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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強(qiáng)型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)要求。
格芯（GlobalFoundries，納斯達(dá)克代碼：GFS）與納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor，納斯達(dá)克代碼：NVTS）今日正式宣...
2025-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵格芯納微半導(dǎo)體 2.4k 0
【芯聞精選】穩(wěn)懋加碼投資建廠，預(yù)計(jì)三年后量產(chǎn)；大眾汽車宣布將自研高性能芯片
2021年90期 產(chǎn)業(yè)新聞 ? 長(zhǎng)電科技完成50億元定增項(xiàng)目，進(jìn)一步提升芯片成品制造能力 ? 5月8日消息 電科技近日發(fā)布公告稱，公司完成定增募資約50...
全球領(lǐng)先！納微半導(dǎo)體氮化鎵芯片出貨量超1300萬(wàn)顆
納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀(jì)錄，已向市場(chǎng)成功交付超過(guò)1300萬(wàn)顆氮化鎵（GaN）功率IC實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率IC納微半導(dǎo)體 2.4k 0
Power Integrations推出LYTSwitch-6系列安全隔離型LED驅(qū)動(dòng)器IC的最新成員
基于PowiGaN的LYT6078C IC集成了一個(gè)750V功率開關(guān)，可提供高達(dá)90W的無(wú)閃爍輸出，同系列的其他器件可提供高達(dá)110W的無(wú)閃爍輸出。包括...
2020-09-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器功率開關(guān)氮化鎵 2.4k 0
氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心
在廠商的推廣和終端產(chǎn)品的面世后，氮化鎵器件的優(yōu)勢(shì)大家也都有所耳聞了。更快的開關(guān)速度省去了更多的無(wú)源器件，從而實(shí)現(xiàn)了更小的體積和更低的成本；更小的開關(guān)損耗...
2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2.3k 0
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 標(biāo)簽：CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾 2.3k 0
一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來(lái)，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無(wú)線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
臺(tái)鈴發(fā)布新型無(wú)線充電專利技術(shù)，InnoGaN正式進(jìn)軍電動(dòng)車領(lǐng)域
臺(tái)鈴在天津展上重磅首發(fā)“奔跑的機(jī)器人”——N9超智版智能電動(dòng)車，提出了擁有16項(xiàng)發(fā)明專利加持的氮化鎵有線+無(wú)線充電黑科技，臺(tái)鈴再一次驚艷業(yè)界，以技術(shù)創(chuàng)新...
在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，...
氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)代理
近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國(guó)內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署...
2023-03-08 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 2.3k 0
RF GaAs模具市場(chǎng)將從2019年的28億美元左右增長(zhǎng)到2025年的36億美元以上。這一市場(chǎng)是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長(zhǎng)推動(dòng)的。
目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。
納微半導(dǎo)體宣布全球首個(gè)氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管...
快充國(guó)產(chǎn)替代新突破！爭(zhēng)妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD，替代英諾賽科INN650D02
在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲(chǔ)能等高頻需求，成為市場(chǎng)增長(zhǎng)核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核...
2025-12-23 標(biāo)簽：MOSFET快恢復(fù)二極管氮化鎵 2.3k 0
英諾賽科香港上市，國(guó)內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生
近日，國(guó)內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著國(guó)內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股正式誕生，...
2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2.3k 0
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、...
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”，在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。
納微半導(dǎo)體2022年第四季度及全年財(cái)報(bào)亮眼 2022年收入增長(zhǎng)60%
1 2022年收入增長(zhǎng)60%。 2 納微藉技術(shù)、終端市場(chǎng)、地域多樣化形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)。 3 取代功率半導(dǎo)體器件中的傳統(tǒng)硅應(yīng)用；實(shí)現(xiàn)新增長(zhǎng)市場(chǎng)電氣化。 下一代...
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