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二極管

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二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。

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二極管簡(jiǎn)介

  二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。

  早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。

  早期的二極管包含“貓須晶體(“Cat‘s Whisker” Crystals)”以及真空管(英國(guó)稱為“熱游離閥(Thermionic Valves)”)。現(xiàn)今最普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。

二極管百科

  二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。

  早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。

  早期的二極管包含“貓須晶體(“Cat‘s Whisker” Crystals)”以及真空管(英國(guó)稱為“熱游離閥(Thermionic Valves)”)?,F(xiàn)今最普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。

  工作原理

  晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的pn結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),pn結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

  1 二極管工作原理:二極管=PN結(jié)+馬甲兒

  在半導(dǎo)體性能被發(fā)現(xiàn)后,二極管成為了世界上第一種半導(dǎo)體器件,目前最常見的結(jié)構(gòu)是,在PN結(jié)上加上引線和封裝,就成為一個(gè)二極管,甚至可以說二極管實(shí)際上就是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的,因此二極管工作原理約等于PN的工作原理,小編從源頭講講二極管(PN結(jié))到底是怎么來的?

  1.1 二極管工作原理:二極管PN節(jié)的好哥倆:P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體

  我們一般根據(jù)導(dǎo)電能力(電阻率)的不同將物體來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。更通俗地講,完全純凈的、不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。主要常見代表有硅、鍺這兩種元素的單晶體結(jié)構(gòu)。但實(shí)際半導(dǎo)體不能絕對(duì)的純凈,這類半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。

  P型半導(dǎo)體

  如果我們?cè)诩児柚袚饺肷僭S的硼(最外層有3個(gè)電子),就反而少了1個(gè)電子,而形成一個(gè)空穴,這樣就形成P型半導(dǎo)體(少了1個(gè)帶負(fù)電荷的原子,可視為多了1個(gè)正電荷)。因三價(jià)雜質(zhì)原子在與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí),缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴。

  

  圖1.P型半導(dǎo)體的共價(jià)結(jié)構(gòu)

  在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,它主要由摻雜形成;自由電子是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成??昭ê苋菀追@電子,使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。

  N型半導(dǎo)體

  如果在純硅中摻雜少許的砷或磷(最外層有5個(gè)電子),就會(huì)多出1個(gè)自由電子,這樣就形成N型半導(dǎo)體,因五價(jià)雜質(zhì)原子中只有四個(gè)價(jià)電子能與周圍四個(gè)半導(dǎo)體原子中的價(jià)電子形成共價(jià)鍵,而多余的一個(gè)價(jià)電子因無共價(jià)鍵束縛而很容易形成自由電子,如圖1所示。

  

  圖2. N型半導(dǎo)體的共價(jià)結(jié)構(gòu)

  在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,它主要由雜質(zhì)原子提供;空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。

  1.2 PN結(jié)=P∩N(注:“∩”交集)

  在一塊完整的硅片上,用不同的摻雜工藝使其一邊形成N型半導(dǎo)體另一邊形成P型半導(dǎo)體后,兩種半導(dǎo)體的交界面附近的區(qū)域?yàn)镻N結(jié),如圖3所示。在空間電荷區(qū),由于缺少多子,所以也稱耗盡層。

  

  圖3.PN結(jié)原理圖

  PN結(jié)的每端都帶電子,這樣排列使電流只能從一個(gè)方向流動(dòng)。當(dāng)沒有電壓通過二極管時(shí),電子就沿著過渡層之間的匯合處從N型半導(dǎo)體流向P型半導(dǎo)體,從而形成一個(gè)耗盡區(qū)。在損耗區(qū)中,半導(dǎo)體物質(zhì)會(huì)回復(fù)到它原來的絕緣狀態(tài)--所有的這些“電子空穴”都會(huì)被填滿,所以就沒有自由電子,也就沒有電流流動(dòng)。

  2 二極管工作原理:二極管PN節(jié)的單向?qū)щ娞匦?--最最最最最重要!

  2.1二極管小實(shí)驗(yàn)

  在電子電路中,將二極管的正極(P區(qū))接在高電位端,負(fù)極(N區(qū))接在低電位端,二極管就會(huì)導(dǎo)通,這種連接方式稱為正向偏置。必須說明,當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí),二極管仍然不能導(dǎo)通,流過二極管的正向電流十分微弱。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,硅管約為0.6V)以后,二極管才能直正導(dǎo)通。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,硅管約為0.7V),稱為二極管的“正向壓降”。

  將二極管的正極(P區(qū))接在低電位端,負(fù)極(N區(qū))接在高電位端,此時(shí)二極管中幾乎沒有電流流過,此時(shí)二極管處于截止?fàn)顟B(tài),這種連接方式,稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時(shí),仍然會(huì)有微弱的反向電流流過二極管,稱為漏電流。當(dāng)二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值,反向電流會(huì)急劇增大,二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?,此時(shí)二極管被擊穿,這就是二極管的反向擊穿特性,將在下一節(jié)介紹。

  2.2 二極管上升到理論

  為了除掉耗盡區(qū),就必須使N型向P型移動(dòng)和空穴應(yīng)反向移動(dòng)。為了達(dá)到目的,將PN結(jié)N極連接到電源負(fù)極,P極連接到正極。這時(shí)在N型半導(dǎo)體的自由電子會(huì)被負(fù)極電子排斥并吸引到正極電子,在P型半導(dǎo)體的電子空穴就移向另一方向。當(dāng)電壓在電子之間足夠高的時(shí)候,在耗盡區(qū)的電子將會(huì)在它的電子空穴中和再次開始自由移動(dòng),耗盡區(qū)消失,電流流通過二極管,如圖4所示。

  

  圖4. PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況

  若P極接到電源負(fù)極,N型接到正極。這時(shí)電流將不會(huì)流動(dòng)。N型半導(dǎo)體的負(fù)極電子被吸引到正極電子。P型半導(dǎo)體的正極電子空穴被吸引到負(fù)極電子。因?yàn)殡娮涌昭ê碗娮佣枷蝈e(cuò)誤的方向移動(dòng),所以就沒有電流流通過匯合處,耗盡區(qū)增加,如圖5所示。

  

  圖5. PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況

  PN結(jié)V-I 特性表達(dá)式(伏安特性曲線如圖6所示)

  

  其中,IS ——反向飽和電流;

  VT ——溫度的電壓當(dāng)量;

  且在常溫下(T=300K)時(shí),

  

  

  圖6. PN結(jié)的伏安特性曲線

  2.3總結(jié)

  PN結(jié)加正向電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻,具有較大的正向擴(kuò)散電流;

  PN結(jié)加反向電壓時(shí),呈現(xiàn)高電阻,具有很小的反向漂移電流。

  PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?/p>

  3 二極管工作原理:二極管PN節(jié)的反向擊穿—大大的有用!

  當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí),反向電流突然快速增加,此現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。發(fā)生反向擊穿時(shí),在反向電流很大的變化范圍內(nèi),PN結(jié)兩端電壓幾乎不變,如圖7所示。反向擊穿分為電擊穿和熱擊穿,PN結(jié)熱擊穿后電流很大,電壓又很高,消耗在結(jié)上的功率很大,容易使PN結(jié)發(fā)熱,把PN結(jié)燒毀。熱擊穿是不可逆的。PN結(jié)電擊穿從其產(chǎn)生原因又可分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩種類型。

  

  圖7.PN結(jié)的反向擊穿

  雪崩擊穿

  當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。通過空間電荷區(qū)的電子和空穴,在電場(chǎng)作用下獲得的能量增大,在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子和空穴,將不斷地與晶體原子發(fā)生碰撞,當(dāng)電子和空穴的能量足夠大時(shí),通過這樣的碰撞,可使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子—空穴對(duì),這種現(xiàn)象稱為碰撞電離。新產(chǎn)生的電子和空穴與原有的電子和空穴一樣,在電場(chǎng)作用下,也向相反的方向運(yùn)動(dòng),重新獲得能量,又可通過碰撞,再產(chǎn)生電子—空穴對(duì),這就是載流子的倍增效應(yīng)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值后,載流子的倍增情況就像在陡峻的積雪山坡上發(fā)生雪崩一樣,載流子增加得多而快,使反向電流急劇增大,于是PN結(jié)就發(fā)生雪崩擊穿。

  雪崩擊穿多發(fā)生在雜質(zhì)濃度較低的二極管,一般需要比較高的電壓(》6V),擊穿電壓與濃度成反比。

  齊納擊穿

  在加有較高的反向電壓下,PN結(jié)空間電荷區(qū)中存在一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng),它能夠破壞共價(jià)鍵將束縛電子分離出來造成電子—空穴對(duì),形成較大的反向電流。發(fā)生齊納擊穿需要的電場(chǎng)強(qiáng)度約為2*105V/cm,這只有在雜質(zhì)濃度特別大的PN結(jié)中才能達(dá)到,因?yàn)殡s質(zhì)濃度大,空間電荷區(qū)內(nèi)電荷密度(即雜質(zhì)離子)也大,因而空間電荷區(qū)很窄,電場(chǎng)強(qiáng)度就可能很高。一般整流二極管摻雜濃度沒有這么高,它在電擊穿中多數(shù)是雪崩擊穿造成的。

  齊納擊穿多數(shù)出現(xiàn)在雜質(zhì)濃度較高的二極管,如穩(wěn)壓管(齊納二極管)。

  必須指出,上述兩種電擊穿過程是可逆的,當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的反向電壓降低后,管子仍可以恢復(fù)原來的狀態(tài)。但它有一個(gè)前提條件,就是反向電流和反向電壓的乘積不超過PN結(jié)容許的耗散功率,超過了就會(huì)因?yàn)闊崃可⒉怀鋈ザ筆N結(jié)溫度上升,直到過熱而燒毀,這種現(xiàn)象就是熱擊穿。所以熱擊穿和電擊穿的概念是不同的。電擊穿往往可為人們所利用(如穩(wěn)壓管),而熱擊穿則是必須盡量避免的。

  小問題

  1) PN結(jié)的反向擊穿電壓是多少?

  采取適當(dāng)?shù)膿诫s工藝,將硅PN結(jié)的雪崩擊穿電壓可控制在8~1000V。而齊納擊穿電壓低于5V。在5~8v之間麗種擊穿可能同時(shí)發(fā)生。

  2) 二極管三極管和穩(wěn)壓管是否一樣呢?

  不一樣,BC結(jié)的反向擊穿電壓低的幾十伏,高的數(shù)百伏,但有一點(diǎn)是一樣的,就是NPN管的BE結(jié)反向擊穿電壓都是6V左右,因此NPN管的BE結(jié)可當(dāng)6V穩(wěn)壓管用。

  補(bǔ)充:應(yīng)該是所有硅材料管(PNP和NPN)的BE結(jié)都有反向擊穿電壓都是6V這特性,利用這特性可鑒別管子的C和E腳,用10K檔分別測(cè)BC和BE的反向電阻,擊穿的是BE結(jié)。

  4 二極管工作原理:二極管PN結(jié)的極間電容

  PN結(jié)的P型和N型兩快半導(dǎo)體之間構(gòu)成一個(gè)電容量很小的電容,叫做“極間電容”(如圖所示)。由于電容抗隨頻率的增高而減小。所以,PN結(jié)工作于高頻時(shí),高頻信號(hào)容易被極間電容或反饋而影響PN結(jié)的工作。但在直流或低頻下工作時(shí),極間電容對(duì)直流和低頻的阻抗很大,故一般不會(huì)影響PN結(jié)的工作性能。PN結(jié)的面積越大,極間電容量越大,影響也約大,這就是面接觸型二極管(如整流二極管)和低頻三極管不能用于高頻工作的原因。

  5 二極管工作原理:數(shù)字萬用表測(cè)試二極管好壞

  二極管比較容易損壞的元件,其燒壞容易造成線路短路或斷路的情況,影響電器正常工作,因此需要掌握測(cè)試二極管好壞的方法。

  關(guān)于如何使用數(shù)字萬用表,請(qǐng)參考小編的《數(shù)字萬用表使用方法》,這里主要介紹數(shù)字萬用表測(cè)試二極管好壞。

  1) 辨別出二極管的正負(fù)極,有白線的一端為負(fù)極,另一端為正極。

  2) 將萬用表上的旋鈕撥到通斷檔位,并將紅黑表筆插在萬用表的正確位置。

  3) 將紅表筆接二極管正極,黑表筆接負(fù)極。然后觀察讀數(shù),如果滿溢(即顯示為1),則二極管已壞。若有讀數(shù),則交換表筆,若還有讀數(shù)而不滿溢,則二極管壞。

  4) 如果是發(fā)光二極管,若二極管正常,則可以看到微弱的亮光,長(zhǎng)腳為正極。

  6 二極管工作原理:二極管的主要參數(shù)

  1) 額定正向工作電流

  二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)允許通過的最大正向電流值。因?yàn)殡娏魍ㄟ^管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱,溫度上升,溫度超過容許限度(硅管為140左右,鍺管為90左右)時(shí),就會(huì)使管芯過熱而損壞。所以,二極管使用中不要超過二極管額定正向工作電流值。

  2) 最高反向工作電壓

  加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí),會(huì)將管子擊穿,失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全,規(guī)定了最高反向工作電壓值。

  3) 反向電流

  二極管在規(guī)定的溫度和最高反向電壓作用下,流過二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10,反向電流增大一倍。

  4) 最高工作頻率fM(MC)

  二極管能承受的最高頻率。通過PN結(jié)交流電頻率高于此值,二極管接不能正常工作。

  5) 最高反向工作電壓VRM(V)

  二極管長(zhǎng)期正常工作時(shí),所允許的最高反壓。若越過此值,PN結(jié)就有被擊穿的可能,對(duì)于交流電來說,最高反向工作電壓也就是二極管的最高工作電壓。

  6) 最大整流電流IOM(mA)

  二極管能長(zhǎng)期正常工作時(shí)的最大正向電流。因?yàn)殡娏魍ㄟ^二極管時(shí)就要發(fā)熱,如果正向電流越過此值,二極管就會(huì)有燒壞的危險(xiǎn)。所以用二極管整流時(shí),流過二極管的正向電流(既輸出直流)不允許超過最大整流電流。

  7 二極管工作原理:特殊體二極管

  1) 穩(wěn)壓二極管

  電路符號(hào):與普通二極管的電路符號(hào)稍有區(qū)別。

  

  原理:又叫齊納二極管,是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定

  用途:穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。

  2) 發(fā)光二極管(LED)

  電路符號(hào):在普通二極管電路符號(hào)的邊上加兩個(gè)向外發(fā)射的箭頭。

  

  原理:利用自由電子和空穴復(fù)合時(shí)能產(chǎn)生光的半導(dǎo)體制成,采用不同的材料,可分別得到紅、黃、綠、橙色光和紅外光。常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物,如砷化鎵、磷化鎵等。制作材料決定光的顏色(光譜的波長(zhǎng))。

  特點(diǎn):通以正向電流發(fā)光,光亮度隨著電流的增大而增強(qiáng),工作電流為幾個(gè)毫安到幾十毫安,典型工作電流為10mA左右。正向?qū)妷狠^大。

  用途:一般作為電子產(chǎn)品的指示燈

  3) 光電二極管

  電路符號(hào):在普通二極管電路符號(hào)的邊上加兩個(gè)朝向管子的箭頭。

  

  原理:普通二極管在反向電壓作用時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài),只能流過微弱的反向電流,光電二極管在設(shè)計(jì)和制作時(shí)盡量使PN結(jié)的面積相對(duì)較大,以便接收入射光。光電二極管是在反向電壓作用下工作的,沒有光照時(shí),反向電流極其微弱,叫暗電流;有光照時(shí),反向電流迅速增大到幾十微安,稱為光電流。光的強(qiáng)度越大,反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化,這就可以把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),成為光電傳感器件

  特點(diǎn):無光照時(shí)與普通二極管一樣具有單向?qū)щ娦浴J褂脮r(shí),光電二極管的PN結(jié)應(yīng)工作在反向偏置狀態(tài),在光信號(hào)的照射下,反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升(這時(shí)的反向電流叫光電流)。光電流也與入射光的波長(zhǎng)有關(guān)。

  用途:用于測(cè)量光照強(qiáng)度、做光電池。

  4) 變?nèi)荻O管

  電路符號(hào):在普通二極管電路符號(hào)的邊上加一個(gè)電容符號(hào)。

  

  原理:當(dāng)外加順向偏壓時(shí),有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時(shí),則會(huì)產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。

  用途:用于電子調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相和自動(dòng)控制電路等。

  5) 肖特基二極管

  電路符號(hào):與普通二極管的電路符號(hào)稍有區(qū)別。

  

  原理:貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。

  特點(diǎn):為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航祪H0.4V左右。

  用途:多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

  二極管符號(hào)及含義

  圖一普通二極管,第一個(gè)是國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的畫法;

  圖二雙向瞬變抑制二極管;

  圖三分別是光敏或光電二極管,發(fā)光二極管;

  圖四為變?nèi)荻O管;

  圖五是肖特基二極管;

  圖六是恒流二極管;

  圖七是穩(wěn)壓二極管;

  

  如何辨別二極管的正負(fù)極

  對(duì)于男人來說,擁有基本的維修技能是加分項(xiàng),神馬電器故障,輕松搞定,必定讓他人刮目相看,如何辨別二極管的正負(fù)極。

  方法/步驟

  方法一:對(duì)于普通二極管,可以看管體表面,有白線的一端為負(fù)極。

  如何辨別二極管的正負(fù)極

  方法二:對(duì)于發(fā)光二極管,引腳長(zhǎng)的為正極,短的為負(fù)極。

  如何辨別二極管的正負(fù)極

  方法三:如果引腳被剪得一樣長(zhǎng)了,發(fā)光二極管管體內(nèi)部金屬極較小的是正極,大的片狀的是負(fù)極。

  如何辨別二極管的正負(fù)極

  方法四:如果眼睛近視看不清,也可打開萬用表,將旋鈕撥到通斷檔,將紅黑表筆分別接在兩個(gè)引腳。若有讀數(shù),則紅表筆一端為正極;若讀數(shù)為“1”,則黑表筆一端為正極。

  如何辨別二極管的正負(fù)極

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    +關(guān)注
    cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路,其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬(為3V-18V),輸入阻抗高(約100MΩ),動(dòng)態(tài)功耗小,在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW,屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有,CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路,CD4046無線發(fā)射,cd4046運(yùn)用,cd4046鎖相環(huán)電路圖。
  • 加速度傳感器
    加速度傳感器
    +關(guān)注
    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
  • 服務(wù)機(jī)器人
    服務(wù)機(jī)器人
    +關(guān)注
    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    +關(guān)注
  • 四軸飛行器
    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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