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摩爾定律“垂而不死”:多次被預(yù)言將失效

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常見的電子元器件失效分析匯總

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深度解析LED芯片與封裝失效機(jī)理

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2025-10-14 12:09:44242

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2025-10-14 11:26:31352

【2025九峰山論壇】破局摩爾定律:異質(zhì)異構(gòu)集成如何撬動新賽道?

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摩爾定律時(shí)代,3D-CIM+RISC-V打造國產(chǎn)存算一體新范式

,算力、能效與帶寬瓶頸成為行業(yè)前行的關(guān)鍵阻礙,美西方的技術(shù)禁運(yùn)更讓中國芯片產(chǎn)業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 ? 在這一大背景下,存算一體成為國產(chǎn)算力突破的重要手段。近日,在杭州舉辦的 RISC-V 存算一體產(chǎn)業(yè)論壇暨應(yīng)用組啟動大會上,微納核芯、浙江省北大信
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LED驅(qū)動電路失效分析及解決方案

頻發(fā),這不僅影響了用戶體驗(yàn),更成為制約行業(yè)健康發(fā)展的瓶頸。LED燈具失效通常源于兩大因素:一是電源和驅(qū)動電路故障,二是LED器件自身失效。本文聚焦于LED驅(qū)動電
2025-09-16 16:14:52829

【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

為我們重點(diǎn)介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。 一、摩爾定律 摩爾定律是計(jì)算機(jī)科學(xué)和電子工程領(lǐng)域的一條經(jīng)驗(yàn)規(guī)律,指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18-24個月會增加一倍,同時(shí)芯片大小也
2025-09-15 14:50:58

華大九天Vision平臺重塑晶圓制造良率優(yōu)化新標(biāo)桿

摩爾定律驅(qū)動下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正步入復(fù)雜度空前的新紀(jì)元。先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的持續(xù)突破疊加國產(chǎn)化供應(yīng)鏈的深度整合,不僅推動芯片性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展,更使良率管理面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。納米級尺度下的設(shè)計(jì)缺陷放大,工藝窗口收窄,任何偏差都可能引發(fā)良率驟降、產(chǎn)品延期。
2025-09-12 16:31:461999

LED失效原因分析與改進(jìn)建議

LED壽命雖標(biāo)稱5萬小時(shí),但那只是25℃下的理論值。高溫、高濕、粉塵、電流沖擊等現(xiàn)場條件會迅速放大缺陷,使產(chǎn)品提前失效。統(tǒng)計(jì)表明,現(xiàn)場失效多集中在投運(yùn)前三年,且呈批次性,直接推高售后成本。把常見
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CMOS 2.0與Chiplet兩種創(chuàng)新技術(shù)的區(qū)別

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摩爾定律時(shí)代,國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的前瞻路徑分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)日前,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展(CSEAC 2025)主論壇暨第十三屆中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體設(shè)備年會在無錫太湖之濱隆重開幕。本次年會以 “強(qiáng)化戰(zhàn)略引領(lǐng),深化創(chuàng)新驅(qū)動,共筑半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)新高地” 為主題,匯聚了國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的頂尖專家與企業(yè)領(lǐng)袖。 ? 在大會的主題演講環(huán)節(jié),中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會副秘書長、工信部電子科技委專家委員李晉湘,中電科電子裝備集團(tuán)有限公司黨委
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【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新繼續(xù)維持著摩爾神話

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芯片封裝的功能、等級以及分類

摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
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2025-08-27 16:38:26658

電子元器件為什么會失效

電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下,喪失預(yù)期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段,不僅影響設(shè)備正常運(yùn)行,還可能引發(fā)系統(tǒng)級故障。導(dǎo)致失效的因素復(fù)雜多樣,可系統(tǒng)性地歸納
2025-08-21 14:09:32976

IGBT短路失效分析

短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的,失效的模式主要為熱失效和動態(tài)雪崩失效以及電場尖峰過高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況,但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:544030

淺談3D封裝與CoWoS封裝

自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個月翻倍的預(yù)言以來,摩爾定律已持續(xù)推動半導(dǎo)體技術(shù)跨越半個世紀(jì),從CPU、GPU到專用加速器均受益于此。
2025-08-21 10:48:321625

淺談常見芯片失效原因

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,電氣過應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是導(dǎo)致芯片失效的兩大主要因素,約占現(xiàn)場失效器件總數(shù)的50%。它們不僅直接造成器件損壞,還會引發(fā)長期性能衰退和可靠性問題,對生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量構(gòu)成嚴(yán)重威脅。
2025-08-21 09:23:051493

借助AMD無頂蓋封裝技術(shù)應(yīng)對散熱挑戰(zhàn)

隨著電子行業(yè)向更小節(jié)點(diǎn)邁進(jìn),現(xiàn)代應(yīng)用要求更高的時(shí)鐘速率和性能。2014 年,斯坦福大學(xué)教授 Mark Horowitz 發(fā)表了一篇開創(chuàng)性的論文,描述半導(dǎo)體行業(yè)面臨相關(guān)登納德縮放及摩爾定律失效的挑戰(zhàn)
2025-08-21 09:07:13810

當(dāng)摩爾定律 “踩剎車” ,三星 、AP、普迪飛共話半導(dǎo)體制造新變革新機(jī)遇

,揭示行業(yè)正處于從“晶體管密度驅(qū)動”向“系統(tǒng)級創(chuàng)新”轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。隨著摩爾定律放緩、供應(yīng)鏈分散化政策推進(jìn),一場融合制造技術(shù)革新與供應(yīng)鏈數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)變革正在上演。
2025-08-19 13:48:141163

UCIe協(xié)議的工作原理和數(shù)據(jù)傳輸機(jī)制

過去幾十年,摩爾定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動力,芯片上晶體管數(shù)量每18-24個月翻倍,性能隨之大幅提升。但近年來這一定律明顯放緩,芯片制程向7nm、5nm甚至3nm推進(jìn)時(shí),技術(shù)難度呈指數(shù)級增長,研發(fā)成本飆升,且物理極限日益逼近,傳統(tǒng)通過提升制程提高性能的路徑愈發(fā)艱難。
2025-08-16 15:37:383695

怎么找出PCB光電元器件失效問題

限制,PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效,引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問題并明確責(zé)任,失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務(wù)是基于失效
2025-08-15 13:59:15630

AI狂飆, FPGA會掉隊(duì)嗎? (上)

,這與摩爾定律的速度高度相似,通用GPU的算力增長更是驚人,達(dá)到了八年1000倍?!窯PU算力八年1000倍增長」過去我做FAE的時(shí)候,客戶經(jīng)常會問,“你們芯片
2025-08-07 09:03:191061

先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類

摩爾定律精準(zhǔn)預(yù)言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而,逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟(jì)的工藝制程,已引發(fā)整個半導(dǎo)體行業(yè)重新考慮集成工藝方法和系統(tǒng)縮放策略,意味著集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入后摩爾時(shí)代。
2025-08-05 14:59:112513

Chiplet與3D封裝技術(shù):后摩爾時(shí)代的芯片革命與屹立芯創(chuàng)的良率保障

摩爾定律逐漸放緩的背景下,Chiplet(小芯片)技術(shù)和3D封裝成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能與集成度瓶頸的關(guān)鍵路徑。然而,隨著芯片集成度的提高,氣泡缺陷成為影響封裝良率的核心挑戰(zhàn)之一。
2025-07-29 14:49:39855

摩爾線程“AI工廠”:以系統(tǒng)級創(chuàng)新定義新一代AI基礎(chǔ)設(shè)施

演講中表示,為應(yīng)對生成式AI爆發(fā)式增長下的大模型訓(xùn)練效率瓶頸,摩爾線程通過系統(tǒng)級工程創(chuàng)新,構(gòu)建新一代AI訓(xùn)練基礎(chǔ)設(shè)施,致力于為AGI時(shí)代打造生產(chǎn)先進(jìn)模型的“超級工廠”。 ? “AI工廠”:鍛造先進(jìn)模型的“超級工廠” 人工智能前沿模型的競爭正推動著
2025-07-28 10:34:222603

疑似摩爾線程S90曝光,對標(biāo)RTX4060

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,摩爾線程新一代圖形顯卡MTT S90疑似知名自媒體曝光,實(shí)測性能媲美英偉達(dá)RTX4060。據(jù)傳,MTT S90是摩爾線程在兩年前就計(jì)劃推出的產(chǎn)品,與其AI智算卡MTT
2025-07-25 10:53:123164

晶心科技:摩爾定律放緩,RISC-V在高性能計(jì)算的重要性突顯

運(yùn)算還是快速高頻處理計(jì)算數(shù)據(jù),或是超級電腦,只要設(shè)計(jì)或計(jì)算系統(tǒng)符合三項(xiàng)之一即可稱之為HPC。 摩爾定律走過數(shù)十年,從1970年代開始,世界領(lǐng)導(dǎo)廠商建立晶圓廠、提供制程工藝,在28nm之前取得非常大的成功。然而28nm之后摩爾定律在接近物理極限之前遇到大量的困
2025-07-18 11:13:324120

芯片失效步驟及其失效難題分析!

芯片失效分析的主要步驟芯片開封:去除IC封膠,同時(shí)保持芯片功能的完整無損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM
2025-07-11 10:01:152704

針對芯片失效的專利技術(shù)與解決方法

在后摩爾時(shí)代,隨著SOC、SIP等技術(shù)的快速崛起,集成電路向著更小工藝尺寸,更高集成度方向發(fā)展。對應(yīng)的,在更高集成度、更精工藝尺寸,以及使用更多新材料的情況下,對應(yīng)的產(chǎn)品新增失效問題也會越來越多
2025-07-10 11:14:34591

淺談封裝材料失效分析

在電子封裝領(lǐng)域,各類材料因特性與應(yīng)用場景不同,失效模式和分析檢測方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52998

電解電容失效因素解析與預(yù)防策略

電解電容作為電子電路中關(guān)鍵的儲能與濾波元件,其可靠性直接影響設(shè)備性能與壽命。然而,受材料、工藝、環(huán)境等因素影響,電解電容易發(fā)生多種失效模式。本文系統(tǒng)梳理其失效因素,并提出針對性預(yù)防措施。 一、核心
2025-07-08 15:17:38783

LED芯片失效和封裝失效的原因分析

一隨著LED技術(shù)的迅猛發(fā)展,其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛,LED以其高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)勢視為傳統(tǒng)照明技術(shù)的替代品。然而,LED產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中仍然面臨諸多挑戰(zhàn),尤其是穩(wěn)定性和可靠性問題。LED
2025-07-07 15:53:25765

東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路

據(jù)報(bào)道,東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能,遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測試中,這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí),顯示出其在高壓和高溫等極端條件
2025-07-02 09:52:45827

連接器會失效情況分析?

連接器失效可能由電氣、機(jī)械、環(huán)境、材料、設(shè)計(jì)、使用不當(dāng)或壽命到期等多種原因引起。通過電氣、機(jī)械、外觀和功能測試,可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時(shí)更新,保證工序的正常進(jìn)行。
2025-06-27 17:00:56654

格羅方德鍺硅技術(shù)的發(fā)展歷史和應(yīng)用

20世紀(jì)80年代末至90年代初,在紐約和佛蒙特州這些看似與半導(dǎo)體革命毫無關(guān)聯(lián)的地方,一場悄無聲息的半導(dǎo)體變革正悄然興起。即便是最癡迷于半導(dǎo)體的發(fā)燒友,也可能未曾留意到這場變革,畢竟當(dāng)時(shí)摩爾定律以及硅(Si)CMOS晶體管的尺寸縮小占據(jù)了所有新聞頭條。
2025-06-24 14:00:441147

ASML杯光刻「芯 」勢力知識挑戰(zhàn)賽正式啟動

ASML光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽由全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商ASML發(fā)起,是一項(xiàng)面向中國半導(dǎo)體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在光刻領(lǐng)域的技術(shù)積累與行業(yè)洞察,賽事致力于為參賽者打造一個深度探索光刻技術(shù)的知識競技窗口,同時(shí)培養(yǎng)優(yōu)秀科技「芯」勢力,共同推動摩爾定律演進(jìn)。
2025-06-23 17:04:561158

SEM掃描電鏡斷裂失效分析

中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍,其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對真空度要求不高,使得鎢燈絲臺式掃描電鏡能夠在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像,從而提高了檢測效率
2025-06-17 15:02:09

淺談射頻同軸連接器的失效原因

同軸產(chǎn)品在使用中總會碰到問題,可能涉及到連接器也可能涉及到安裝的電纜,本期圍繞總結(jié)3個大點(diǎn)8種同軸連接的失效原因,并對不同問題分別進(jìn)行解析。
2025-06-04 10:00:551606

鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢

自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番,而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494

摩爾線程與AI算力平臺AutoDL達(dá)成深度合作

近日,摩爾線程與國內(nèi)領(lǐng)先的AI算力平臺AutoDL宣布達(dá)成深度合作,雙方聯(lián)合推出面向個人開發(fā)者的“摩爾線程專區(qū)”,首次國產(chǎn)GPU算力開放至AI開發(fā)一線。
2025-05-23 16:10:291517

低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個晶體管。
2025-05-22 16:06:191145

電力電子中的“摩爾定律”(2)

04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上,平面磁集成技術(shù)開始廣泛應(yīng)用于高功率密度場景,通過變壓器的繞組(winding)設(shè)計(jì)在pcb電路板上從而代替利茲線,從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大,一般不會超過4oz(140μm),因此想要通過pcb傳輸大電流會有極大的損耗。為
2025-05-17 08:33:28572

跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則

。 然而,隨著摩爾定律逼近物理極限,傳統(tǒng)掩模設(shè)計(jì)方法面臨巨大挑戰(zhàn),以2nm制程為例,掩膜版上的每個圖形特征尺寸僅為頭發(fā)絲直徑的五萬分之一,任何微小誤差都可能導(dǎo)致芯片失效。對此,新思科技(Synopsys)推出制造解決方案,尤其是
2025-05-16 09:36:475598

輸電線路弧檢測設(shè)備的解決方案

輸電線路弧檢測設(shè)備采用太陽能與蓄電池組合供電,日均功耗低于 5W,陰雨天續(xù)航超 20 天。設(shè)備重量輕,單人 2 小時(shí)可完成安裝,適配多種場景。
2025-05-13 11:44:07475

電力電子中的“摩爾定律”(1)

本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品,來自上??萍即髮W(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出,集成電路每過一定時(shí)間就會性能翻倍,成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢?1965年,英特爾
2025-05-10 08:32:01752

元器件失效分析有哪些方法?

失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對失效電子元器件進(jìn)行診斷的過程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式,例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等;失效機(jī)理則是指導(dǎo)
2025-05-08 14:30:23909

架空線路導(dǎo)線弧監(jiān)測裝置

產(chǎn)品型號:TLKS-PMG-HC概述導(dǎo)線弧監(jiān)測裝置隨著電力行業(yè)的迅猛發(fā)展和電網(wǎng)規(guī)模的不斷擴(kuò)大,輸電線路的安全運(yùn)維已成為電力企業(yè)和社會關(guān)注的焦點(diǎn)。特別是在氣候多變的條件下,如夏季高溫時(shí)段,輸電線
2025-04-30 14:25:23

玻璃基板在芯片封裝中的應(yīng)用

自集成電路誕生以來,摩爾定律一直是其發(fā)展的核心驅(qū)動力。根據(jù)摩爾定律,集成電路單位面積上的晶體管數(shù)量每18到24個月翻一番,性能也隨之提升。然而,隨著晶體管尺寸的不斷縮小,制造工藝的復(fù)雜度和成本急劇
2025-04-23 11:53:452727

淺談Chiplet與先進(jìn)封裝

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,尤其是摩爾定律的放緩,芯片設(shè)計(jì)和制造商們逐漸轉(zhuǎn)向了更為靈活的解決方案,其中“Chiplet”和“先進(jìn)封裝”成為了熱門的概念。
2025-04-14 11:35:181169

電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件的失效特點(diǎn)、失效模式和失效機(jī)理以及有效的預(yù)防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54

先進(jìn)封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下,先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來的發(fā)展趨勢,使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。
2025-04-09 15:29:021021

淺談MOS管封裝技術(shù)的演變

隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS管的封裝技術(shù)經(jīng)歷了許多變革,從而間接地影響到了智能應(yīng)用的表現(xiàn)。合科泰將帶您深入探討MOS管封裝技術(shù)的演變。
2025-04-08 11:29:531217

MDD快恢復(fù)二極管的典型失效模式:如何避免短路、過熱和過載?

(SMPS)、功率因數(shù)校正(PFC)、逆變器和高頻整流電路。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,快恢復(fù)二極管可能因設(shè)計(jì)不當(dāng)或工作環(huán)境惡劣發(fā)生短路、過熱、過載等失效。本文深入探
2025-03-26 10:30:001073

深入解讀新思科技UALink和超以太網(wǎng)IP解決方案

AI工作負(fù)載正顯著推動接口IP市場的創(chuàng)新。AI模型參數(shù)量呈指數(shù)級增長,大約每4至6個月翻一番,這與摩爾定律所描繪的硬件發(fā)展速度(周期長達(dá)18個月)形成了鮮明對比。此差距要求硬件創(chuàng)新來支持人工智能(AI)工作負(fù)載,并且需要更強(qiáng)的計(jì)算能力、更豐富的資源和更高帶寬的互連技術(shù)。
2025-03-26 10:08:181916

詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
2025-03-25 15:41:371790

震驚!半導(dǎo)體玻璃芯片基板實(shí)現(xiàn)自動激光植球突破

在半導(dǎo)體行業(yè)“超越摩爾定律”的探索中,玻璃基板與激光植球技術(shù)的結(jié)合,不僅是材料與工藝的創(chuàng)新,更是整個產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同突破的縮影。未來,隨著5G、AI、汽車電子等需求的爆發(fā),激光錫球焊接機(jī)這一技術(shù)組合或?qū)⒊蔀橹袊雽?dǎo)體高端制造的重要競爭力。?
2025-03-21 16:50:041547

輸電線路微弧監(jiān)測系統(tǒng) 4G/北斗雙模傳輸 山區(qū)/平原全域適配

輸電線路弧在線監(jiān)測裝置TLKS-PMG-HC 一、產(chǎn)品描述: 在電力傳輸網(wǎng)絡(luò)中,輸電線路的弧(即導(dǎo)線與地面最近點(diǎn)的垂直距離)是影響線路安全運(yùn)行的重要參數(shù)?;?b class="flag-6" style="color: red">垂過大可能導(dǎo)致導(dǎo)線對地距離不足,引發(fā)
2025-03-18 11:42:39708

域大模型時(shí)代 專業(yè)數(shù)據(jù)鑄就行業(yè)智能底座

憑借專業(yè)、優(yōu)質(zhì)、安全的訓(xùn)練數(shù)據(jù)服務(wù),數(shù)據(jù)堂已助力全球百余大模型開發(fā)項(xiàng)目突破數(shù)據(jù)瓶頸。數(shù)據(jù)堂愿與各行業(yè)企業(yè)攜手共進(jìn),助力企業(yè)快速搭建域大模型,釋放AI在各行業(yè)的巨大潛能。
2025-03-17 17:24:01699

瑞沃微先進(jìn)封裝:突破摩爾定律枷鎖,助力半導(dǎo)體新飛躍

在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程中,技術(shù)創(chuàng)新始終是推動行業(yè)前進(jìn)的核心動力。深圳瑞沃微半導(dǎo)體憑借其先進(jìn)封裝技術(shù),用強(qiáng)大的實(shí)力和創(chuàng)新理念,立志半導(dǎo)體行業(yè)邁向新的高度。 回溯半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展軌跡,摩爾定律無疑是一個重要的里程碑
2025-03-17 11:33:30779

封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì),然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
2025-03-13 14:45:411817

Chiplet:芯片良率與可靠性的新保障!

Chiplet技術(shù),也被稱為小芯片或芯粒技術(shù),是一種創(chuàng)新的芯片設(shè)計(jì)理念。它將傳統(tǒng)的大型系統(tǒng)級芯片(SoC)分解成多個小型、功能化的芯片模塊(Chiplet),然后通過先進(jìn)的封裝技術(shù)這些模塊連接在一起,形成一個完整的系統(tǒng)。這一技術(shù)的出現(xiàn),源于對摩爾定律放緩的應(yīng)對以及對芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本控制的追求。
2025-03-12 12:47:462296

輪轂電機(jī)驅(qū)動電動汽車向動力學(xué)控制研究綜述

從輪轂電機(jī)驅(qū)動電動汽車整車動力學(xué)特性、簧下質(zhì)量增加對車輛動力學(xué)性能影響以及輪 轂電機(jī)不平衡電磁力對車輛動力學(xué)性能影響 3 個方面,介紹了 國 內(nèi)外輪轂驅(qū)動電動汽車向動力 學(xué)研究現(xiàn)狀,對適用于
2025-03-07 15:21:37

全球首臺,獨(dú)立研發(fā)!新一代C2W&W2W混合鍵合設(shè)備即將震撼發(fā)布!

制程工藝逼近1nm物理極限,摩爾定律的延續(xù)面臨巨大挑戰(zhàn)。行業(yè)亟需通過“延續(xù)摩爾”(More Moore)與“超越摩爾”(More than Moore)兩條路徑尋找新突破。無論是3D堆疊技術(shù)提升集成密度,還是異質(zhì)芯片集成拓展功能邊界,混合鍵合技術(shù)已成為不可替代的核心技術(shù)。然而
2025-03-06 14:42:58509

AI正在對硬件互連提出“過分”要求 | Samtec于Keysight開放日深度分享

摘要/前言 硬件加速,可能總會是新的難點(diǎn)和挑戰(zhàn)。面對信息速率和密度不斷提升的AI,技術(shù)進(jìn)步也會遵循摩爾定律,那硬件互連準(zhǔn)備好了嗎? Samtec China Sr. FAE Manager 胡亞捷
2025-02-26 11:09:101013

芯片失效分析的方法和流程

? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程,舉例了典型失效案例流程,總結(jié)了芯片失效分析關(guān)鍵技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和對策,并總結(jié)了芯片失效分析的注意事項(xiàng)。 ? ? 芯片失效分析是一個系統(tǒng)性工程,需要結(jié)合電學(xué)測試
2025-02-19 09:44:162907

新思科技全新40G UCIe IP解決方案助力Multi-Die設(shè)計(jì)

隨著物理極限開始制約摩爾定律的發(fā)展,加之人工智能不斷突破技術(shù)邊界,計(jì)算需求和處理能力要求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。為了賦能生成式人工智能應(yīng)用,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心不得不采用Multi-Die設(shè)計(jì),而這又帶來了許多技術(shù)要求,包括高帶寬和低功耗Die-to-Die連接。
2025-02-18 09:40:02936

先進(jìn)封裝技術(shù):3.5D封裝、AMD、AI訓(xùn)練降本

隨著深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(DNN)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)模型參數(shù)數(shù)量的指數(shù)級增長,AI訓(xùn)練和推理應(yīng)用對計(jì)算資源(如CPU、GPU和內(nèi)存)的需求不斷增加。 摩爾定律的放緩使得傳統(tǒng)單片系統(tǒng)芯片(SoC)的性能提升
2025-02-14 16:42:431959

納米壓印技術(shù):開創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503708

導(dǎo)線弧預(yù)警裝置:怎樣提前預(yù)警弧異常,避免安全事故

產(chǎn)品別名:? 智能輸電線路弧監(jiān)測設(shè)備、輸電線路弧遠(yuǎn)程監(jiān)控裝置、導(dǎo)線弧預(yù)警裝置、輸電線路弧在線監(jiān)測系統(tǒng) 產(chǎn)品型號:TLKS-PMG-HC 一、產(chǎn)品描述: ?在電力傳輸?shù)膹V袤網(wǎng)絡(luò)中,每一條輸電線
2025-02-13 09:38:01540

2.5D集成電路的Chiplet布局設(shè)計(jì)

隨著摩爾定律接近物理極限,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向2.5D和3D集成電路等新型技術(shù)方向發(fā)展。在2.5D集成技術(shù)中,多個Chiplet通過微凸點(diǎn)、硅通孔和重布線層放置在中介層上。這種架構(gòu)在異構(gòu)集成方面具有優(yōu)勢,但同時(shí)在Chiplet布局優(yōu)化和溫度管理方面帶來了挑戰(zhàn)[1]。
2025-02-12 16:00:062195

混合鍵合中的銅連接:或成摩爾定律救星

混合鍵合3D芯片技術(shù)拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸,芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里,一項(xiàng)涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項(xiàng)技術(shù)被稱為“混合鍵合”,可以
2025-02-09 09:21:431230

實(shí)時(shí)監(jiān)測,即時(shí)預(yù)警:特力康輸電線路導(dǎo)線弧預(yù)警裝置助力安全

輸電線路的導(dǎo)線弧變化對地面距離的影響顯著,給電網(wǎng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行帶來了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。為此,特力康公司創(chuàng)新推出了TLKS-PMG-HC輸電線路導(dǎo)線弧預(yù)警裝置,該系統(tǒng)融合智能科技,實(shí)現(xiàn)對弧狀態(tài)的持續(xù)監(jiān)控,為電網(wǎng)安全提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。
2025-02-08 14:19:08751

使用安森美圖像傳感器優(yōu)化視覺系統(tǒng)設(shè)計(jì)

現(xiàn)代圖像傳感器在工廠自動化、視頻會議、監(jiān)控、智能門鈴和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等眾多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了越來越多的強(qiáng)大視覺系統(tǒng)功能。摩爾定律及其推論推動了更節(jié)省空間、性能更好的 CMOS 圖像傳感器和處理器的發(fā)展。現(xiàn)在
2025-02-07 10:06:041015

摩爾線程宣布成功部署DeepSeek蒸餾模型推理服務(wù)

。 據(jù)悉,DeepSeek開源模型在多語言理解與復(fù)雜推理任務(wù)中一直表現(xiàn)出卓越的性能,其V3、R1等系列模型更是備受業(yè)界關(guān)注。此次摩爾線程所實(shí)現(xiàn)的DeepSeek蒸餾模型推理服務(wù)部署,正是基于這些優(yōu)秀模型的基礎(chǔ)上進(jìn)行的。 通過DeepSeek提供的蒸餾技術(shù),摩
2025-02-06 13:49:421230

雪崩失效和過壓擊穿哪個先發(fā)生

在電子與電氣工程領(lǐng)域,雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式,它們對電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的,但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文深入探討雪崩失效與過壓擊穿的發(fā)生順序、機(jī)制、影響因素及預(yù)防措施,為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。
2025-01-30 15:53:001271

整流二極管失效分析方法

整流二極管失效分析方法主要包括對失效原因的分析以及具體的檢測方法。 一、失效原因分析 防雷、過電壓保護(hù)措施不力 : 整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置,或保護(hù)裝置工作不可靠,可能因雷擊或過電壓損壞
2025-01-15 09:16:581589

石墨烯互連技術(shù):延續(xù)摩爾定律的新希望

半導(dǎo)體行業(yè)長期秉持的摩爾定律(該定律規(guī)定芯片上的晶體管密度大約每兩年應(yīng)翻一番)越來越難以維持??s小晶體管及其間互連的能力正遭遇一些基本的物理限制。特別是,當(dāng)銅互連按比例縮小時(shí),其電阻率急劇上升,這會
2025-01-09 11:34:38958

如何有效地開展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開裂、環(huán)境應(yīng)力開裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機(jī)理,有助于工程師
2025-01-09 11:01:46995

摩爾定律是什么 影響了我們哪些方面

摩爾定律是由英特爾公司創(chuàng)始人戈登·摩爾提出的,它揭示了集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每18-24個月增加一倍的趨勢。該定律不僅推動了計(jì)算機(jī)硬件的快速發(fā)展,也對多個領(lǐng)域產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
2025-01-07 18:31:103464

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