HD1000是Speedster22i FPGA產(chǎn)品家族的首個(gè)成員。該器件采用英特爾領(lǐng)先的22nm 3D Tri-Gate晶體管技術(shù)，其功耗是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類器件的一半。
2013-03-04 13:47:58
3571 2018年5月—基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器器件及嵌入式FPGA（eFPGA）領(lǐng)域內(nèi)領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司（Achronix Semiconductor
2018-05-03 09:05:577542 工藝設(shè)計(jì)與優(yōu)化應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路（硅柵、鋁柵CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特種器件、光電子器件、半導(dǎo)體傳感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
半導(dǎo)體產(chǎn)品的集成度和成本一直在按照摩爾定律演進(jìn)。在這方面，作為半導(dǎo)體產(chǎn)品的重要一支———可編程邏輯器件也不例外?！白?b class="flag-6" style="color: red">先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝幾乎都會(huì)在第一時(shí)間被應(yīng)用在FPGA產(chǎn)品上?！彬E龍科技公司
2019-10-29 06:02:53
。
集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接
2024-03-28 17:41:58
circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路
2023-02-23 15:24:55
本人接觸質(zhì)量工作時(shí)間很短，經(jīng)驗(yàn)不足，想了解一下，在半導(dǎo)體行業(yè)中，由于客戶端使用問題造成器件失效，失效率為多少時(shí)會(huì)接受客訴
2024-07-11 17:00:18
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
半導(dǎo)體器件相關(guān)超級(jí)群94046358，歡迎加入！涉及半導(dǎo)體器件及其制造工藝及原料，有興趣的兄弟姐妹們加入了，500人的大家庭等著你...
2011-05-01 07:57:09
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
怎樣通過ASV技術(shù)去生成準(zhǔn)確的3D深度圖？采用艾邁斯半導(dǎo)體的ASV技術(shù)有什么特點(diǎn)？
2021-07-09 06:25:46
可靠性保駕護(hù)航！
一、嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)微，鑄就精準(zhǔn)測(cè)試之魂
BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)采用先進(jìn)的高精度傳感器和精密的測(cè)量算法，如同擁有一雙“火眼金睛”，能夠?qū)?Si/SiC/GaN 等各類材料
2025-10-10 10:35:17
此P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝已針對(duì)r
2024-06-20 20:19:51
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:41:49
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學(xué)工業(yè)工程研究所/微電子發(fā)展中心，上海 200093）摘要：由于半導(dǎo)體制造工藝過程的復(fù)雜性，一般很難建立其制造模型，不能對(duì)工藝過程狀態(tài)有效地監(jiān)控，所以迫切需要先進(jìn)
2018-08-29 10:28:14
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，日本知名網(wǎng)絡(luò)/IPTV服務(wù)商N(yùn)TT Plala株式會(huì)社于4月17日推出的新一代先進(jìn)機(jī)頂盒采用了意法半導(dǎo)體Orly 系統(tǒng)級(jí)
2013-09-22 11:35:00
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布，日本知名網(wǎng)絡(luò)/IPTV服務(wù)商N(yùn)TT Plala株式會(huì)社于4月17日推出的新一代先進(jìn)機(jī)頂盒采用了意法半導(dǎo)體Orly 系統(tǒng)級(jí)
2013-11-08 10:36:06
的穩(wěn)定器或調(diào)平器。出色的精度穩(wěn)定性和耐用性使其非常適用于高靈敏度角度傳感器和安全傳感器，以及高端數(shù)碼相機(jī)（DSC）的拍照防抖系統(tǒng)。意法半導(dǎo)體的10年供貨承諾保證了工業(yè)設(shè)備中廣泛使用的各種高性能元器件
2018-05-28 10:23:37
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受
2019-02-26 17:04:37
自動(dòng)參數(shù)提取和優(yōu)化、模型驗(yàn)證等，支持所有的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SPICE模型和常用的私有模型。BSIMProPlus為全球先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā)和高端集成電路設(shè)計(jì)提供了精準(zhǔn)和高效的SPICE模型建立、定制和驗(yàn)證
2020-07-01 09:36:55
隨著國產(chǎn)FPGA的崛起，中低端產(chǎn)品中，很多國產(chǎn)FPGA都是不錯(cuò)的選擇，性價(jià)比很高。高端FPGA中，往往還是以AMD和Intel為主，但最近這幾年，Achronix公司的FPGA異軍突起，在高端
2024-04-24 15:09:48
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場(chǎng)效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，正式推出全國產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4GbSPINANDFlash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到
2020-11-26 06:29:11
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
半導(dǎo)體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點(diǎn)。只要增加金屬和介質(zhì)疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe半導(dǎo)體技術(shù)集成高質(zhì)量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設(shè)計(jì)器件隨溫度的行為
2016-09-15 11:28:41
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
問個(gè)菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
通過采用艾邁斯半導(dǎo)體主動(dòng)降噪（ANC） 器件 AS3460，Bang & Olufsen的最新旗艦耳機(jī)H95可實(shí)現(xiàn)一流的聽覺享受 中國，2020年9月10日——全球領(lǐng)先的高性能傳感器
2020-11-23 15:52:05
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
以前很多人認(rèn)為，半導(dǎo)體器件只會(huì)在太空應(yīng)用中受到輻射的影響，但是隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，很多地面的應(yīng)用也會(huì)受到輻射的影響。 不同的輻射效應(yīng)和對(duì)FPGA的影響也不同。
2019-10-12 07:39:35
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
半導(dǎo)體器件物理與工藝的主要內(nèi)容：第一章 能帶與載流子濃度第二章 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象第三章 p-n結(jié)第四章 雙極型器件第五章 單極型器件第六章 微波器件第七章
2009-07-22 12:07:59
0 Achronix半導(dǎo)體公司宣布：該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán)，并計(jì)劃開發(fā)最先進(jìn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29793 本手冊(cè)包括:物理常數(shù)、常用元素、雜質(zhì)及擴(kuò)散源、電熱材料、工藝安全、管殼外形標(biāo)準(zhǔn)化等半導(dǎo)體器件制造工藝常用數(shù)據(jù)手冊(cè)
2011-12-15 16:03:28138 萊迪思半導(dǎo)體公司(NASDAQ: LSCC)近日宣布，即可獲取增加至非常成功的LatticeECP3?FPGA系列的低功耗、高速和迷你封裝器件。
2012-02-04 09:59:341019 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)產(chǎn)品。
2012-04-24 15:42:201296 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051560 Achronix的高端視點(diǎn)： Speedster22i 功耗和成本僅為28nm高端FPGA的一半 Speedster22i 集成業(yè)界最好的、經(jīng)芯片驗(yàn)證過的硬核IP Achronix的發(fā)展趨勢(shì)： Speedster22i 有針對(duì)不同目標(biāo)應(yīng)用的兩個(gè)產(chǎn)品系列
2012-05-25 11:38:062726 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ： 作為一家提供高性能、高密度FPGA解決方案的Achronix半導(dǎo)體公司通過為芯片公司提供其FPGA技術(shù)許可證也已經(jīng)逐步進(jìn)入了SoC市場(chǎng)。電子發(fā)燒友網(wǎng)小編將帶你來領(lǐng) Achronix是
2012-10-08 12:25:571675 英特爾在4月23日正式發(fā)布Ivy Bridge處理器。Ivy Bridge是英特爾首款22nm工藝處理器，采用革命性的三柵極3D晶體管工藝制造。緊隨其后，美國FPGA廠商Achronix在次日便宣布發(fā)布全球首款22nm工藝
2013-01-16 16:55:131962 先進(jìn)工藝制程成本的變化是一個(gè)有些爭(zhēng)議的問題。成本問題是一個(gè)復(fù)雜的問題，有許多因素會(huì)影響半導(dǎo)體制程成本。本文將討論關(guān)于半導(dǎo)體制程的種種因素以及預(yù)期。 晶圓成本 影響半導(dǎo)體工藝制程成本的第一個(gè)因素是晶圓成本。 毫無疑問，晶圓成本在不斷上升。
2016-12-20 02:14:112784 
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝。現(xiàn)在，情況已不
2017-12-05 13:42:169 Achronix 今日宣布為其eFPGA IP解決方案推出Speedcore custom blocks定制單元塊。Achronix Speedcore eFGPA嵌入式FPGA可加速數(shù)據(jù)密集的人
2018-01-22 16:42:011116 美國加利福尼亞州圣克拉拉市--2018年1月19日—基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器器件和嵌入式FPGA（eFPGA）硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司
2018-01-22 16:46:012180 基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器器件和嵌入式FPGA（eFPGA）領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司（Achronix Semiconductor Corporation）日前宣布：與專注于下一代無線通信加速的半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）企業(yè)AccelerComm有限公司達(dá)成合作。
2018-03-30 12:22:399852 國內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱：高云半導(dǎo)體），宣布推出小封裝、超低功耗的FPGA家族新成員GW1NZ系列。GW1NZ秉承高云半導(dǎo)體一貫的創(chuàng)新設(shè)計(jì)并采用目前世界上最先進(jìn)的超低功耗、嵌入式閃存工藝，旨在提供最適用于移動(dòng)及可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的全新FPGA解決方案。
2018-10-29 16:05:0116306 Achronix在他們最新推出的第四代eFPGA產(chǎn)品Speedcore Gen4 eFPGA IP時(shí)，除了TSMC 7nm工藝所產(chǎn)生的對(duì)標(biāo)聯(lián)想外，其在設(shè)計(jì)方法上也走了更多。
2018-11-30 14:37:333391 該組項(xiàng)目將使研究機(jī)構(gòu)和公司能夠使用Achronix高性能Speedcore eFPGA技術(shù)快速構(gòu)建低成本測(cè)試芯片
2018-12-01 08:25:373637 基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器器件和高性能嵌入式FPGA半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（eFPGA IP）領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司日前宣布：公司推出兩個(gè)全新的項(xiàng)目，以支持研究機(jī)構(gòu)、聯(lián)盟
2018-12-24 14:47:291459 美國加州圣克拉拉市， 2019年 5月 21日—基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器件和高性能嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司
2019-05-23 15:28:54982 過驗(yàn)證的經(jīng)驗(yàn)。在過去的十年，Achronix一直專注于高端FPGA的研發(fā)和銷售，高性能數(shù)據(jù)加速，包括高性能計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)處理加速等。5月22日，Achronix在北京舉辦媒體交流會(huì)并推出突破性FPGA——Speedster 7t系列，專注AI/機(jī)器學(xué)習(xí)和高帶寬應(yīng)用。
2019-06-09 16:38:001184 近日，基于FPGA的硬件加速器件和高性能嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司推出了創(chuàng)新性的Speedster7t FPGA系列產(chǎn)品，以其具有ASIC一樣的性能，還可簡化設(shè)計(jì)的FPGA靈活性和增強(qiáng)功能，從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越傳統(tǒng)的FPGA解決方案。
2019-05-27 14:13:044440 
5月22日?qǐng)?bào)道，今天，美國eFPGA IP企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司在京發(fā)布其全新Speedster7t FPGA系列產(chǎn)品，基于一種高度優(yōu)化的全新架構(gòu)，采用臺(tái)積電7nm FinFET工藝制造，主要針對(duì)AI/ML、高帶寬數(shù)據(jù)、網(wǎng)絡(luò)處理等方面加速。
2019-06-10 17:50:301580 
基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的硬件加速器件和高性能嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司已加入臺(tái)積電IP聯(lián)盟計(jì)劃
2019-09-27 12:14:071040 近日，基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）的數(shù)據(jù)加速器件和高性能嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)Achronix半導(dǎo)體公司，與Molex旗下的一家領(lǐng)先企業(yè)級(jí)FPGA加速器產(chǎn)品供應(yīng)商BittWare今日聯(lián)合宣布：推出一類全新的、面向高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)加速應(yīng)用的FPGA加速卡。
2019-10-31 15:11:331229 Achronix半導(dǎo)體公司與Mo-lex旗下FPGA加速器產(chǎn)品供應(yīng)商BittWare聯(lián)合推出全新的、面向高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)加速應(yīng)用的FPGA加速卡，可實(shí)現(xiàn)云計(jì)算與邊緣計(jì)算加速，助力高帶寬應(yīng)用。
2019-11-08 15:07:23910 Molex旗下的 BittWare 公司是一家領(lǐng)先的企業(yè)級(jí) FPGA 加速卡產(chǎn)品的供應(yīng)商，產(chǎn)品適合各種高要求的計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)應(yīng)用使用，公司宣布已經(jīng)與 Achronix 半導(dǎo)體公司達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)作關(guān)系
2019-11-19 15:03:11930 Achronix半導(dǎo)體公司日前宣布將參加由知名行業(yè)媒體EETimes主辦的IoT和5G全球大會(huì)（IoT and 5G World）。作為高性能現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門陣列（FPGA）產(chǎn)品和嵌入式FPGA
2021-06-22 11:57:062185 摘要：萊迪思(Lattice )半導(dǎo)體公司在這應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎(chǔ)上，日前又推出采用富士通公司先進(jìn)的低功耗工藝，目前業(yè)界首款最低功耗與價(jià)格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術(shù)的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:241208 以提供可適用于多種工藝的eFPGA IP解決方案的領(lǐng)先提供商，Achronix還給用戶提供統(tǒng)一的開發(fā)工具，既支持其高端FPGA芯片的開發(fā)設(shè)計(jì)，也支持eFPGA IP的開發(fā)設(shè)計(jì)。Achronix近日再次以其
2023-08-02 17:25:051546 
小片，以便進(jìn)行后續(xù)的制造和封裝過程。晶圓劃片工藝的應(yīng)用包括但不限于半導(dǎo)體材料、太陽能電池、半導(dǎo)體器件、光學(xué)器件等。封裝劃片：在半導(dǎo)體封裝過程中，需要對(duì)封裝材料進(jìn)行
2023-09-18 17:06:191855 
全球領(lǐng)先的高性能現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）和嵌入式FPGA（eFPGA）半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）提供商Achronix Semiconductor公司宣布，該公司將參加由私募股權(quán)和風(fēng)
2024-03-01 10:38:441412 Achronix半導(dǎo)體公司推出了為AI優(yōu)化的Speedster7t系列FPGA芯片，該系列包含專門針對(duì)AI工作負(fù)載的強(qiáng)化計(jì)算引擎。隨著AI在各個(gè)領(lǐng)域變得普遍，在FPGA芯片上部署AI應(yīng)用的需求促使了
2024-09-18 16:10:571536 
Chiplet （Hublet） 平臺(tái)的無晶圓廠半導(dǎo)體公司 Primemas 宣布合作，將 FPGA可編程性引入 Primemas 產(chǎn)品套件。Primemas為Primemas Hublet選擇了Achronix的Speedcore eFPGA IP，以支持需要可編程性和測(cè)試能力的組織。
2024-09-18 16:16:221320 Speedcore嵌入式FPGA（embedded FPGA，eFPGA）知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品是Achronix公司于2016年推出的顛覆性技術(shù)，并于當(dāng)年開始向最終客戶交付，目前出貨量已經(jīng)超過2500萬。
2024-11-15 14:28:101634 
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46706 
當(dāng)前全球半導(dǎo)體工藝水平已進(jìn)入納米級(jí)突破階段，各大廠商在制程節(jié)點(diǎn)、材料創(chuàng)新、封裝技術(shù)和能效優(yōu)化等方面展開激烈競(jìng)爭(zhēng)。以下是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平的詳細(xì)介紹： 一、制程工藝突破 英特爾18A（約
2025-10-15 13:58:161415
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