的LP0603系列低通無(wú)鉛薄膜RF/微波濾波器，分享這款濾波器的設(shè)計(jì)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及測(cè)試方法等內(nèi)容。 文件下載： LP0603N5200ANTR.pdf 1. LP0603系列濾波器概述 LP0603系列濾波器采用集成薄膜（ITF）無(wú)鉛焊球柵陣列（LGA）封裝，基于薄膜多層技術(shù)制造。這種技術(shù)使得
2025-12-31 16:05:22
64 合粵車規(guī)貼片鋁電解電容符合車載綠色制造標(biāo)準(zhǔn)，其環(huán)保特性、性能表現(xiàn)及認(rèn)證體系均滿足汽車電子對(duì)可靠性與環(huán)保性的嚴(yán)苛要求 ，具體分析如下： 一、環(huán)保合規(guī)性：無(wú)鉛化與全球認(rèn)證 無(wú)鉛化生產(chǎn) 合粵電容全面符合
2025-12-26 16:46:12412 汽車級(jí)高精度無(wú)芯電流傳感器 TLE4971 在電子工程師日常的硬件設(shè)計(jì)工作中，電流傳感器是至關(guān)重要的組件。今天要為大家介紹英飛凌（Infineon）推出的 TLE4971 高精度無(wú)芯電流傳感器，它
2025-12-20 15:40:14714 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06517 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開(kāi)關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03225 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
在汽車電子領(lǐng)域，功率MOSFET模塊的性能對(duì)于系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）的汽車功率MOSFET模塊NXV08H300DT1，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-11-28 15:25:07259 
在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 模塊扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊，了解其特性、應(yīng)用、電氣參數(shù)等方面的內(nèi)容，為電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)相關(guān)系統(tǒng)時(shí)提供參考。
2025-11-28 15:20:04237 
11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導(dǎo)體
2025-11-26 09:32:50568 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-25 15:23:16209 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47190 mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計(jì)，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源負(fù)載開(kāi)關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18262 
的導(dǎo)通電阻、更高的功率密度以及出色的散熱性能。該屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)具有超低柵極電荷和1.3mΩ R~DS(on)~ 。緊湊型3.3mmx3.3mm下源雙冷第二代封裝無(wú)鉛、無(wú)鹵、無(wú)BFR，符合RoHS指令
2025-11-22 17:40:472215 大電流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量規(guī)格要求，通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，并支持PPAP。這款N通道MOSFET無(wú)鉛、無(wú)鹵/無(wú)BFR，符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括汽車電磁閥/繼電器驅(qū)動(dòng)器、汽車燈驅(qū)動(dòng)器、汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出驅(qū)動(dòng)器以及汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)。
2025-11-21 11:45:25365 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開(kāi)關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-20 15:31:06159 ，PCB布局，特別是貼片封裝功率MOSFET管，要在源極、漏極管腳充分敷設(shè)銅皮進(jìn)行散熱。功率MOSFET管數(shù)據(jù)表的熱阻測(cè)量通常有一定限制條件，如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進(jìn)行測(cè)量，實(shí)際應(yīng)用中，源
2025-11-19 06:35:56
選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241 時(shí)）、487A連續(xù)源極-漏極二極管電流（+25°C時(shí)）以及單一配置。SiJK5100E通過(guò)UIS測(cè)試，無(wú)鉛和無(wú)鹵。Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。典型應(yīng)用包括同步整流、自動(dòng)化、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和電池管理。
2025-11-11 13:42:26335 
仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)（電動(dòng)工具
2025-11-11 09:34:34187 仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205 【2025年11月5日, 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)（AEC）汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559490 
RoHS無(wú)鉛工藝概述RoHS無(wú)鉛工藝是為符合歐盟環(huán)保指令，在電子制造中使用錫銀銅等無(wú)鉛焊料，替代傳統(tǒng)鉛錫焊料，以限制電子產(chǎn)品中有害物質(zhì)的技術(shù)。RoHS指令的環(huán)保要求RoHS指令的核心目標(biāo)在于減少電子
2025-11-03 11:55:13338 
TE Connectivity (TE)/Linx Technologies無(wú)鉛SMA連接器符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)豁免，適用于電子設(shè)備行業(yè)。 此系列連接器提供穩(wěn)健的解決方案、高可靠性、出色的性能和緊湊
2025-10-31 16:07:42633 
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59297 的功率循環(huán)能力以及較長(zhǎng)的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFN
2025-10-29 17:02:571075 隨著越來(lái)越多的無(wú)鉛電子產(chǎn)品上市，可靠性問(wèn)題成為許多人關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題。與其它無(wú)鉛相關(guān)問(wèn)題(如合金選擇、工藝窗口等)不同，在可靠性方面，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到分歧很大的觀點(diǎn)。一開(kāi)始，我們聽(tīng)到許多“專家”說(shuō)無(wú)鉛
2025-10-24 17:38:29783 
一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗
2025-10-24 15:59:53537 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級(jí)N通道MDmesh DM6半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
在新能源、工業(yè)自動(dòng)化及電力電子設(shè)備日益追求高功率密度與長(zhǎng)期可靠性的背景下，高壓電阻的環(huán)保性與性能表現(xiàn)成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。光頡科技推出的HVRG系列無(wú)鉛高壓厚膜電阻，憑借其全面環(huán)保特性和卓越的電氣性能，為
2025-10-17 16:27:07460 
CMD177C3是 Qorvo（原Custom MMIC）推出的一款6–14 GHz 雙平衡無(wú)源混頻器，采用 3×3 mm QFN 無(wú)鉛表貼封裝，該器件可配合外部 90° 混合器與功分器，快速搭出
2025-10-16 09:17:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 頂部散熱（TSC）封裝在今年受到市場(chǎng)歡迎，在年中的上海慕尼黑展上我們注意到多家廠商推出了TSC封裝產(chǎn)品，并提到這些產(chǎn)品目前市場(chǎng)需求量較大，尤其是在汽車OBC等應(yīng)用中。 ? 近期
2025-10-13 05:17:006242 PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開(kāi)關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。
2025-10-10 11:22:27700 9 月 28 日消息，兩家重要功率半導(dǎo)體企業(yè)德國(guó)英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 根據(jù)這份協(xié)議，雙方
2025-09-29 18:24:361709 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。雙方旨在對(duì)應(yīng)用于車載充電器、太陽(yáng)能
2025-09-29 10:46:22303 一站式PCBA加工廠家今天為大家講講如何判斷PCBA板是否使用無(wú)鉛工藝?判斷PCBA板是否使用無(wú)鉛工藝的方法。在電子制造業(yè)，無(wú)鉛工藝已成為環(huán)保生產(chǎn)的硬性標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于采購(gòu)人員、質(zhì)檢工程師和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)者而言
2025-09-17 09:13:46489 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂(lè)、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 晶映 LED 停車場(chǎng)燈響應(yīng) GB 26572—2025 新標(biāo)，以全系無(wú)鉛技術(shù)破有鉛危害，降碳省耗，助力停車空間綠色升級(jí)。
2025-09-03 10:52:46450 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067 
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
在追求電子產(chǎn)品微型化與高可靠性的當(dāng)下，激光無(wú)鉛焊接作為一種高精度、非接觸式的先進(jìn)焊接技術(shù)，憑借其精準(zhǔn)、清潔、高效的優(yōu)勢(shì)，已成為高精密PCBA加工的主要工藝之一。
2025-08-11 09:49:39944 一站式PCBA加工廠家今天為大家講講PCBA加工有鉛工藝與無(wú)鉛工藝差異有哪些?PCBA加工有鉛工藝與無(wú)鉛工藝的六大差異。作為擁有20余年P(guān)CBA代工經(jīng)驗(yàn)的領(lǐng)卓電子，我們?cè)陂L(zhǎng)期服務(wù)全球客戶的實(shí)踐中
2025-08-08 09:25:45513 【2025年8月1日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506 基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
無(wú)鉛焊接工藝的核心步驟如下，每個(gè)步驟均包含關(guān)鍵控制要點(diǎn)以確保焊接質(zhì)量：
2025-08-01 09:13:39774 圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理和無(wú)線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
高功率與電流承載能力?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品認(rèn)證?表面貼裝封裝
2025-07-10 14:13:02
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
錫膏主要是由焊錫粉、助焊劑組合而成的膏狀混合物，主要用于SMT加工行業(yè)，將電阻、電容、IC等電子元器件焊接在PCB板上。錫膏又分為無(wú)鉛錫膏和有鉛錫膏，無(wú)鉛錫膏是電子元件焊接的重要材料，無(wú)鉛錫膏指的是鉛含量要求低于1000ppm(
2025-07-09 16:32:291294 
碳化硅MOSFET和肖特基二極管產(chǎn)品，通過(guò)頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產(chǎn)品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項(xiàng)，面向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)
2025-07-08 00:55:003493 
無(wú)鉛錫膏是一種環(huán)保型的焊接材料，在電子制造業(yè)中應(yīng)用廣泛。無(wú)鉛錫膏規(guī)格型號(hào)根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和要求的焊接結(jié)果不同而不同。目前市面上常見(jiàn)的無(wú)鉛錫膏規(guī)格型號(hào)有以下幾種：
2025-07-03 14:50:36903 
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC
2025-07-02 15:00:301604 
。英飛凌預(yù)計(jì)將從2026年開(kāi)始供貨。此外，英飛凌還將為該平臺(tái)提供其他產(chǎn)品，包括AURIX ?TC3x微控制器和電源管理IC。 ? HybridPACK Drive是英飛凌面向電動(dòng)汽車的市場(chǎng)領(lǐng)先功率模塊
2025-06-22 00:02:002999 當(dāng)工業(yè)電源、儲(chǔ)能設(shè)備、新能源交通等領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的需求突破極限，傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MOS，以顛覆性的散熱設(shè)計(jì)與功率承載能力，成為
2025-06-18 13:27:371676 
AM206541TM-SN-R-TF功率放大器AMCOM原裝現(xiàn)貨AM206541TM-SN-R-TF是一款由AMCOM生產(chǎn)的寬帶氮化鎵（GaN）單片微波集成電路（MMIC）功率放大器，后綴TF指“無(wú)
2025-06-06 09:06:46
【2025年5月28日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP
2025-05-30 16:55:05489 
在消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域，柔性電路板（FPC）憑借柔性、輕薄、可彎曲折疊特性成為連接核心組件的“經(jīng)脈絡(luò)”。傲?？萍?b class="flag-6" style="color: red">推出了超低溫無(wú)鉛無(wú)鉍錫膏系列產(chǎn)品，從材料配方到工藝適配全方位突破，立志重新定義FPC焊接標(biāo)準(zhǔn)，打造成為熱敏元件、FPC及高可靠場(chǎng)景的首選方案。
2025-05-28 10:15:51890 
CCG8 使用 GPIO 來(lái)控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2025-05-28 06:51:33
座艙電子產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者偉世通（NASDAQ代碼：VC）近日宣布，雙方已簽署諒解備忘錄（MOU），將共同推進(jìn)下一代電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的開(kāi)發(fā)。 ? 英飛凌和偉世通將在此次合作中集成基于英飛凌半導(dǎo)體的功率轉(zhuǎn)換器件，并重點(diǎn)使用寬禁帶器件技術(shù)。與硅基半導(dǎo)體相比，該技術(shù)在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中擁有顯著優(yōu)勢(shì)
2025-05-23 16:30:401325 英飛凌推出2.5kW功率因數(shù)校正（PFC）評(píng)估板，展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現(xiàn)。該評(píng)估板集成PFC控制器、MOSFET驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極管，專為電源電子工程師設(shè)計(jì)，用于評(píng)估4針封裝在效率和信號(hào)質(zhì)量上的優(yōu)勢(shì)。
2025-05-19 13:49:001208 
近年來(lái)，隨著環(huán)保法規(guī)的日益嚴(yán)格以及電子設(shè)備向小型化、精密化發(fā)展的趨勢(shì)，傳統(tǒng)的含鉛焊料逐漸被無(wú)鉛焊料取代。在這一背景下，激光焊錫技術(shù)憑借其高效、精準(zhǔn)、環(huán)保的特點(diǎn)，成為電子制造領(lǐng)域的重要發(fā)展方向之一。本文將重點(diǎn)探討無(wú)鉛低溫錫膏激光焊接的研發(fā)進(jìn)展及其市場(chǎng)趨勢(shì)。
2025-05-15 13:55:26975 
，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021060 圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開(kāi)關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片，SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國(guó)工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
2025-05-05 12:01:57537 
。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。 圖源：英飛凌 ? 在功率晶體管中集成SBD的做法，此前在SiC MOSFET中，業(yè)界有不少的研究。三菱在2013年提出了集成SBD的SiC MOSFET相關(guān)專利，并在2023年推出采用這種新型器件的SiC功率模塊。 ? 為什么
2025-04-28 00:19:003055 
近日，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無(wú)錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)(環(huán)評(píng))公告。該項(xiàng)目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣，計(jì)劃選址于無(wú)錫分公司，旨在進(jìn)一步提升其生
2025-04-21 11:57:13785 
NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 Q g 和 Q GD 低 R DS（開(kāi)） 低熱阻 雪崩評(píng)級(jí) 無(wú)鉛 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無(wú)鹵素 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數(shù)
2025-04-16 11:25:34775 
mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無(wú)鉛端
2025-04-16 10:54:00755 
NexFET? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 超低 Q g 和 Q GD 低 R DS（開(kāi)） Low-Thermal Resistance 雪崩評(píng)級(jí) 無(wú)鉛 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無(wú)鹵素 SON
2025-04-16 10:35:32787 
?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，助力科士達(dá)大功率高頻UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。英飛凌與科士達(dá)已共同攜手三十余年，
2025-04-16 10:26:26826 
? 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表 .pdf 特性 低 R DS（開(kāi)啟） 低熱阻 雪崩評(píng)級(jí) 邏輯電平 無(wú)鉛端子電鍍 符合 RoHS 規(guī)范 無(wú)鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1.
2025-04-16 10:20:33784 
MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 Qg 和 Qgd 低 RDS（ON） 低熱阻 雪崩評(píng)級(jí) 無(wú)鉛端子電鍍 符合 RoHS 規(guī)范 無(wú)鹵素 TO-220 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 低柵極
2025-04-16 10:13:57763 
MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 R DS（開(kāi)啟） Low-Thermal Resistance 雪崩評(píng)級(jí) 邏輯電平 無(wú)鉛端子電鍍 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無(wú)鹵素 SON 5 mm × 6 mm
2025-04-16 10:05:07663 
MOSFET 數(shù)據(jù)表.pdf 特性 低 Qg 和 Qgd 低 RDS（ON） 低熱阻 雪崩評(píng)級(jí) 無(wú)鉛端子電鍍 符合 RoHS 規(guī)范 無(wú)鹵素 TO-220 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述
2025-04-15 16:23:11772 
無(wú)鉛錫膏是不含鉛的環(huán)保焊接材料，主要由 Sn-Ag-Cu 等合金、助焊劑及添加劑組成，憑借無(wú)毒性、高性能和合規(guī)性，成為電子焊接的主流選擇。與含鉛錫膏相比，它在成分上杜絕重金屬污染，性能上通過(guò)技術(shù)迭代
2025-04-15 10:27:552374 
在激光錫焊這一精密焊接技術(shù)領(lǐng)域，錫球作為關(guān)鍵的焊料，其特性直接關(guān)乎焊接質(zhì)量與產(chǎn)品性能。在實(shí)際應(yīng)用中，錫球主要分為有鉛錫球和無(wú)鉛錫球，二者在成分、熔點(diǎn)、環(huán)保性能、機(jī)械性能以及成本等方面存在顯著差異
2025-03-27 10:19:391614 做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講SMT無(wú)鉛工藝對(duì)電子元器件有什么要求？SMT無(wú)鉛工藝對(duì)電子元器件的要求。隨著環(huán)保意識(shí)的提高和電子制造行業(yè)的發(fā)展，SMT無(wú)鉛工藝逐漸成為行業(yè)趨勢(shì)。無(wú)鉛工藝不僅
2025-03-24 09:44:09738 )封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計(jì)，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
2025-03-20 11:18:11963 
【2025年3月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實(shí)現(xiàn)AI
2025-03-19 16:53:22735 
英飛凌iSSI系列固態(tài)隔離器通過(guò)電氣隔離屏障提供強(qiáng)大的能量傳輸能力，采用無(wú)磁芯變壓器技術(shù)，體積小巧，無(wú)需隔離電源就能驅(qū)動(dòng)非高頻調(diào)制工況的MOS型功率晶體管，IGBT或MOSFET，適用于固態(tài)開(kāi)關(guān)
2025-03-17 16:06:23605 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出兩款先進(jìn)的表面貼片封裝選項(xiàng)，擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的高功率MOSFET產(chǎn)品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
缺乏兼容多種封裝的貨源。為了解決這個(gè)問(wèn)題，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封裝
2025-03-03 15:50:564323 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來(lái)源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間，主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用，像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:002676 
【2025年2月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份
2025-02-21 16:38:52758 
英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 （1200V/400A），針對(duì)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車進(jìn)行了優(yōu)化。
2025-02-20 18:07:182813 
TDK株式會(huì)社近期推出了兩款全新的無(wú)鉛NTC熱敏電阻，以滿足廣泛的汽車和工業(yè)應(yīng)用需求。這兩款產(chǎn)品分別為帶可彎曲引線的L862(B57862L)系列和具有引線間距的L871(B57871L)系列。 這
2025-02-11 09:58:43839 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT1174-1塑料、無(wú)鉛極薄四邊形扁平封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 14:50:050 英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)
2025-02-08 11:24:57891 無(wú)鉛錫線是一種在現(xiàn)代工業(yè)和電子領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料，其無(wú)鉛特性使其成為環(huán)保和可持續(xù)性焊接的優(yōu)先選擇。以下由深圳佳金源錫線廠家來(lái)講一下無(wú)鉛錫線在各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中的廣泛使用情況的詳細(xì)介紹。1、電子制造
2025-01-17 17:59:071046 
的智能技術(shù)。針對(duì)這一趨勢(shì)，英飛凌科技(InfineonTechnologies)推出了全新的MOTIX?BTM90xx系列全橋/H橋集成電路(IC)，為有刷直流電
2025-01-16 10:57:091058 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開(kāi)關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)電壓保護(hù)開(kāi)關(guān)，電池充放電開(kāi)關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2025-01-08 16:34:241182 我們也發(fā)現(xiàn)Schweizer在更早前其實(shí)就已經(jīng)推出了名為P2的封裝方案，這個(gè)方案同樣是將功率半導(dǎo)體嵌入PCB中。他們?cè)?023年開(kāi)始與英飛凌合作開(kāi)發(fā)，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術(shù)，并應(yīng)用到電動(dòng)汽車上。 ? P 2封裝的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用 ? 根據(jù)
2025-01-07 09:06:134389 
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