功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說(shuō)明.
2022-05-19 09:08:06
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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2024-12-03 01:03:291828 
在因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功率器件相關(guān)原因所引起電子系統(tǒng)失效的原因中，有超過(guò)50%是因?yàn)闇囟冗^(guò)高導(dǎo)致的熱失效。結(jié)溫過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電子系統(tǒng)性能降低、可靠性降低、壽命降低、引發(fā)器件結(jié)構(gòu)內(nèi)部的缺陷。隨著器件小尺寸化、高集成化
2024-07-05 10:22:598729 
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列
2024-10-22 08:01:582246 樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證
2024-12-16 17:22:251565 MOSFET的熱阻（Rth）用來(lái)表征器件散熱的能力，即芯片在工作時(shí)內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過(guò)程中所遇到的阻力，單位是℃/W，其值越小越好。
2025-06-03 15:30:161915 
熱阻(Thermal Resistance)表示熱量在傳遞過(guò)程中所受到的阻力，為傳熱路徑上的溫差與熱量的比值。根據(jù)傳熱方式的不同，熱阻又分為導(dǎo)熱熱阻、對(duì)流換熱熱阻和輻射換熱熱阻。
2025-11-27 09:28:221676 
。這兩個(gè)參數(shù)可以通過(guò)如下兩個(gè)公式獲得，重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，與功耗溫度曲線密切相關(guān)的重要參數(shù)熱阻，是材料和尺寸或者表面積的函數(shù)。隨著結(jié)溫的升高，允許的功耗會(huì)隨之降低。根據(jù)最大結(jié)溫和熱阻，可以推算出MOSFET可以
2018-07-12 11:34:11
MOSFET 而言，其最大功率損耗是由溫度及結(jié)-包裝外殼間之熱阻所決定的，即：
由上式可知，若能夠有效減少熱阻，則 Power MOSFET 所能承受之的最大功率損耗就可以獲得提升。圖 1 為
2025-03-24 15:03:44
MOSFET的耐壓、電流特性和熱阻特性，來(lái)理解功率MOSFET的安全工作區(qū)SOA曲線。它定義了最大的漏源極電壓值、漏極電流值，以保證器件在正向偏置時(shí)安全的工作，如下圖，SOA曲線左上方的邊界斜線，受漏源極
2016-10-31 13:39:12
MOSFET數(shù)據(jù)表都包括一組熱電阻數(shù)字，以便為客戶提供器件熱性能的參考點(diǎn)。功率MOSFET數(shù)據(jù)表中提供的最常見(jiàn)的兩種熱電阻是結(jié)到環(huán)境和結(jié)到管殼的熱阻抗。結(jié)到管殼的熱電阻定義為“從半導(dǎo)體器件的工作部分到封裝外部
2018-10-18 09:13:03
時(shí)的損耗：阻性關(guān)斷的損耗和上面過(guò)程相類似，二者相加，就是阻性開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的總的開關(guān)損耗。功率MOSFET所接的負(fù)載、變換器輸出負(fù)載和變換器所接的輸出負(fù)載是三個(gè)完全不同的概念，下面以BUCK變換器為例來(lái)說(shuō)
2016-12-16 16:53:16
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測(cè)量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進(jìn)行測(cè)量，實(shí)際應(yīng)用中，源
2025-11-19 06:35:56
阻，減小熱阻。這種結(jié)構(gòu)是AOS的專利技術(shù)，目前AOS新一代的低、中壓的功率MOSFET，廣泛的采用這種結(jié)構(gòu)，如AON6262E/AO4262E，就是采用這種技術(shù)，專門針對(duì)手機(jī)快沖QC的副邊同步整流SSR
2016-10-10 10:58:30
功率型LED熱阻測(cè)量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測(cè)量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
電流強(qiáng)度的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)頻率，從而提高效率，從而改善新的電動(dòng)汽車型號(hào)的驅(qū)動(dòng)范圍。符合 TI 功能安全標(biāo)準(zhǔn)的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅(qū)動(dòng)器附帶大量設(shè)計(jì)支持工具，可幫助實(shí)現(xiàn)。
2022-11-02 12:02:05
壓分別從12.6V，19.1V下降到 6.07V，7.5V；導(dǎo)通損耗下降到常規(guī)MOSFET的1/2和1/3。由于導(dǎo)通損耗的降低，發(fā)熱減少，器件相對(duì)較涼，故稱COOLMOS?！ ?、封裝的減小和熱阻的降低
2023-02-27 11:52:38
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡(jiǎn)稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
%的電能轉(zhuǎn)換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關(guān)注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高，LED熱效應(yīng)越明顯，因熱效應(yīng)而導(dǎo)致的問(wèn)題也突顯出來(lái)，例如，芯片高溫的紅移現(xiàn)象；結(jié)溫
2015-07-29 16:05:13
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
器件的系統(tǒng)時(shí)，電路設(shè)計(jì)人員應(yīng)該注意以下的熱因素： l 即使完全打開，MOSFET也會(huì)因?yàn)镮2.R而耗散功率。（RDS（on）為器件導(dǎo)通電阻） l I2.RDS（on）損失將導(dǎo)致器件和其他地方的溫度
2023-04-20 16:49:55
影響。Figure 1： TPS543820 Thermal Information因此，我們需要對(duì)項(xiàng)目中重點(diǎn)電源器件進(jìn)行實(shí)際熱阻測(cè)量，尤其是在高溫應(yīng)用場(chǎng)景下，以避免設(shè)計(jì)問(wèn)題導(dǎo)致的芯片可靠性降低甚至無(wú)法正常工作。板上
2022-11-03 06:34:11
請(qǐng)教各位大蝦一個(gè)問(wèn)題，SMA，SMAJ與SMB封裝除了尺寸不同之外，它們的熱阻有沒(méi)有什么區(qū)別?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB熱阻的區(qū)別)
2013-08-25 22:47:42
，最大功率是208WRjc是0.6℃/W降額曲線圖的公式P=（Tj-Tc）/RjcTa≥25℃，P=PmaxTc＜25℃。2、加了散熱器但是散熱器是有限的情況，并且接觸MOSFET與散熱器接觸是有熱阻的情況
2021-09-08 08:42:59
RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過(guò)上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在25℃的情況下，管子能承受的功率：，P
2021-09-01 17:10:32
減少開關(guān)損耗。 圖2全部絕對(duì)最大電流和功率數(shù)值都是真實(shí)的數(shù)據(jù) 圖3MOSFET在施加功率脈沖情況下的熱阻實(shí)際上，我們可以把MOSFET選型分成四個(gè)步驟。 選好額定電流后，還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況
2019-09-04 07:00:00
的熱阻，熱阻通道成串聯(lián)關(guān)系。LED燈具作為新型節(jié)能燈具在照明過(guò)程中只是將30-40%的電能轉(zhuǎn)換成光，其余的全部變成了熱能，熱能的存在促使我們金鑒必須要關(guān)注LED封裝器件的熱阻。一般，LED的功率越高
2015-07-27 16:40:37
)對(duì) Power MOSFET 而言，其最大功率損耗是由溫度及結(jié)-包裝外殼間之熱阻所決定的，即：
由上式可知，若能夠有效減少熱阻，則 Power MOSFET 所能承受之的最大功率損耗就可以獲得提升。圖 1
2025-03-06 15:59:14
的RDS（ON）與它的結(jié)溫（TJ）有關(guān)。話說(shuō)回來(lái)，TJ又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻（ΘJA）。這樣，似乎很難找到一個(gè)著眼點(diǎn)。由于功率耗散的計(jì)算涉及到若干個(gè)相互依賴的因素，我們
2023-03-16 15:03:17
結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過(guò)上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在25
2021-08-16 11:07:10
現(xiàn)在需要測(cè)IGBT的熱阻，我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后，突然切斷大的電流源，看他在100ma下的vce變化（已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關(guān)系），然后將測(cè)試到的vce
2017-09-29 10:40:46
400LFM。圖2b給出了電路板上表面和元件的溫度。具有較高溫度的元件是穩(wěn)壓器中的MOSFET?！ ‘?dāng)把每個(gè)關(guān)鍵元件組的最大溫度的仿真結(jié)果與測(cè)試結(jié)果對(duì)比時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)它們具有很好的一致性?！ p少電路板走線
2018-11-22 16:26:17
的RDS（ON）與它的結(jié)溫（TJ）有關(guān)。話說(shuō)回來(lái)，TJ又依賴于MOSFET的功率耗散以及MOSFET的熱阻（ΘJA）。這樣，似乎很難找到一個(gè)著眼點(diǎn)。由于功率耗散的計(jì)算涉及到若干個(gè)相互依賴的因素，我們
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
隨著電子設(shè)備功率密度的增加，系統(tǒng)的熱管理變得越來(lái)越重要。導(dǎo)熱界面材料（TIMs）在降低接觸熱阻、提高熱量傳遞效率方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文分析了導(dǎo)熱界面材料的工作原理及其對(duì)接觸熱阻的影響，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)
2024-11-04 13:34:02
有什么方法可以降低IC封裝的熱阻嗎？求解
2021-06-23 07:24:48
MOSFET通過(guò)降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時(shí)
2012-12-06 14:32:55
，器件結(jié)到環(huán)境的熱阻通常近似為：RqJA=RqJC+RqCA。熱阻確定了就可以用公式計(jì)算功率MOSFET的電流值連續(xù)漏極電流ID，當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，計(jì)算ID的值相應(yīng)也會(huì)降低。裸露銅皮的封裝，使用RqJC
2016-08-15 14:31:59
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOSFET施加
2011-08-17 14:18:59
本文根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于電學(xué)參數(shù)法測(cè)功率三極管熱阻的原理，在虛擬儀器技術(shù)平臺(tái)上，設(shè)計(jì)了一套簡(jiǎn)單實(shí)用的功率三極管熱阻測(cè)試系統(tǒng)。論述了熱阻測(cè)試系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)原理
2009-07-30 09:54:10
11 本文闡明了強(qiáng)化換熱器傳熱過(guò)程的最主要途徑是降低關(guān)鍵熱阻，分析了各種情況下的關(guān)鍵熱阻，并對(duì)如何降低關(guān)鍵熱阻提出了具體的措施。
2010-08-14 17:44:120 摘 要： LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測(cè)量功率LED熱阻的新方法，
2010-12-23 17:28:3523 熱阻測(cè)試儀_陜西天士立ST-HeatX_平替進(jìn)口。產(chǎn)品符合JESD 51-1、JESD 51-14標(biāo)準(zhǔn)，可輸出結(jié)構(gòu)函數(shù)，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC
2024-08-01 14:44:53
Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52672 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31555 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:051039 TI推出通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)
2010-01-22 09:40:491194 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相
2010-01-26 16:55:081099 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:571007 TI推出多核SoC顯著簡(jiǎn)化通信基礎(chǔ)局端設(shè)備的設(shè)計(jì)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款基于 TI 多核數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 的新型片上系統(tǒng) (SoC) 架構(gòu)，該架構(gòu)在業(yè)界性能最高
2010-02-23 16:46:14938 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181779 通過(guò)對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電流下各種顏色LED 結(jié)溫和熱阻測(cè)量, 發(fā)現(xiàn)各種顏色LED 的熱阻值均隨驅(qū)動(dòng)電流的增 加而變大, 其中基于InGaN 材料的藍(lán)光和白光LED 工作在小于額定電流下時(shí), 熱阻上升迅速; 驅(qū)動(dòng)電流大于額定電 流時(shí), 熱阻上升速率變緩。其他顏色LED 熱阻隨驅(qū)動(dòng)電
2011-03-15 10:21:5363 主要闡述了采用大功率MOSFET管功率放大器熱設(shè)計(jì)的原則、方法和步驟，結(jié)合具體的工程應(yīng)用，介紹了多種冷卻降溫措施，重點(diǎn)突出了散熱器的理論計(jì)算過(guò)程.
2011-05-23 17:00:27100 熱阻公式中，Tcmax =Tj - P*Rjc 的公式是在假設(shè)散熱片足夠大而且接觸足 夠 良好的情況下才 成 立的，否則還應(yīng)該 寫成 Tcmax =Tj - P*（Rjc+Rcs+Rsa
2016-03-15 10:58:270 DC_DC電源管理應(yīng)用中的功率MOSFET的熱分析方法
2017-01-14 12:32:1316 集中參數(shù)熱路模型通常將功率器件和散熱器視為整體，一般情況下功率器件熱阻遠(yuǎn)小于散熱器熱阻，則功率器件熱阻相對(duì)于散熱器熱阻可被忽略(即畢渥數(shù)Bi
2018-03-15 09:14:145507 
ADC中的電源設(shè)計(jì)—如何測(cè)量熱阻
2018-08-14 01:08:0015279 導(dǎo)熱硅膠片在電子產(chǎn)品應(yīng)用中有著很好的導(dǎo)熱效果，而熱阻是導(dǎo)熱材料重要的性能指標(biāo)，降低熱阻能提升導(dǎo)熱硅膠片的使用性能，哪些因素會(huì)影響導(dǎo)熱硅膠片的熱阻呢？ 熱阻是材料在阻止熱量傳導(dǎo)過(guò)程中的一個(gè)綜合性的效能
2020-04-01 15:01:532533 現(xiàn)在讓我們進(jìn)入熱設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)話題。熱設(shè)計(jì)所需的知識(shí)涵蓋了廣泛的領(lǐng)域。首先介紹一下至少需要了解的熱阻和散熱基礎(chǔ)知識(shí)。 什么是熱阻 熱阻是表示熱量傳遞難易程度的數(shù)值。是任意兩點(diǎn)之間的溫度差除以兩點(diǎn)之間
2021-03-04 17:18:256638 功率半導(dǎo)體器件風(fēng)冷散熱器熱阻計(jì)算方法。
2021-04-28 14:35:2645 熱阻即熱量在熱流路徑上遇到的阻力，反映介質(zhì)或介質(zhì)間的傳熱能力的大小，表明了1W熱量所引起的溫升大小，單位為℃/W或K/W。可以用一個(gè)類比來(lái)解釋，如果熱量相當(dāng)于電流，溫差相當(dāng)于電壓，則熱阻相當(dāng)于電阻
2021-05-26 15:45:154025 
硬件的小伙伴應(yīng)該都有“燒設(shè)備”的經(jīng)歷，芯片摸上去溫溫的，有的甚至燙手。 所以有些芯片在正常工作時(shí)，功耗很大，溫度也很高，需要涂散熱材料。 今天我們來(lái)聊下芯片的散熱/發(fā)熱、熱阻、溫升、熱設(shè)計(jì)等概念
2021-06-02 17:42:0025310 接下來(lái)接著看12N50數(shù)據(jù)手冊(cè)。 上面這個(gè)參數(shù)是MOSFET的熱阻，RBJC 表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式： ，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大
2021-08-13 16:54:4118859 
本文將介紹上一篇文章中提到的實(shí)際熱阻數(shù)據(jù)θJA和ΨJT的定義。 θJA和ΨJT的定義 先溫習(xí)一下上一篇中的部分內(nèi)容： ● θJA（℃/W）：結(jié)點(diǎn)-周圍環(huán)境間的熱阻 ● ΨJT（℃/W）：結(jié)點(diǎn)-封裝上表面
2021-10-19 10:50:457875 
Nexperia全新POWER MOSFET工程師設(shè)計(jì)指南 認(rèn)識(shí)理解功率 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù) 功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩強(qiáng)度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設(shè)
2022-04-07 11:40:220 為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本，小型化和高功率密度成為了近年來(lái)DCDC和LDO的發(fā)展趨勢(shì)，這也對(duì)方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比較成功的中壓DCDC TPS543820，闡述板上POL的熱阻測(cè)量方法及SOA評(píng)估方法。
2022-07-01 09:48:062425 
其中，RJC表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻；RCS表示外殼至散熱片的熱阻；RSA表示散熱片到環(huán)境的熱阻。
2022-08-19 15:26:5511850 
LED鋁基板的熱阻
2022-11-08 16:21:254 LFPAK MOSFET熱阻——PCB布局的仿真、測(cè)試和優(yōu)化-AN90019
2023-02-17 19:51:275 隨著功率器件封裝逐漸面向大電流、小型化，產(chǎn)品的散熱性能顯得尤為重要。熱設(shè)計(jì)在IGBT選型和應(yīng)用過(guò)程中至關(guān)重要，關(guān)
系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問(wèn)題，而模塊的熱阻和熱阻抗是系統(tǒng)散熱評(píng)估環(huán)節(jié)
2023-02-23 16:11:229 為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本，小型化和高功率密度成為了近年來(lái)DCDC和LDO的發(fā)展趨勢(shì)，這也對(duì)方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比較成功的中壓DCDC TPS543820，闡述板上POL的熱阻測(cè)量方法及SOA評(píng)估方法。
2023-03-15 10:14:471497 
結(jié)點(diǎn)溫度的計(jì)算方法2：根據(jù)周圍溫度（瞬態(tài)熱阻） 在 “1. 根據(jù)周邊溫度（基本）” 中，考慮了連續(xù)施加功率時(shí)的例子。 接著，考慮由于瞬間施加功率引起的溫度上升。 由于瞬間施加功率引起的溫度上升用瞬態(tài)
2023-03-23 17:06:133499 
SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來(lái)越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì)，盡可能降低
2022-11-30 15:28:285428 
在現(xiàn)代工業(yè)和科學(xué)領(lǐng)域中，熱阻濕阻測(cè)試儀是一種重要的儀器設(shè)備，用于評(píng)估材料和設(shè)備的熱阻和濕阻性能。它通過(guò)測(cè)量熱量和濕氣的傳導(dǎo)、傳遞和耗散來(lái)了解材料的熱性能、絕緣性能以及潮濕環(huán)境下的阻抗能力等關(guān)鍵參數(shù)
2023-06-29 14:07:534528 
適用范圍：通過(guò)模擬人體皮膚產(chǎn)生的熱量和水蒸氣穿透織物的過(guò)程，在穩(wěn)定的溫濕度環(huán)境下，測(cè)試多種材料的熱阻及濕阻值。可用于織物、薄膜、涂層、泡沫、皮革及多層復(fù)合材料等的熱阻濕阻測(cè)試，如衣物，棉被，保暖服裝
2023-06-29 14:49:321087 
，對(duì)器件通電狀態(tài)下的溫度場(chǎng)進(jìn)行計(jì)算，討論空洞對(duì)于熱阻的影響。有限元仿真結(jié)果表明，隨著芯片粘接層空洞越大，器件熱阻隨之增大，在低空洞率下，熱阻增加緩慢，高空洞率下，熱阻增加更明顯；總空洞率一致時(shí)，不同位置空洞對(duì)應(yīng)器件熱阻的關(guān)
2024-02-02 16:02:541625 
PCB（印刷電路板）的基本熱阻是指阻礙熱量從發(fā)熱元件傳遞到周圍環(huán)境的能力。熱阻越低，散熱效果越好。在設(shè)計(jì)和制造PCB時(shí)，了解和優(yōu)化熱阻對(duì)于保證電子元件的正常工作和延長(zhǎng)其使用壽命至關(guān)重要。 PCB熱阻
2024-01-31 16:43:252210 已全部加載完成
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