關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(GaN);超高真空鍵合;先進封裝;摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對芯片
2025-12-29 11:24:17
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深耕,一舉斬獲兩項大獎——“2025年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎”,以及ST首款專為電機控制設(shè)計的600V半橋功率GaN及驅(qū)動器GANSPIN611榮獲的“2025年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”!
2025-12-28 09:14:18
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為推動小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)(UCIe)IP 解決方案,在臺積電先進的 N3P 工藝上實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
2025-12-26 09:59:44
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Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
2025-12-25 09:12:32
2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01
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集團【AspenCore】主辦的全球電子成就獎(WEAA)——年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎;另一項則是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名研究機構(gòu)【行家說】評定的 年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎 。
2025-12-11 15:25:38
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2025年行至尾聲,智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)?;旌显O(shè)計實力、卓越的消費級電源管理方案,以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動技術(shù)的前瞻布局,一舉攬獲多項行業(yè)大獎,成為國產(chǎn)數(shù)模混合IC與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動賽道的“雙料”先鋒!
2025-12-11 15:20:51
377 近日,在深圳舉辦的“2025行家極光獎”頒獎典禮上,士蘭微電子憑借在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與深厚積累,一舉斬獲三大獎項:“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”、“中國SiC模塊十強企業(yè)”以及“第三代半導(dǎo)體年度創(chuàng)新產(chǎn)品”。
2025-12-10 17:43:35
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與之匹配的被動元件協(xié)同進化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢,在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏儲能逆變器、工業(yè)伺服電源、AI服務(wù)器電源及數(shù)據(jù)中心供電等場景中加速普及時,供電系統(tǒng)中的電容正面臨前所未有的挑戰(zhàn):高頻開關(guān)噪聲加劇、高溫容值
2025-12-04 15:34:17
217 如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,正在新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12
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如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會以要點列示為主,如果遺漏
2025-12-03 08:33:44
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如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 我曾是一名從事第三代半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量管理從業(yè)者,所以一直深耕于半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量把控工作,特別是現(xiàn)在的碳化硅(SIC)材料領(lǐng)域
2025-12-02 08:33:06
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(World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA)年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器產(chǎn)品獎,彰顯了安森美在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和市場優(yōu)勢。
2025-11-27 13:55:06
1348 在半導(dǎo)體設(shè)計與制造過程中,器件性能的精確測試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測試系統(tǒng) ,正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03
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。 然而,傳統(tǒng)測試系統(tǒng)往往面臨精度不足、兼容性差、擴展性弱等挑戰(zhàn),尤其在面對第三代半導(dǎo)體材料(如SiC、GaN)時,更是力不從心。 今天我們來看一款來自蘇州永創(chuàng)智能科技的STD2000X 半導(dǎo)體靜態(tài)電性測試系統(tǒng),它不僅在精度與速度上實
2025-11-20 14:53:16
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在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評估中,對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數(shù)測試,是優(yōu)化電路設(shè)計、驗證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅實的數(shù)據(jù)支撐,加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05
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引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍;擊穿場強達3MV/cm,是硅的10倍;熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:47
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11月11至14日,年度國際第三代半導(dǎo)體行業(yè)盛會——第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2025)在廈門隆重召開,中微
2025-11-18 14:02:44
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的保障,半導(dǎo)體器件的測試也愈發(fā)重要。 對于半導(dǎo)體器件而言,它的分類非常廣泛,例如二極管、三極管、MOSFET、IC等,不過這些器件的測試有共性也有差異,因此在實際的測試時測試項目也有通用項目和特殊項目,本文將為大家整
2025-11-17 18:18:37
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行家說極光獎,作為聚焦于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)獎項,以其嚴(yán)謹(jǐn)?shù)漠a(chǎn)業(yè)洞察與技術(shù)前瞻性,已成為衡量企業(yè)創(chuàng)新深度與市場價值的重要風(fēng)向標(biāo)。它旨在表彰那些具有行業(yè)表率的優(yōu)秀企業(yè)、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)和優(yōu)秀產(chǎn)品。
2025-11-17 10:19:49
725 2025年11月11-14日,第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS&SSLCHINA 2025)在廈門盛大召開。作為覆蓋90余個國家及地區(qū)、匯聚
2025-11-14 17:53:47
2418 如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37
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加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計的第三季度財務(wù)業(yè)績。
2025-11-07 16:46:05
2452 近日,在2025世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會(WICV)“中國芯”汽車芯片供需對接會上,歐冶半導(dǎo)體憑借在智能汽車第三代E/E架構(gòu)芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新突破與產(chǎn)業(yè)貢獻,獲評為“2025中國汽車芯片優(yōu)秀供應(yīng)商”。
2025-11-03 10:22:28
455 電子器件、材料、半導(dǎo)體和有源/無源元器件。
可以在 CV 和 IV 測量之間快速切換,無需重新連接線纜。
能夠捕獲其他傳統(tǒng)測試儀器無法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象。
能夠檢測 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
2025-10-27 18:05:00
1276 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動下,功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性,對封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度,又要確保信號
2025-10-22 18:13:11
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第56個世界標(biāo)準(zhǔn)日,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會、廣電計量主辦,無錫廣電計量承辦的半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會在無錫順利舉行,匯聚行業(yè)權(quán)威專家,分享前沿技術(shù)議題,以標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新,質(zhì)量護航“中國芯”崛起。
2025-10-21 14:28:57
2221 隨著第三代半導(dǎo)體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其動態(tài)特性的精準(zhǔn)測量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業(yè)的分析功能,為SiC器件的動態(tài)參數(shù)測試
2025-10-17 11:42:14
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以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43
402 2025年9月,一場聚焦前沿技術(shù)的“碳化硅功率器件測試和應(yīng)用高級研修班”在蘇州圓滿落幕。本次盛會匯聚了全國各地的企業(yè)研發(fā)精英與測試工程師,共同探索第三代半導(dǎo)體的測試挑戰(zhàn)與行業(yè)未來。普源精電(RIGOL)受邀出席,攜核心解決方案與現(xiàn)場工程師展開深度交流,以硬核技術(shù)實力點燃全場熱情。
2025-10-13 13:57:46
420 精準(zhǔn)洞察,卓越測量---BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測試平臺
原創(chuàng) 一覺睡到童年 陜西博微電通科技
2025年09月25日 19:08 陜西
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,每一顆微小的半導(dǎo)體
2025-10-10 10:35:17
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認證
2025-10-09 15:57:30
42390 基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認知
2025-10-08 13:12:22
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型柵極驅(qū)動器(BTD系列)和配套的電源管理芯片(BTP系列),明確圍繞第三代半導(dǎo)體——碳化硅(SiC)MOSFET驅(qū)動的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進行構(gòu)建 。這些產(chǎn)品在設(shè)計上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開關(guān)速度和高 ?dV/dt等特性帶來的挑戰(zhàn)。 該公司的策
2025-09-30 17:53:14
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傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:35
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8月28日,為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會展中心(福田)圓滿落幕,作為電子行業(yè)的年度大展,elexcon匯聚了全球400+家頂尖技術(shù)巨頭,探討從AI芯片、存算一體、RISC-V生態(tài),到第三代半導(dǎo)體、綠色能源電子等一系列議題。
2025-09-08 11:31:15
2241 當(dāng)前,全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動化與智能化升級,功率半導(dǎo)體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,憑借其寬禁帶、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、高頻低損耗等
2025-09-06 13:14:26
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界面可能影響用戶體驗; ? 多功能一體設(shè)計雖全面,但測試流程和接線配置耗時,效率有待優(yōu)化。 國產(chǎn)設(shè)備: ? 模塊化組合設(shè)計導(dǎo)致體積較大,難以適配自動化產(chǎn)線的高效需求; ? 電壓范圍有限,難以滿足第三代半導(dǎo)體器件的測試要求; ?
2025-09-03 17:49:11
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碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表,其物理特性,如寬禁帶、高臨界電場和高熱導(dǎo)率,從根本上超越了傳統(tǒng)硅(Si)基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)勢為電力電子系統(tǒng)的革新提供了堅實基礎(chǔ),尤其是在高壓、大功率和高頻應(yīng)用中。
2025-08-30 10:03:11
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碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等產(chǎn)業(yè)的升級。
2025-08-27 16:17:43
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隨著全球能源轉(zhuǎn)型、智能制造和高效電力系統(tǒng)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體器件在工業(yè)領(lǐng)域中的地位日益重要。近年來,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC,SiliconCarbide)憑借其卓越的電學(xué)、熱學(xué)和機械性能
2025-08-25 14:10:30
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基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:14
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近日,在第五屆全國新型儲能技術(shù)及工程應(yīng)用大會現(xiàn)場,廣州智光儲能科技有限公司(簡稱 “智光儲能”)與海辰儲能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級聯(lián)型高壓大容量儲能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個大容量儲能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地,為儲能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動能。
2025-07-30 16:56:14
1231 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石,其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計到生產(chǎn),每個環(huán)節(jié)都對測試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測試測量儀器,在半導(dǎo)體器件測試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52
652 
? 半導(dǎo)體分立器件主要包括: ? 二極管 ?(如整流二極管、肖特基二極管) ? 三極管 ?(雙極型晶體管、場效應(yīng)管) ? 晶閘管 ?(可控硅) ? 功率器件 ?(IGBT、MOSFET)? 2. ? 核心測試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?:正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32
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近日,總投資超200億元的長飛先進半導(dǎo)體基地項目正式運營投產(chǎn)。該項目是目前國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地,年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓,可滿足144萬輛新能源汽車制造需求,推動我國第三代半導(dǎo)體實現(xiàn)
2025-07-22 07:33:22
1042 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性,有機地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14
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分檔編程與16Bin分選機對接,量產(chǎn)測試效率達10,000件/小時 ? 全兼容測試范圍 ? 覆蓋硅基器件至第三代
2025-07-04 11:39:43
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此前,6.20~22日,為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會圓滿落幕,本次大會集聚優(yōu)勢資源,聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進封裝等熱點領(lǐng)域,聯(lián)合權(quán)威產(chǎn)業(yè)專家、行業(yè)優(yōu)秀公司及政府相關(guān)部門,共繪產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展藍圖。
2025-06-24 17:59:23
1317 此前,6月20日至22日,為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會圓滿落幕。本屆大會匯聚優(yōu)質(zhì)資源,聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進封裝等前沿?zé)狳c領(lǐng)域,攜手權(quán)威產(chǎn)業(yè)專家、行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)及政府相關(guān)部門,共同擘畫產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展新藍圖。
2025-06-23 17:57:46
1190 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,消息人士稱,英偉達計劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:00
3666 近日,國內(nèi)首家聚焦智能汽車第三代E/E架構(gòu)的SoC芯片及解決方案商歐冶半導(dǎo)體宣布,已完成億元人民幣B3輪融資。本輪融資由光學(xué)龍頭企業(yè)舜宇光學(xué)科技旗下舜宇產(chǎn)業(yè)基金戰(zhàn)略領(lǐng)投,合肥高投、老股東太極華青佩誠
2025-06-19 16:09:25
1080 第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46
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第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運輸設(shè)備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案, 功率轉(zhuǎn)換效率超過98%,功率密度高達35kW
2025-06-16 10:01:23
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發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
2025-06-15 07:30:57
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尋跡智行第三代自研移動機器人控制器BR-300G獲歐盟CE認證
2025-06-12 13:47:53
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作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團隊持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:59
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繼X60和X100之后,進迭時空正在基于開源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進迭時空的第二代高性能核X100相比,X200的單位性能提升75%以上,達到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:07
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的困難。特別對于第三代半導(dǎo)體的測試,LET-2000D有著較高的系統(tǒng)帶寬和測試精度,可以有效準(zhǔn)確的測量出實際的器件參數(shù)。 硬件優(yōu)勢>>>■ 采用LECROY
2025-06-05 10:02:46
力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性
2025-06-05 09:49:14
Silicon Labs(芯科科技)第三代無線開發(fā)平臺SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢,該系列產(chǎn)品升級了三大功能特性:可擴展性、輕松升級、頂尖性能,因而得以全面滿足未來物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴增
2025-06-04 10:07:39
927 ,與來自高校、科研機構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的多位專家,圍繞“第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展的趨勢及當(dāng)下面臨的問題”等議題展開深入交流。施俊先生也為大家?guī)砹恕禨iC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用,面臨挑戰(zhàn)和未來趨勢》主題演講。
2025-05-26 18:07:03
1482 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:05
1951 瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴(yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測試,確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30
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隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35
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近日,英飛凌的磁傳感器門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運而生。
2025-05-22 10:33:42
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從清華大學(xué)到鎵未來科技,張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起,憑借領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進第三代硅陽極電池的量產(chǎn)進程,將出貨時間從原計劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
2025-05-19 03:02:00
2928 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達處理器,進一步鞏固公司在成像雷達領(lǐng)域的專業(yè)實力。S32R47系列是第三代成像雷達處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達兩倍,同時改進
2025-05-12 15:06:43
53628 制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會以\"新能源芯時代\"為主題,匯集了來自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測試測量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),麥科
2025-05-09 16:10:01
第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達納
2025-04-22 18:25:42
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SC2020晶體管參數(shù)測試儀/?半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)-日本JUNO測試儀DTS-1000國產(chǎn)平替 ?專為半導(dǎo)體分立器件測試而研發(fā)的新一代高速高精度測試機。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 關(guān)鍵詞:雙脈沖測試,上管測試,下管測試,電源完整性測試套件寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件的代表,正在電源處理領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。這類材料憑借其高能量密度、高工作頻率以及耐高溫等天然優(yōu)勢
2025-04-11 15:00:14
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新的機遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進方向,行家說三代半與行家極光獎聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報道。 ? ? 日前, 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:41
3665 隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26
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近日,國內(nèi)首家智能汽車第三代E/E架構(gòu)AI SoC芯片及解決方案商歐冶半導(dǎo)體宣布,已成功完成數(shù)億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國投招商、招商致遠資本及聚合資本共同投資。
2025-03-25 09:48:28
854 ? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體”)憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:04
3895 SO1400是專為?第三代光耦器件?設(shè)計的全自動測試系統(tǒng),集成1400V高壓測試與1A大電流驅(qū)動能力。本設(shè)備采用軍工級測試架構(gòu),滿足?工業(yè)4.0?標(biāo)準(zhǔn)下對光耦器件的?在線質(zhì)量檢測?與?可靠性驗證?需求,適用于新能源、智能電網(wǎng)等高可靠性應(yīng)用場景。
2025-03-13 12:05:29
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亮點 :國產(chǎn)企業(yè)級NVMe主控芯片領(lǐng)軍者,第三代PCIe 4.0芯片已量產(chǎn),正在研發(fā)7nm PCIe 5.0產(chǎn)品,客戶覆蓋數(shù)據(jù)中心與云計算頭部企業(yè)。
8. 知存科技(WITINMEM)
領(lǐng)域 :存算一體
2025-03-05 19:37:43
一談起低軌衛(wèi)星,大家勢必會說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
2025-03-05 17:34:16
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近日,威睿電動汽車技術(shù)(寧波)有限公司(簡稱“威睿公司”)2024年度供應(yīng)商伙伴大會于浙江寧波順利召開。納微達斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體”)憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果,喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎”。
2025-03-04 09:38:23
969 SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實現(xiàn)突破性升級,芯片面積縮小20%,開關(guān)損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:43
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硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展,其性能逐漸接近極限,在進一步降本增效的背景下,第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48
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生長4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù),籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向,可加工4英寸(010)面襯底,適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后,氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材
2025-02-17 09:13:24
1340 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:30
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近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」。這一榮譽不僅是對聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認可,更是對其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:30
1020 2025 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦;展會將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場,打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺,集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01
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近日,中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級注入強大動力。 2024年11
2025-02-11 10:30:06
1343 在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:50
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來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素和重要保證。記者從中國科學(xué)院微電子研究所獲悉,我國在太空
2025-02-05 10:56:13
517 、新能源、醫(yī)療健康、智能制造等領(lǐng)域。 電子科技領(lǐng)域,多個半導(dǎo)體相關(guān)項目上榜,涉及傳感器、半導(dǎo)體封測、半導(dǎo)體器件、第三代半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè),上榜半導(dǎo)體項目如下: 山東先導(dǎo)智感電子科技有限公司的激光雷達及傳感器件生產(chǎn)項目、山東浪潮華光光電子公司的
2025-01-15 11:04:25
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本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動汽車的核心部件中,車用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:57
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全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競爭的焦點。在新能源汽車等應(yīng)用市場快速發(fā)展的推動下,國內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù),發(fā)展前景究竟如何? 隨著全球科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:43:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:將外部存儲器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費下載
2025-01-06 16:12:11
0 在半導(dǎo)體器件的實際部署中,它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱,過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此,熱測試對于驗證半導(dǎo)體組件的性能及評估其可靠性至關(guān)重要。然而,半導(dǎo)體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:39
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