功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)達(dá)73%

1 得益于移動(dòng)快充、AI數(shù)據(jù)中心對(duì)氮化鎵的持續(xù)采用，以及碳化硅在電動(dòng)汽車、太陽能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長(zhǎng)，納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長(zhǎng)達(dá)73%。...

2024-05-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 2.6k 0

氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...

2023-02-07 標(biāo)簽：芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.6k 0

2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)6月21-23日濟(jì)南召開

半導(dǎo)體晶體是信息產(chǎn)業(yè)的基石，其生長(zhǎng)技術(shù)、加工工藝、關(guān)鍵設(shè)備、器件應(yīng)用及原材料供給等對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定至關(guān)重要。

2024-05-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.6k 0

最新一代 GaN 器件為功率器件帶來智能和自主性

氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導(dǎo)體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅基設(shè)備快幾倍，從而減小了芯片和系統(tǒng)尺寸。此外，它...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器設(shè)計(jì) 2.6k 0

功率半導(dǎo)體賦能清潔能源轉(zhuǎn)型 共筑綠色發(fā)展新生態(tài)

據(jù)媒體報(bào)道，我國(guó)已建成世界規(guī)模最大的清潔能源供應(yīng)體系。2012年至2024年，我國(guó)以年均3.4%的能源消費(fèi)增速支撐了年均6.1%的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，能耗強(qiáng)度累計(jì)...

2025-12-22 標(biāo)簽：MOSFET可控硅IGBT 2.6k 0

商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...

2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 2.6k 0

低成本垂直GaN（氮化鎵）功率器件的優(yōu)勢(shì)

GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型...

2023-09-13 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 2.5k 0

讓我們一起實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行

　　我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 （GaN） 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場(chǎng)...

2016-05-04 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 2.5k 0

【HPMicro inside】高爆發(fā)氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

本文導(dǎo)讀JMD101是一款基于EtherCAT通信的高爆發(fā)關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，面向高端工業(yè)/機(jī)器人場(chǎng)景，集電源、驅(qū)動(dòng)、通信與控制技術(shù)于一體，專為實(shí)現(xiàn)高精度...

2025-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 2.5k 0

GaN和SiC熱管理的進(jìn)展

電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢(shì)以及對(duì)功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.5k 0

半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速

第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵 2.5k 0