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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體公布2025年第三季度財務(wù)業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克...
2025-11-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 2.8k 0
宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET
納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克，以股票代碼NVTS上市交易
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達(dá)克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2.8k 0
日前，紫米公司發(fā)布致歉公告，表示ZMI 33W氮化鎵充電器，因不可抗力原因?qū)е聼o法如期上市，具體日期待定中，更新進(jìn)度會及時告與大家，望理解體諒。
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有...
圖1. FP腔邊發(fā)射激光器、DFB邊發(fā)射激光器、VCSEL和PCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖、典型遠(yuǎn)場發(fā)散角及輸出光譜特性。 常規(guī)的半導(dǎo)體激光器，如Fabry–P...
格芯收購Tagore Technology氮化鎵技術(shù),加速電源管理創(chuàng)新
近日，全球領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries，簡稱GF）宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略舉措，成功收購了Tagore Technology公司所持...
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當(dāng)紅炸子雞。前段時間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。
小米納微三度攜手，小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布！
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用...
近日，小米上架了兩款充電器，一個是小米充電器120W秒充版，售價249元，另一個是小米氮化鎵GaN充電器55W，售價99元。兩款充電器均附送數(shù)據(jù)線。
OPPO超快閃充80W氮化鎵雙口充電器套裝上市，售價169元
據(jù)悉，該設(shè)備具備Type-C及USB-A兩接口，單接口均支持80W Max閃充，半小時內(nèi)即可將Find X7由1%充滿至100%。雙口同時輸出時，可達(dá)到...
納微十年，氮化鎵GaNSlim上新，持續(xù)引領(lǐng)集成之勢
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品，也...
在日本政府推行新能源車鼓勵政策下，日本廠商正在積極擴(kuò)產(chǎn)備戰(zhàn)
對于技術(shù)的追求以及資本推動下，日本在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域一直擁有強(qiáng)大的實(shí)力。據(jù)悉，目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個國家和地區(qū)提供，他們憑借先...
2021-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 2.7k 0
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干...
高中低壓全品線布局！一家快速發(fā)展的國產(chǎn)氮化鎵IDM芯片廠商
據(jù)了解，致能科技成立于2018年，專注于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來，公司的發(fā)展勢頭愈發(fā)亮眼，已研發(fā)出了650V、900V系列...
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體...
外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對此我國外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制是中方...
放眼當(dāng)下市場，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇空間十分有限，同時也蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。日前，智融科技推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片...
世界首個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片和一對氮化鎵晶體管的MasterGaN產(chǎn)品平臺
ST獨(dú)有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗(yàn)的專業(yè)知識和設(shè)計(jì)能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)而成，能夠加快節(jié)省空間、高能效的...
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