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標(biāo)簽 > 功率mosfet
功率MOS場效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管。
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Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET--...
Microsemi推出RF功率MOSFET產(chǎn)品DRF1400
美高森美公司(MicrosemiCorporation) 宣布擴展其RF功率產(chǎn)品線,推出了DRF1400功率MOSFET。
美高森美公司(Microsemi )宣布擴大RF功率產(chǎn)品線,推出DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (indus...
率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求;計算...
Vishay的PowerPAIR功率MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR...
最小導(dǎo)通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中,實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologi...
飛兆半導(dǎo)體和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進一步擴展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 標(biāo)簽:英飛凌飛兆半導(dǎo)體協(xié)議 1.2k 0
英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴...
Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率M...
Vishay發(fā)布新款TrenchFET功率MOSFET-SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFE...
MAX5981支持IEEE 802.3at標(biāo)準(zhǔn)的功率MOSFET
MAX5981為用電設(shè)備(PD)提供完整的接口電路,符合以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng)IEEE? 802.3af/at標(biāo)準(zhǔn)。MAX5981還提供電源就緒(PG...
2011-08-03 標(biāo)簽:功率MOSFETMAX5981IEEE 802.3at 1.5k 0
瑞薩電子公司宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品(如無線電動工具和電動自行車)中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET,
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用...
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET...
2011-06-15 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管功率MOSFET 1.8k 0
Vishay發(fā)布TrenchFET功率MOSFET--SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率...
瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品RJK60S5DPK
瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK
2011-03-21 標(biāo)簽:功率MOSFET瑞薩電子RJK60S5DPK 1.5k 0
Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA923EDJ
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923ED...
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