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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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近日,日本功率器件大廠羅姆半導體(ROHM)宣布了一項重要決策,將在GaN功率半導體領域加強與臺積電的合作。據(jù)悉,羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)GaN功率...
在科技與創(chuàng)新的浪潮中,2024年慕尼黑上海電子展(electronica China)于7月8日至10日在上海新國際博覽中心盛大開幕,匯聚了全球電子行業(yè)...
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開...
SiC功率器件引領新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)革新!
第三代半導體在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的滲透率情況是怎樣的?特邀嘉賓為您解答! 作為新能源汽車領域的關鍵技術,SiC功率器件因其卓越的性能優(yōu)勢而成為行業(yè)發(fā)展...
基本半導體在NEPCON JAPAN展示碳化硅功率器件領先技術
近日,第38屆日本國際電子科技博覽會(NEPCON JAPAN)在東京有明國際展覽中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大舉行。此次盛會,作為亞洲電子...
Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術,導通電阻低至30m?、電流達6A~105A,在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
瑞能半導體共助功率器件的可持續(xù)高質(zhì)量發(fā)展
瑞能半導體在7月8日-10日以“高效節(jié)能,奔赴零碳”為主題參展于上海新國際博覽中心舉辦的慕尼黑上海電子展(Electronica China 2024)...
2024-07-09 標簽:封裝功率器件可持續(xù)發(fā)展 1.4k 0
根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸...
2015-09-14 標簽:功率器件 1.4k 0
在深圳某智能硬件實驗室里,工程師正為微型插座的功率器件布局而發(fā)愁——傳統(tǒng)的TO-220封裝,它占據(jù)著30mm2的電路板空間;而TO-252封裝,以6.7...
目前瞻芯電子已發(fā)布量產(chǎn)過百款碳化硅(SiC)功率半導體產(chǎn)品,包括碳化硅(SiC) MOSFET,SBD和SiC模塊產(chǎn)品,電壓平臺涵蓋650V-1700V...
X-Fab與Soitec攜手推進碳化硅功率器件生產(chǎn)
近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作,共同推動碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠...
華大九天多款產(chǎn)品獲得ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2國際標準認證
據(jù)華大九天2023年年報披露,其原理圖/版圖編輯工具Empyrean Aether、電路仿真工具Empyrean ALPS、物理驗證工具Empyrean...
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用
近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與...
電機控制器:碳化硅器件在新能源汽車電機控制器中可以應用于直流轉(zhuǎn)換器、逆變器、交流驅(qū)動單元等,利用其高開關速度和低導通損耗,提高電機的工作效率和壽命,并且...
納微發(fā)布7大全球行業(yè)應用展望 助力能源可持續(xù)發(fā)展
是的!眾所周知,第三代半導體(以氮化鎵GaN和碳化硅SiC為主),憑借在電子遷移率、功率密度、熱穩(wěn)定性等方面具有優(yōu)異的性能,可以用于制造高效、高速、高溫...
2023-05-16 標簽:功率器件大數(shù)據(jù)納微 1.4k 0
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