、封裝工藝等多因素影響。
2025-10-09 10:49:53352 
核心原因：界面能的競爭
燒結(jié)銀膏是一個(gè)復(fù)雜的混合物，主要包含：
銀顆粒： 微米/納米級，提供導(dǎo)電、導(dǎo)熱和最終燒結(jié)成型的骨架。
有機(jī)載體： 由溶劑、樹脂（粘結(jié)劑）、分散劑等組成，為銀漿提供適宜的印刷
2025-10-05 13:29:24
氮化鎵（GaN）芯片，特別是在高功率、高頻應(yīng)用場景下，對封裝互連材料的可靠性和散熱性能要求極高。無壓燒結(jié)銀膏作為一種理想的鍵合材料，其燒結(jié)前的“脫泡”處理是確保燒結(jié)后形成致密、無孔洞、高導(dǎo)熱導(dǎo)電銀層
2025-10-04 21:11:19
在電子電路應(yīng)用中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體三極管作為常見的基礎(chǔ)器件，被廣泛用于放大與開關(guān)控制。然而，工程師在測試與使用中，經(jīng)常會遇到一個(gè)典型現(xiàn)象：三極管的漏電流（主要指反向漏電流I_CBO、I_CEO）偏大
2025-09-26 11:02:16647 
在芯片封裝生產(chǎn)的精細(xì)流程中，有一個(gè)看似簡單卻至關(guān)重要的環(huán)節(jié)——銀膠烘焙。這道工序雖不像光刻或蝕刻那樣備受關(guān)注，卻直接決定著芯片的穩(wěn)定性和壽命。銀膠烘焙定義銀膠烘焙，專業(yè)術(shù)語稱為EpoxyCuring
2025-09-25 22:11:42494 
解決方案，在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。底部填充膠主要用于BGA（球柵陣列）、CSP（芯片級封裝）和FlipChip（倒裝芯片）等先進(jìn)封裝工藝中，通過填充芯片與
2025-09-05 10:48:212130 
錫膏與燒結(jié)銀的競爭本質(zhì)是成本——性能曲線的博弈。錫膏憑借成熟工藝與成本優(yōu)勢，繼續(xù)主導(dǎo)普通芯片的焊接市場，但需通過材料創(chuàng)新突破高溫性能瓶頸。燒結(jié)銀以絕對性能優(yōu)勢占據(jù)高功率場景，但需通過國產(chǎn)化與工藝革新降低應(yīng)用門檻。
2025-09-02 09:40:242631 
錫膏和燒結(jié)銀在新能源汽車?yán)?，不是替代關(guān)系，而是互補(bǔ)關(guān)系。錫膏靠低成本、高量產(chǎn)、夠用的性能，撐起了汽車?yán)锎蟛糠制胀?b class="flag-6" style="color: red">芯片的焊接需求。燒結(jié)銀靠耐高溫、高導(dǎo)熱、高可靠，守住了高功率芯片的 安全底線。
2025-08-29 10:44:472276 
局部放電是電力設(shè)備中不可避免會出現(xiàn)的一種現(xiàn)象，其出現(xiàn)會伴隨著一定的物理現(xiàn)象、電氣現(xiàn)象，局部放電監(jiān)測正是通過對這些現(xiàn)象的監(jiān)測來進(jìn)行及時(shí)發(fā)現(xiàn)、識別。針對這些現(xiàn)象進(jìn)行準(zhǔn)確、及時(shí)監(jiān)測，可實(shí)現(xiàn)對開關(guān)柜局部放電
2025-08-27 09:24:05498 
凸點(diǎn)（Bump）是倒裝芯片的“神經(jīng)末梢”，其從金凸點(diǎn)到Cu-Cu鍵合的演變，推動(dòng)了芯片從平面互連向3D集成的跨越。未來，隨著間距縮小至亞微米級、材料與工藝的深度創(chuàng)新，凸點(diǎn)將成為支撐異構(gòu)集成、高帶寬芯片的核心技術(shù)，在AI、5G、汽車電子等領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。
2025-08-12 09:17:553751 
。在同一個(gè)系統(tǒng)級封裝（SiP）結(jié)構(gòu)里，可以同時(shí)存在多種內(nèi)部互連方式。例如，引線鍵合與倒裝芯片相結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)堆疊型封裝，其中包括基于中介層的內(nèi)部互連和芯片間直接互連這兩種堆疊型封裝形式。
2025-08-05 15:09:042135 
。這場技術(shù)矛盾推動(dòng)JEDEC、EIAJ等標(biāo)準(zhǔn)組織重構(gòu)封裝規(guī)范，催生出倒裝芯片、BGA、WLP等創(chuàng)新封裝范式。
2025-07-26 09:21:311667 
LED芯片作為半導(dǎo)體照明核心部件，其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)直接影響性能與應(yīng)用。目前主流的正裝、倒裝和垂直三類芯片各有技術(shù)特點(diǎn)，以下展開解析。正裝LED芯片：傳統(tǒng)主流之選正裝LED是最早出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)，從上至下依次為
2025-07-25 09:53:171218 
三防漆噴涂過程中出現(xiàn)的飛濺現(xiàn)象，使漆料顆粒脫離目標(biāo)區(qū)域、散落或反彈，會導(dǎo)致涂層不均、材料浪費(fèi)及污染，其成因主要與設(shè)備參數(shù)、材料特性、操作工藝及環(huán)境條件相關(guān)：1.噴槍壓力設(shè)置不當(dāng)。噴槍壓力過高時(shí)，漆料
2025-07-24 16:31:58535 
在三防漆噴涂過程中，有時(shí)會出現(xiàn)“虹吸現(xiàn)象”——漆料被吸入元器件引腳間隙、芯片底部等狹小空間，導(dǎo)致這些區(qū)域堆積過厚，而周圍板面卻涂覆不足。這種現(xiàn)象看似是“漆料自動(dòng)流動(dòng)”，實(shí)則與材料特性、工藝參數(shù)
2025-07-18 17:13:52810 
芯片焊盤移至中部，把整個(gè)引線框架粘貼在芯片上方，焊線后進(jìn)行塑封；之后將整個(gè)封裝翻轉(zhuǎn)，使芯片電路面朝下，此時(shí)芯片下方引線框架的外引腳與外部線路板的焊接面，與芯片電路面處于同一平面。
2025-07-17 11:41:263722 
本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開裂、界面開裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
2025-07-09 09:31:361505 實(shí)現(xiàn)漏電監(jiān)測的一種方法就是利用零序互感器監(jiān)測電路中電流的矢量平衡狀態(tài)。理想狀態(tài)下的電路中進(jìn)線與出線的電流大小相等，方向相反，二者的矢量和為零，當(dāng)電路發(fā)生漏電時(shí)部分電流會通過漏電路徑流向大地或其他非
2025-07-05 13:07:02916 
晶圓級封裝含扇入型、扇出型、倒裝芯片、TSV 等工藝。錫膏在植球、凸點(diǎn)制作、芯片互連等環(huán)節(jié)關(guān)鍵：扇入 / 扇出型植球用錫膏固定錫球；倒裝芯片用其制作凸點(diǎn)；TSV 堆疊靠其實(shí)現(xiàn)垂直連接。應(yīng)用依賴鋼網(wǎng)
2025-07-02 11:53:58946 
芯片封裝的定義與重要性芯片是現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心組件，其功能的實(shí)現(xiàn)離不開與外部電路的連接。芯片封裝作為芯片制造的最后環(huán)節(jié)，起著至關(guān)重要的作用。芯片主要以硅為載體，具有高精度的集成功能，但由于硅材料易脆
2025-06-26 11:55:18786 
多層陶瓷貼片電容。這類電容通常具有更好的介質(zhì)性能和封裝質(zhì)量，能夠降低漏電流的發(fā)生概率。 引入漏電流范圍：在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可以引入漏電流范圍，允許一定程度的漏電流存在，并根據(jù)具體情況在電路設(shè)計(jì)中加入獨(dú)立的負(fù)載，使漏電流得到
2025-06-19 15:07:54568 
各向異性導(dǎo)電膠（Anisotropic Conductive Adhesive, ACA）是一種特殊的導(dǎo)電膠，其導(dǎo)電性能具有方向性，即熱壓固化后在一個(gè)方向上（通常是垂直方向）具有良好的導(dǎo)電性，而在另一個(gè)方向（如水平方向）則表現(xiàn)為絕緣性。這種特性使得ACA在電子封裝、連接等領(lǐng)域具有獨(dú)特的應(yīng)用價(jià)值。
2025-06-11 13:26:03711 
?CMOS?漏電保護(hù)器專用電路。芯片內(nèi)部包含穩(wěn)壓電源、放大電路、比較器電路、延時(shí)電路、計(jì)數(shù)器電路、跳閘控制電路及跳閘驅(qū)動(dòng)電路。芯片外圍應(yīng)用由脫扣線圈、壓敏電阻、穩(wěn)壓二級管、二級管、電阻、電容等元器件組成。 ? 三、基本特性 1、直接驅(qū)動(dòng)?SCR，當(dāng)有漏電信
2025-06-10 14:12:011204 
失效現(xiàn)象剖析這是因?yàn)椋?b class="flag-6" style="color: red">硅膠具有吸水透氣的物理特性，易使導(dǎo)電銀膠受潮，水分子侵入后在含銀導(dǎo)體表面電解形成氫離子和氫氧根離子，銀膠中的銀在直流電場及氫氧根離子的作用下被離子化后產(chǎn)生正價(jià)銀離子。同時(shí)，又
2025-06-09 22:48:35872 
夜幕降臨，華燈初上，城市的路燈如同守護(hù)者般照亮人們回家的路。然而，在這看似平常的公共設(shè)施背后，卻潛藏著一個(gè)鮮為人知的危險(xiǎn)——路燈漏電問題。近年來，因路燈漏電導(dǎo)致的安全事故時(shí)有發(fā)生，這一現(xiàn)象已成為現(xiàn)代
2025-05-30 15:48:44424 ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯(lián)/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進(jìn)行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進(jìn)行連接，構(gòu)成完整的電路。引腳用于為芯片
2025-05-29 16:19:11675 
芯片是LED最關(guān)鍵的原物料，其質(zhì)量的好壞，直接決定了LED的性能。特別是用于汽車或固態(tài)照明設(shè)備的高端LED，絕對不容許出現(xiàn)缺陷，也就是說此類設(shè)備的可靠性必須非常高。然而，LED封裝廠由于缺乏芯片來料
2025-05-27 15:49:21612 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 所謂低溫?zé)Y(jié)銀膠是一種以銀粉為主要成分、通過低溫?zé)Y(jié)工藝實(shí)現(xiàn)芯片與基板高強(qiáng)度連接的高性能封裝材料。其核心成分為納米級與微米級銀粉復(fù)配體系，結(jié)合燒結(jié)助劑和銀前體，在150-200
2025-05-26 07:38:002051 導(dǎo)電銀膠是由銀粉填充入基體樹脂形成的具有導(dǎo)熱、導(dǎo)電及粘結(jié)性能的復(fù)合材料?；w樹脂固化后作為導(dǎo)電膠的分子骨架，決定了導(dǎo)電銀膠的力學(xué)性能和粘接性能。銀粉在基體樹脂中形成連結(jié)網(wǎng)絡(luò)從而導(dǎo)電、導(dǎo)熱，但同時(shí)也
2025-05-23 14:21:07868 
”
除了優(yōu)異的導(dǎo)電性能，低溫納米燒結(jié)銀漿對各種基材的優(yōu)良粘附性也是提升指紋模組靈敏度的重要因素。在指紋模組中，銀漿需要與傳感器芯片、基板等多個(gè)部件緊密連接，確保整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
低溫納米燒結(jié)銀
2025-05-22 10:26:27
多芯片封裝在現(xiàn)代半導(dǎo)體領(lǐng)域至關(guān)重要，主要分為平面多芯片封裝和多芯片堆疊封裝。多芯片堆疊封裝又細(xì)分為多芯片3D堆疊引線鍵合封裝、3D堆疊引線鍵合和倒裝異質(zhì)封裝、3DTSV堆疊倒裝封裝等。
2025-05-14 10:39:541846 
業(yè)界普遍認(rèn)為，倒裝封裝是傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的分界點(diǎn)。
2025-05-13 10:01:591667 
在電機(jī)試驗(yàn)的實(shí)際測量中，WP4000變頻功率分析儀遇到過 基波有功功率 大于 總有功功率 這種看上去違背常理的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象的出現(xiàn)會引起我們對測量儀器準(zhǔn)確性的質(zhì)疑，為什么會出現(xiàn)這種現(xiàn)象，真的
2025-05-13 09:57:45586 
本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過程以及詳細(xì)工藝等。
2025-04-22 09:38:372469 
在 LED 倒裝芯片封裝中，無鉛錫膏焊接空洞由材料特性（如 SAC 合金潤濕性差、助焊劑殘留氣體）、工藝參數(shù)（回流焊溫度曲線不當(dāng)、印刷精度不足）及表面狀態(tài)（氧化、污染）共同導(dǎo)致?？斩磿l(fā)電學(xué)性能
2025-04-15 17:57:181756 
我在tb上買了一顆芯片，用萬用表短路檢測發(fā)現(xiàn)5號引腳和3號引腳、5號引腳和21號引腳都是短路的。我焊接到板子后上電，電源啟動(dòng)了短路保護(hù)，電壓上不去，我斷電后重新檢測，發(fā)現(xiàn)GND和AVSS之間也短路了。我想問一下老哥們，這款芯片的內(nèi)部引腳短路是正常現(xiàn)象么？
致謝
2025-04-15 06:37:45
我想設(shè)計(jì)一個(gè)大功率-LED-COB倒裝雙色1串22并X2線路圖，共一個(gè)正極，兩個(gè)負(fù)極分別接W-/C-
2025-04-13 21:23:14
芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)前，芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶
2025-04-11 14:02:252627 
在當(dāng)今快速發(fā)展的半導(dǎo)體封裝和微電子制造領(lǐng)域，芯片膠粘劑的可靠性至關(guān)重要。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，對芯片封裝的質(zhì)量和性能要求越來越高。為了確保芯片在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性，芯片膠粘劑推力測試
2025-04-01 10:37:181252 
開關(guān)電源會出現(xiàn)漏電的情況，這種情況該怎么避免漏電?
2025-03-31 06:17:05
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術(shù)就是將裸芯片與外部材料連接起來的方法。鍵合可以通俗的理解為接合，對應(yīng)的英語表達(dá)是Bonding，音譯
2025-03-22 09:45:315448 
近日，軟銀集團(tuán)公司（TSE：9984，“軟銀集團(tuán)”）宣布，將以 65 億美元的全現(xiàn)金交易方式收購領(lǐng)先的獨(dú)立芯片設(shè)計(jì)公司 Ampere Computing。根據(jù)協(xié)議條款，Ampere 將作為軟銀集團(tuán)
2025-03-20 17:55:171091 新一代封裝技術(shù)中出現(xiàn)了嵌入多個(gè)芯片的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳感器設(shè)計(jì)等技術(shù)的出現(xiàn)，都體現(xiàn)了這一演變趨勢。這種技術(shù)進(jìn)步雖然推動(dòng)了設(shè)備性能的提升，但也使故障分析工作變得更加具有挑戰(zhàn)性。
2025-03-18 16:11:041530 
變頻器控制電機(jī)時(shí)，有時(shí)會出現(xiàn)漏電問題，漏電電壓可能在幾十伏到二百伏之間。以下是對變頻器漏電問題的詳細(xì)分析： 一、漏電原因 1. 電磁感應(yīng)原理： ? ?● 電動(dòng)機(jī)的三相定子繞組流過電流后產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場
2025-03-16 07:37:162723 
隨著電子產(chǎn)品的不斷小型化、高性能化，芯片封裝技術(shù)也在不斷進(jìn)步。倒裝芯片封裝技術(shù)作為一種先進(jìn)的封裝方式，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更高的封裝密度、更短的信號傳輸路徑以及更好的散熱性能，在高端電子產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用
2025-03-14 12:54:361421 
半導(dǎo)體技術(shù)的日新月異，正引領(lǐng)著集成電路封裝工藝的不斷革新與進(jìn)步。其中，倒裝芯片（Flip Chip）封裝技術(shù)作為一種前沿的封裝工藝，正逐漸占據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)的核心地位。本文旨在全面剖析倒裝芯片封裝技術(shù)的內(nèi)在機(jī)制、特性、優(yōu)勢、面臨的挑戰(zhàn)及其未來走向。
2025-03-14 10:50:221633 我首先打開了串口一的DMA接受數(shù)據(jù)，是可以的，接下來配置LWIP網(wǎng)絡(luò)，出現(xiàn)了串口接收信息為空的現(xiàn)象，然后我逐步排查，發(fā)現(xiàn)了在打開DCache后串口會接收不到數(shù)據(jù)。芯片是STM32H743XIH6，工具是STM32CubeIDE 1.16.0
2025-03-10 08:25:24
隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢，封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過程中，銀燒結(jié)
2025-03-05 10:53:392553 
由于現(xiàn)時(shí)高密度封裝，如系統(tǒng)封裝、倒裝晶片、封裝疊加等應(yīng)用越來越多，而這些封裝元件尺寸甚小。以倒裝晶片為例，其焊球直徑僅有0.05毫米, 焊球間距只有0.1毫米，對貼裝設(shè)備的精度要求比標(biāo)準(zhǔn)元件更高。
2025-03-04 16:33:38865 
在當(dāng)今電子制造行業(yè)，Mini-LED技術(shù)以其卓越的效能、出色的亮度表現(xiàn)和顯著的低功耗特性，正迅速成為顯示技術(shù)領(lǐng)域的熱門選擇。然而，Mini-LED的倒裝工藝對芯片與基板之間的連接質(zhì)量提出了極為嚴(yán)格
2025-03-04 10:38:18710 
，也有都好的。
1.2對其中一塊溫度非常敏感的主板做極限測試，（這個(gè)主板工作15s以內(nèi)就會右光機(jī)花屏，后面基本上都是用這個(gè)主板做實(shí)驗(yàn) 簡稱異常主板A），用烙鐵包上導(dǎo)熱硅膠，對DLPC加熱，剛放上去就出現(xiàn)
2025-03-03 08:06:22
燒結(jié)銀的導(dǎo)電性能比其他導(dǎo)電膠優(yōu)勢有哪些？？？
2025-02-27 21:41:15623
請問DMD芯片在on狀態(tài)時(shí)，光以何種角度入射DMD芯片，出射光可以垂直于芯片？
2025-02-27 07:20:35
DMD芯片是由精微反射鏡面組成的，這些鏡面肯定會有開合的，不知道這些鏡面的上層是否有玻璃等透明材質(zhì)做隔離，要是有的話，感覺理論上是可以用透明硅膠對DMD芯片做整體膠封的？
2025-02-26 06:03:39
導(dǎo)電陽極絲（ConductiveAnodicFilament，CAF）它主要發(fā)生在印刷電路板（PCB）中，是電化學(xué)遷移現(xiàn)象中的一個(gè)重要類別，由于玻纖與樹脂之間存在縫隙，在濕熱環(huán)境和電勢差的作用下，銅
2025-02-24 22:54:522873 
）3-5年（易干涸失效）
?安裝難度即貼即用需精準(zhǔn)涂抹?二、典型應(yīng)用場景 導(dǎo)熱硅膠片優(yōu)先選擇：1、?需要機(jī)械緩沖?（如：電池組與外殼間的散熱+減震）2、?多組件同時(shí)散熱?（如：LED燈組、電路板芯片群
2025-02-24 14:38:13
150℃無壓燒結(jié)銀最簡單三個(gè)步驟
作為燒結(jié)銀的全球領(lǐng)航者，SHAREX善仁新材持續(xù)創(chuàng)新，不斷超越自我，最近開發(fā)出150℃無壓燒結(jié)銀AS9378TB，以其獨(dú)特的低溫處理優(yōu)勢，成為了眾多研究與應(yīng)用中
2025-02-23 16:31:42
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，集成電路的封裝工藝也在不斷創(chuàng)新與進(jìn)步。其中，倒裝芯片（FlipChip，簡稱FC）封裝工藝作為一種先進(jìn)的集成電路封裝技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)的主流選擇。本文將詳細(xì)介紹倒裝
2025-02-22 11:01:571339 
這個(gè)漏電流檢測的線路板上的芯片WA05GC是哪家公司的??？
2025-02-12 12:10:55
導(dǎo)電滑環(huán)是一種關(guān)鍵的電力傳輸設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)中。本文將深入分析導(dǎo)電滑環(huán)的原理、結(jié)構(gòu)和應(yīng)用，介紹其在電力傳輸中的重要性和優(yōu)勢。
2025-02-10 16:10:191641 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時(shí)
2025-02-07 15:40:21919 
近日，據(jù)報(bào)道，軟銀集團(tuán)目前正就收購芯片設(shè)計(jì)公司Ampere Computing LLC進(jìn)行深入磋商。這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。 據(jù)悉，軟銀集團(tuán)正在與Ampere進(jìn)行積極談判，旨在達(dá)成一項(xiàng)收購協(xié)議
2025-02-06 14:19:22739 釋放至地線。但在一些應(yīng)用場合中，ESD二極管可能會出現(xiàn)“不導(dǎo)電”的現(xiàn)象，導(dǎo)致保護(hù)失效。本文將分析ESD二極管不導(dǎo)電的原因，并提出解決方案。1.反向擊穿電壓過高ESD
2025-02-06 11:58:541254 
導(dǎo)電線路修補(bǔ)福音：低溫?zé)Y(jié)銀漿AS9120P，低溫快速固化低阻值
在當(dāng)今高科技迅猛發(fā)展的時(shí)代，顯示屏作為信息傳遞的重要窗口，其性能與穩(wěn)定性直接關(guān)系到用戶體驗(yàn)及產(chǎn)品的市場競爭力。隨著顯示技術(shù)
2025-01-22 15:24:35
在現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展下，集成電路（IC）作為電子系統(tǒng)的核心部件，其制造工藝的復(fù)雜性和精密性不斷提升。倒裝焊作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，因其高密度、高性能和高可靠性而被廣泛應(yīng)用于高端芯片制造中。然而
2025-01-15 14:04:02787 
漏電起痕的定義與重要性當(dāng)固體絕緣材料在電場和電解液的聯(lián)合作用下，其表面可能會逐漸形成導(dǎo)電路徑，這種現(xiàn)象被稱為電痕化。材料對電痕化現(xiàn)象的抵抗能力，即其耐電痕化性能，是衡量絕緣材料絕緣性能優(yōu)劣的一個(gè)重要
2025-01-13 11:20:571013 
在現(xiàn)在水電工程中，開關(guān)電源是必不可少的家居用品，開關(guān)電源漏電怎么辦，市面上開關(guān)電源產(chǎn)品還是不少的，功能很多，品牌也不少，所以，選擇的時(shí)候也需要特別注意。好的品牌就會避免漏電的情況出現(xiàn)，開關(guān)電源漏電
2025-01-09 13:59:29
光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，面臨銀等關(guān)鍵資源長期可用性的挑戰(zhàn)，2022年全球光伏產(chǎn)業(yè)消耗了約13%的全球年度銀產(chǎn)量。銅和鋁是替代銀的有潛力材料，其中銅在導(dǎo)電性方面與銀接近，但在高溫電池概念（如TOPCon）中
2025-01-08 09:02:532337 
? ? ? 芯片封裝與焊接技術(shù)。 ? ? ?
2025-01-06 11:35:491135 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論