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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體：氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn)，抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用
早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí)，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
矽力杰合封氮化鎵芯片在多家廠商中實(shí)現(xiàn)規(guī)?；逃?/a>
氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，通過降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通阻抗，提高效率，降低發(fā)熱，減小了快充充電器的體積。
中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì)，并受邀發(fā)表主題演講，與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...
氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時(shí)代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...
2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 3.1k 0
這里將建成國際前三的氮化鎵單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地
1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“納維科技”）總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。 項(xiàng)目占地面積超14000平方米，總建筑面積超34000平方米...
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵viper 3.1k 0
鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺(tái)
珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局：力積電成焦點(diǎn)，功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4...
新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，...
愛美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭，采用茂睿芯成熟穩(wěn)定的 IC 芯片及第三代半導(dǎo)體制造商-潤新微 GaN-MOS，充電器具備 2...
鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域？
中國對鎵、鍺實(shí)施出口管制，短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶，推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，國外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。
2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 3.1k 0
在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。 我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，...
對于經(jīng)常有出差需求的筆者來說，Macbook是必須隨身攜帶的，至于手機(jī)自然也是不可或缺的機(jī)不離身，有時(shí)還會(huì)擔(dān)心行程時(shí)間太久遠(yuǎn)，帶上HiFi播放器一路上聽...
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
臺(tái)積電開發(fā)氮化鎵制程，往下一個(gè)領(lǐng)域發(fā)展
集微網(wǎng)消息，據(jù)臺(tái)灣先探投資周刊報(bào)道，隨著5G，電動(dòng)汽車時(shí)代的到來，高頻高壓功率元件的需求大幅度增加，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等半導(dǎo)體材料迎來了...
上周日，問天實(shí)驗(yàn)艙由長征5號B遙三運(yùn)載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上現(xiàn)役最大的單體載人航天艙段送上...
2022-08-01 標(biāo)簽：氮化鎵衛(wèi)星系統(tǒng)空間站 3k 0
氮化鎵射頻開關(guān)在高功率射頻設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
然而，一個(gè)諧波濾波器需要一個(gè)保護(hù)帶，以達(dá)到對帶內(nèi)頻率低端的二次諧波的最小抑制要求。例如，如圖2所示，第一個(gè)頻段不能是30至60MHz，或一個(gè)倍頻程，因?yàn)?..
2022-09-20 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵射頻開關(guān) 3k 0
蘇州納米所在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展
圖1.基于GaN SBD的無源太赫茲相控陣芯片 隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展，太赫茲波因超寬帶、高定向性和高分辨率等優(yōu)勢，成為6G通信的重要頻譜資源。然而，頻...
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