SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應(yīng)力分布共同決定，其厚度調(diào)控范圍覆蓋MEMS應(yīng)用的微米級至先進CMOS的納米級。
2025-12-26 15:21:23
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格羅方德（GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS）宣布收購總部位于新加坡的硅光晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF），此舉標(biāo)志著格羅方德在推進硅光技術(shù)創(chuàng)新
2025-11-19 10:54:53430 在半導(dǎo)體芯片的精密制造流程中，晶圓從一片薄薄的硅片成長為百億晶體管的載體，需要經(jīng)歷數(shù)百道工序。在半導(dǎo)體芯片的微米級制造流程中，晶圓的每一次轉(zhuǎn)移和清洗都可能影響最終產(chǎn)品良率。特氟龍（聚四氟乙烯）材質(zhì)
2025-11-18 15:22:31248 
：利用高頻聲波在液體中產(chǎn)生空化效應(yīng)，形成微小氣泡并破裂時釋放沖擊力，剝離附著在晶圓表面的顆粒污染物。例如，40kHz低頻超聲波適用于去除微米級顆粒，而1MHz以上兆聲波可清除納米級顆粒且避免損傷表面。 機械力輔助 ：采用旋轉(zhuǎn)噴
2025-11-18 11:06:19200 兆聲波清洗通過高頻振動（通常0.8–1MHz）在清洗液中產(chǎn)生均勻空化效應(yīng)，對晶圓表面顆粒具有高效去除能力。然而，其潛在損傷風(fēng)險需結(jié)合工藝參數(shù)與材料特性綜合評估：表面微結(jié)構(gòu)機械損傷納米級劃痕與凹坑：兆
2025-11-04 16:13:22248 
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
MEMS晶圓級電鍍是一種在微機電系統(tǒng)制造過程中，整個硅晶圓表面通過電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級和圖形化特性：它能在同一時間對晶圓上的成千上萬個器件結(jié)構(gòu)進行批量加工，極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性，是實現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術(shù)之一。
2025-09-01 16:07:282073 
WD4000晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
WD4000晶圓顯微形貌測量系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
WD4000晶圓膜厚測量系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測量
2025-08-12 15:47:19
流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠，正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進 7 納米工藝客戶驗證，標(biāo)志著中國大陸在先進制程領(lǐng)域的實質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu)，通過引入高介電常數(shù)金屬柵極（HKMG）和極紫外光刻（EUV）預(yù)研技術(shù)，將晶體管密
2025-08-04 15:22:2110986 退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機械性質(zhì)。這些改進對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:232023 
格羅方德（GlobalFoundries）推出GlobalShuttle多項目晶圓（multi-project wafer， MPW），計劃通過將多個芯片設(shè)計項目集成于同一片晶圓上，助力客戶將差異化芯片設(shè)計轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品，同時無需承擔(dān)測試硅片的成本限制。
2025-07-26 15:27:04945 摘要：本文圍繞基于納米流體強化的切割液性能提升及對晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強化切割液在冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機制，分析其對晶圓 TTV 均勻性的影響路徑，以及優(yōu)化
2025-07-25 10:12:24420 
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
晶圓清洗機中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計原理、技術(shù)要點及實現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 
楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布擴大與三星晶圓代工廠的合作，包括簽署一項新的多年期 IP 協(xié)議，在三星晶圓代工廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進節(jié)點
2025-07-10 16:44:04918 WD4000晶圓厚度THK幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時對振動更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓（
2025-07-09 09:52:03580 On Wafer WLS無線晶圓測溫系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成，實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓載具清洗機是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具（如載具、花籃、托盤等），避免污染物通過載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面，從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
WD4000晶圓厚度測量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-06-18 15:40:06
摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測量結(jié)果的作用，為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58551 晶圓檢測是指在晶圓制造完成后，對晶圓進行的一系列物理和電學(xué)性能的測試與分析，以確保其質(zhì)量和性能符合設(shè)計要求。這一過程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響后續(xù)封裝和芯片的良品率。 隨著圖形化和幾何結(jié)構(gòu)
2025-06-06 17:15:28715 
貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591179 
晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構(gòu)建于晶圓之上，其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性，是摩爾定律持續(xù)推進的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度（THK）、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow
2025-05-28 16:12:46
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測機制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過程中諸多因素會導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36850 
摘要：本文針對激光退火后晶圓總厚度偏差（TTV）變化的問題，深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進、晶圓預(yù)處理以及檢測反饋機制等方面，提出一系列有效管控 TTV 變化的方法，為提升激光退火后晶圓質(zhì)量提供
2025-05-23 09:42:45580 摘要：本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進及檢測反饋機制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57508 
摘要：本文聚焦于降低晶圓 TTV（總厚度偏差）的磨片加工方法，通過對磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進，有效控制晶圓 TTV 值，提升晶圓質(zhì)量，為半導(dǎo)體制造提供實用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：晶
2025-05-20 17:51:391022 WD4000晶圓Warp翹曲度量測系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進行，直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:441109 
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511975 晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn)，每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影，每一次工藝革新都在突破物理極限。
2025-05-07 15:12:302191 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù)，它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中，去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物，以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對晶圓浸泡式清洗方法的詳細
2025-04-14 15:18:54766 WD4000晶圓表面形貌量測系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
2025-04-11 11:11:00
在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓甩干機發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，晶圓甩干過程中的碎片問題一直是影響生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。晶圓作為半導(dǎo)體器件的載體，其完整性對于后續(xù)的制造工藝至關(guān)重要。即使是極小
2025-03-25 10:49:12766 WD4000系列晶圓微觀幾何輪廓測量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-03-19 17:36:45
本文介紹了晶圓清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
2025-03-18 16:43:051684 
MEMS傳感器晶圓劃片機技術(shù)特點與應(yīng)用分析MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器晶圓劃片機是用于切割MEMS傳感器晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，需滿足高精度、低損傷及工藝適配性等要求。以下是相關(guān)技術(shù)特點、工藝難點及國產(chǎn)化
2025-03-13 16:17:45859 
，在特定場景中展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。讓我們走進濕法刻蝕的世界，探索這場在納米尺度上上演的微觀雕刻。 濕法刻蝕的魔法：化學(xué)的力量 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液的腐蝕性，選擇性地去除晶圓表面的材料。它的工作原理簡單而高效：將晶圓浸入特定的
2025-03-12 13:59:11983 通過獨立雙軸運行，適配12寸晶圓，切割效率較單軸提升50%以上，定位精度達±1μm?。采用進口直線電機與光柵尺閉環(huán)系統(tǒng)，結(jié)合實時反饋算法，確保切割路徑的納米級重復(fù)精
2025-03-11 17:27:52797 
芯片制造的畫布 芯片制造的畫布：晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺上，晶圓（Wafer）扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫布，承載著無數(shù)工程師的智慧與夢想，見證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:251542 WD4000晶圓翹曲度幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。儀器通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-03-07 16:19:24
WD4000晶圓幾何形貌量測機通過非接觸測量，自動測量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-02-21 14:09:42
日本硅晶圓制造商Sumco宣布，將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報告稱，主要用于消費、工業(yè)和汽車應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言，隨著客戶要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓，要么在
2025-02-20 16:36:31815 眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步，其他公司也在開發(fā) 200 毫米技術(shù)
2025-02-19 11:16:55811 近日，日本知名硅晶圓制造商Sumco宣布了一項重要戰(zhàn)略決策，計劃于2026年底前停止其宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。這一舉措是Sumco為優(yōu)化產(chǎn)品組合、提高盈利能力而采取的關(guān)鍵步驟。
2025-02-13 16:46:521215 據(jù)SEMI（國際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會）近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報告顯示，2024年全球硅晶圓出貨量預(yù)計將出現(xiàn)2.7%的同比下降，總量達到122.66億平方英寸（MSI）。與此同時，硅晶圓的銷售額也呈現(xiàn)出下滑趨勢，同比下降6.5%，預(yù)計總額約為115億美元。
2025-02-12 17:16:27890 Dicing 是指將制造完成的晶圓（Wafer）切割成單個 Die 的工藝步驟，是從晶圓到獨立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個 Die 都是一個功能單元，Dicing 的精準(zhǔn)性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:492943 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003048 
近日，臺灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺灣媒體報道，臺積電位于臺南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損，初步估計將有1至2萬片晶圓報廢。本月21日零時17分，臺灣嘉義縣
2025-01-24 11:27:29944 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24520 ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測探針臺阿波羅
2025-01-14 09:29:132358 
不同的真空吸附方式，作為晶圓測量環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵支撐技術(shù)，對 BOW 測量結(jié)果有著千差萬別的影響。
一、全表面真空吸附方式
全表面真空吸附是最為傳統(tǒng)且應(yīng)用廣泛的一種方式。其原
2025-01-10 10:30:46632 都說晶圓清洗機是用于晶圓清洗的，既然說是全自動的。我們更加好奇的點一定是如何自動實現(xiàn)晶圓清洗呢？效果怎么樣呢？好多疑問。我們先來給大家介紹這個根本問題，就是全自動晶圓清洗機的工作是如何實現(xiàn)
2025-01-10 10:09:191113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨特
2025-01-09 17:00:10639 晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競爭力。今天我們將詳細介紹
2025-01-09 09:59:262099 
。在此之前，皖芯集成的注冊資本僅為5000.01萬元。 本次增資完成后，晶合集成持有皖芯集成的股權(quán)比例變更為43.75%，仍為第一大股東。 據(jù)TrendForce公布的24Q1全球晶圓代工廠商營收排名，晶合集成位居全球前九，是中國大陸本土第三的晶圓代工廠商。
2025-01-07 17:33:09778 
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