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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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產(chǎn)品應(yīng)用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強(qiáng)性能快充
前言近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強(qiáng)性能氮化鎵充電器A2655，產(chǎn)品由蘋果獨(dú)家提供，現(xiàn)已上架蘋果商城。產(chǎn)品配備多達(dá)四口USB-C快...
瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管，推動高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足...
霍爾元件的工作原理及其在低速測量中的應(yīng)用? 霍爾元件是一種常用的物理傳感器，可以測量磁場的強(qiáng)度和方向。它是通過霍爾效應(yīng)來工作的，霍爾效應(yīng)是指在導(dǎo)電材料中...
馬瑞利與半導(dǎo)體公司Transphorm攜手布局新能源技術(shù)領(lǐng)域
近日，汽車供應(yīng)商MARELLI宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。
羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司市場宣傳課高級經(jīng)理張嘉煜表示，羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅及氮化鎵技術(shù)，打造了高效處理電力的功率半導(dǎo)體器件，面向汽車、工業(yè)設(shè)備等應(yīng)...
Transphorm推出基于GaN的新型汽車/EV功率轉(zhuǎn)換解決方案
Transphorm驗證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦，這進(jìn)一步印證了GaN用于電動汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.4k 0
硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長度可以拉長至2米。 硅基氮化鎵器件...
GaN激光雷達(dá)普及加速 | 氮化鎵技術(shù)如何推動ToF激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展？
激光雷達(dá)主要是由激光發(fā)射器、接收器、處理器以及激光操控模組這四個模塊構(gòu)成。使用激光雷達(dá)測距，多用飛行時間法（TOF）。
充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案，這款方案采用了智融推出的初級主控芯片和降壓協(xié)議芯片，為固定電壓輸出，搭配二次降壓電路實(shí)現(xiàn)多口快充，...
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...
氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 3.3k 0
一、氮化鎵PD快充市場前景 2020年已成為氮化鎵快充爆發(fā)的一年。據(jù)統(tǒng)計，在作為消費(fèi)類電子風(fēng)向標(biāo)的手機(jī)行業(yè)中，目前已有多家知名手機(jī)品牌先后推出了基于手機(jī)...
國外碳化硅大廠：產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料，憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳...
中圖科技凈利潤暴跌超80%：營收下降應(yīng)收賬款卻逐年劇增
據(jù)其介紹，目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）、圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)...
2021-04-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)LED芯片氮化鎵 3.3k 0
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表，具有寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性，在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對推動Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
Navitas受邀“上汽大眾”路演 創(chuàng)新型氮化鎵技術(shù)脫穎而出
納微半導(dǎo)體今天宣布受邀參加上汽大眾站“Winnovation：Wins In Innovation”路演，該路演于2019年6月28日舉行。
昨日晚間，倍思召開了 2022 年春季新品發(fā)布會，帶來20余款新品，隨即倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，新品支持最新...
基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗室的研究團(tuán)隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。
?國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)
由于技術(shù)門檻較高，只有國際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...
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