美高森美擴大RF功率MOSFET產(chǎn)品陣容

　　美高森美公司（Microsemi ）宣布擴大RF功率產(chǎn)品線，推出DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（industrial、scientific and medical，ISM）應(yīng)用的RF產(chǎn)生器中使用，包括用于半導(dǎo)體、LCD和太陽能電池制造的電漿產(chǎn)生，以及工作頻率高達30 MHz 的CO2雷射器。

　　美高森美的DRF系列產(chǎn)品在單一高散熱性能封裝中整合RF閘極驅(qū)動器、功率MOSFET和相關(guān)的旁路電容器。DRF1400採用半橋拓撲，是美高森美 DRF系列中的第一款半橋拓撲元件，在1 kW下可提供高于92%的效率。此外，低寄生電容和電感，加上施密特（Schmitt）觸發(fā)器輸入、卡爾文（Kelvin）訊號地線、防振鈴功能、反相和同相（non-invert）選擇接腳，為kW到數(shù)千瓦的高頻ISM應(yīng)用提供了改進的穩(wěn)定性和控制功能。高整合度還可縮減材料清單（bill-of-material）元件數(shù)目和成本。其它功能包括：整合RF驅(qū)動器，可以簡化驅(qū)動級設(shè)計，允許輸入簡單的邏輯訊號；內(nèi)部旁路電容器，可以減少寄生電感并提供最穩(wěn)定的電源電壓；高崩潰電壓（500V） MOSFET，經(jīng)由半橋拓撲達成較高的功率輸出；以及高散熱性能專有封裝，能夠提供高達1.4 kW的功率。

　　美高森美現(xiàn)可提供DRF1400的工程樣品，客戶可從美高森美購買相關(guān)的DRF1400參考設(shè)計包（13.56 MHz， Class-D半橋）。此參考設(shè)計包提供快速推出》1kW的RF功率設(shè)計所需的所有硬體，還提供涵蓋RF系統(tǒng)設(shè)計人員的運作基礎(chǔ)知識和設(shè)計考量的設(shè)計指南。

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RF(171330) RF(171330)
功率MOSFET(22989) 功率MOSFET(22989)
電源芯片(81900) 電源芯片(81900)
美高森美(33064) 美高森美(33064)

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onsemi NCx57080y/NCx57081y：高性能IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器的卓越之選

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選型手冊：MOT4180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

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NCV84160自保護高側(cè)MOSFET驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美NCV84160自保護高側(cè)MOSFET驅(qū)動器是一款單通道驅(qū)動器，可用于開關(guān)螺線管、燈泡和執(zhí)行器等負載。該MOSFET驅(qū)動器具有~VD~ 輸出短路檢測、斷態(tài)開路負載檢測、用于電感開關(guān)的集成鉗位

2025-11-25 11:02:48

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2025-11-24 17:23:08

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選型手冊：MOT6556T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借0.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級溝槽技術(shù)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型

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?NVMFWS0D45N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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選型手冊：MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:21:04

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選型手冊：MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:15:00

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功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析

主要由柵氧化層厚度控制，柵極與漏極最大電壓主要由外延層厚度來控制，所以VGD耐壓高。問題6：單獨一次雪崩，會擊穿損壞功率MOSFET管嗎？雪崩損壞功率MOSFET管有兩種情況：一種是快速高功率脈沖

2025-11-19 06:35:56

選型手冊：MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于

2025-11-18 16:08:14

326

選型手冊：MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進溝槽單元設(shè)計，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-18 16:04:11

277

選型手冊：MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-18 15:58:04

228

選型手冊：MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-14 12:03:12

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選型手冊：MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 16:01:46

413

選型手冊：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 15:50:16

247

選型手冊：MOT5122T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池管理系統(tǒng)（BMS）、無人機等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：

2025-11-05 15:53:52

207

選型手冊：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-05 15:28:39

205

選型手冊：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域

2025-11-04 15:59:03

238

選型手冊：MOT5122T 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池

2025-10-31 17:33:14

177

英飛凌推出專為高功率與計算密集型應(yīng)用而設(shè)計的400V和440V MOSFET

。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不

2025-10-31 11:00:59

297

SH63N65DM6AG功率MOSFET技術(shù)解析：半橋拓撲的高效解決方案

接合銅 (DBC) 基板，有助于封裝提供低熱阻以及隔離式頂部散熱焊盤。SH63N65DM6AG MOSFET采用具有高設(shè)計靈活性的封裝，可通過不同組合的內(nèi)部電源開關(guān)實現(xiàn)多種配置，包括相臂、升壓和單開關(guān)。該功率MOSFET非常適合用于開關(guān)應(yīng)用。

2025-10-24 09:17:32

684

傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

）MOSFET分立器件產(chǎn)品組合具有強大的競爭力和先進的技術(shù)特性，能夠全面滿足高功率密度、高開關(guān)頻率以及高可靠性電源應(yīng)用的需求。該系列產(chǎn)品矩陣涵蓋 650?V、 750?V、 1200?V 和 1400

2025-10-21 10:12:15

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【置頂公告】視美泰開源鴻蒙系列產(chǎn)品業(yè)務(wù)咨詢與商務(wù)合作通道正式開啟！

優(yōu)勢技術(shù)背書：視美泰是OpenHarmony生態(tài)核心合作伙伴，擁有多款認證產(chǎn)品及行業(yè)解決方案。快速響應(yīng)：專屬商務(wù)團隊提供一對一需求對接，72小時內(nèi)反饋技術(shù)可行性方案。生態(tài)資源：共享視美泰全渠道網(wǎng)絡(luò)

2025-10-20 16:23:05

高功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析

　　相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。為進一步提升碳化硅

2025-10-11 15:32:03

Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強的動態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設(shè)備等電動交通工具的電機驅(qū)動系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機。

2025-10-10 11:22:27

700

三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計

鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計。

2025-09-23 09:26:33

2066

上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

，持續(xù)迭代升級IGBT和MOSFET技術(shù)平臺，通過精密的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計、優(yōu)化的制造工藝和先進的封裝方案，打造了一系列高性能、高可靠性的功率器件產(chǎn)品。這些產(chǎn)品旨在滿足嚴苛

2025-09-16 14:56:05

1645

安森美PCIM Asia 2025亮點前瞻

PCIM Asia 2025即將火熱開啟，從汽車電動化的澎湃動力到工業(yè)場景的智能高效，再到AI數(shù)據(jù)中心穩(wěn)定供電，安森美（onsemi）帶著創(chuàng)新技術(shù)陣容強勢來襲。

2025-08-28 11:30:49

2039

安森美榮膺2025人工智能行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新力產(chǎn)品獎

技術(shù)突破，斬獲維科杯·OFweek 2025人工智能行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新力產(chǎn)品獎。這款產(chǎn)品以其創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性，成功解決了AI應(yīng)用領(lǐng)域大電流、高功率場景的核心痛點。

2025-08-12 17:55:58

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安森美與舍弗勒擴大合作加速電動汽車創(chuàng)新

安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布擴大與領(lǐng)先的驅(qū)動技術(shù)公司舍弗勒（Schaeffler）合作，雙方在一項新的設(shè)計中標(biāo)項目中采用安森美的下一代碳化硅 MOSFET EliteSiC

2025-08-04 10:31:53

1038

安森美助力工業(yè)光伏儲能與伺服系統(tǒng)高效進化

在工業(yè)新能源與伺服驅(qū)動領(lǐng)域，高功率密度、高效率、長壽命及系統(tǒng)成本優(yōu)化已經(jīng)成為市場的核心挑戰(zhàn)。在2025年7月12日的電源網(wǎng)電力電子與應(yīng)用大會（深圳站）上，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部市場拓展

2025-07-28 09:29:24

1536

具有 MIPI? RF 前端控制功能的高頻降壓轉(zhuǎn)換器，用于 2G/3G/4G RF 功率放大器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有 MIPI? RF 前端控制功能的高頻降壓轉(zhuǎn)換器，用于 2G/3G/4G RF 功率放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有具有 MIPI? RF 前端控制功能的高頻降壓轉(zhuǎn)換器

2025-07-24 18:31:47

全球首批！美芯晟率先通過Qi2.2認證，解鎖無線充電高功率時代

核心技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，積極推動行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)的落地。 Qi2.2標(biāo)準(zhǔn)于2024年提出，最大變化是將無線充電功率提升至 25W，它依然基于 Qi2 的磁吸對準(zhǔn)機制，但在能效和散熱管理上進一步加強；同時，該標(biāo)準(zhǔn)主要面向未來高功率手機設(shè)備，仍向下兼容 Qi2.0 和 Qi1標(biāo)準(zhǔn)。美芯晟自主研發(fā)的

2025-07-18 11:16:45

3907

永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強模式MOSFET

描述： APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列也就是利用電荷平衡技術(shù) 低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果一般特性

2025-07-15 16:22:02

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率

2025-07-09 18:30:34

MOSFET與IGBT的選擇對比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)

2025-07-07 10:23:19

2439

用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料

2025-07-03 18:34:35

揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。

2025-06-27 09:43:53

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安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點

隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。

2025-06-24 15:20:25

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LTD1534MFL領(lǐng)泰N溝道增強型功率MOSFET

?特性 VDS = 30V，I D = 130A ；RDS（導(dǎo)通）@VGS=10V，典型值1.5mΩ ；RDS（導(dǎo)通）@VGS=4.5V，典型值2.4mΩ ?概述 ?同步降壓轉(zhuǎn)換器 ?高功率密度DC

2025-06-12 09:19:11

初級元器件知識之功率MOSFET

什么是功率 MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號

2025-06-03 15:39:43

安森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆變器設(shè)計

隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮目焖僭鲩L，光伏系統(tǒng)的效率與可靠性成為行業(yè)關(guān)注的焦點。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案，助力光伏逆變器廠商實現(xiàn)更高性能、更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。

2025-05-30 10:30:40

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使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點？

CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動器的功率吸收路徑，我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點？

2025-05-28 06:51:33

AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET，專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生

（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品，旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比，該系列產(chǎn)品在高負載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時，其開關(guān)品質(zhì)因數(shù)

2025-05-07 10:56:10

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互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計

電路設(shè)計的驅(qū)動電路。功率 MOSFET 對驅(qū)動電路的要求: 功率 MOSFET 是電壓型驅(qū)動器件[2]，沒有少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高，驅(qū)動功率小，電路簡單。但功率

2025-03-27 14:48:50

MOSFET與IGBT的區(qū)別

飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率

2025-03-25 13:43:17

MAX2204 RF功率檢測器技術(shù)手冊

MAX2204 RF功率檢測器設(shè)計為工作在450MHz至2.5GHz頻率范圍。該器件可理想用于寬帶碼分多址(WCDMA)、cdma2000?和高速上行/下行包存取應(yīng)用。MAX2204的輸入端接受RF

2025-03-25 11:16:51

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MOSFET開關(guān)損耗計算

)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性

2025-03-24 15:03:44

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。

2025-03-19 14:31:28

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一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計算?。。夥e分）

擴大。為了滿足節(jié)能和降低系統(tǒng)功率損耗的需求，需要更高的能源轉(zhuǎn)換效率，這些與時俱進的設(shè)計規(guī)范要求，對于電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計者會是日益嚴厲的挑戰(zhàn)。為應(yīng)對前述之規(guī)范需求，除使用各種新的轉(zhuǎn)換器拓撲(topology

2025-03-06 15:59:14

新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅(qū)動、BMS

2025-03-04 14:40:34

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安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于

2025-02-21 11:24:20

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安森美EliteSiC MOSFET技術(shù)解析

SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實現(xiàn)高功率密度設(shè)計，有效應(yīng)對關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高

2025-02-20 10:08:05

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貿(mào)澤電子2024年新增超60家供應(yīng)商，產(chǎn)品陣容再擴大

，進一步擴大了其產(chǎn)品代理陣容。這一舉措為廣大電子設(shè)計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇，使他們能夠輕松獲取各類先進產(chǎn)品和技術(shù)。貿(mào)澤電子一直致力于引入新品，通過不斷擴大產(chǎn)品陣容，幫助客戶加快產(chǎn)品上市速度，提升市場競爭力。新增的60多家供應(yīng)商涵蓋了

2025-02-10 11:04:57

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貿(mào)澤電子2024年新增逾60家供應(yīng)商持續(xù)為客戶擴大產(chǎn)品代理陣容

2025 年 2 月 6 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過60家供應(yīng)商，產(chǎn)品代理陣容持續(xù)擴大

2025-02-07 14:59:14

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溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。

2025-02-02 13:49:00

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RF3932D寬帶放大器現(xiàn)貨庫存RF-LAMBDA

RF3932D寬帶放大器現(xiàn)貨庫存RF-LAMBDARF3932D專門為商業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、蜂窩網(wǎng)絡(luò)和WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施及其通用型寬帶放大器應(yīng)用需求設(shè)計。使用最先進的高功率密度氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體

2025-01-22 09:03:00

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型

2025-01-13 11:41:38

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