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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體GaNSense半橋芯片達(dá)到更高層級(jí)的效率和節(jié)能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個(gè)GaN FETs 和驅(qū)動(dòng)器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能，為電子元件創(chuàng)建了一個(gè)易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相...
2022-09-09 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 2.1k 0
該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 2.1k 0
機(jī)械革命無界14 Pro銳龍版即將上市，配備2.8K 120Hz顯示屏和5.1G網(wǎng)卡
在屏幕方面，新款電腦也同樣出色。其配置了2.8K 120Hz的顯示屏，像素達(dá)到了2880*1800，且具有400nit的光照度（典型值）與100%的sR...
日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航升級(jí)
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件，旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競(jìng)爭(zhēng)...
2024-10-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC氮化鎵 2.1k 0
Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC
新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量，在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迅猛增長(zhǎng)：消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)
除了智能手機(jī)，通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
Other Parts Discussed in Post: LMG5200當(dāng)測(cè)定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和...
納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
什么是氮化鎵合封芯片科普，氮化鎵合封芯片的應(yīng)用范圍和優(yōu)點(diǎn)
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度...
英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵
在近日的業(yè)內(nèi)電源展會(huì)上，英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應(yīng)用，一款功率為65W的USB PD充電器。
英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級(jí)GaN推進(jìn)汽車激光雷達(dá)市場(chǎng)
英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級(jí)氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過AEC-Q101 認(rèn)證，適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)...
三星計(jì)劃入局8英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體代工服務(wù)
三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體代工服務(wù)，以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種...
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用...
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并降低在設(shè)計(jì)過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險(xiǎn)。
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配，甚至，不少手機(jī)廠商還將“百瓦級(jí)”快充作為宣傳自家旗艦的一大亮點(diǎn)。
現(xiàn)代生活離不開手機(jī)，但是低效率和漫長(zhǎng)的充電時(shí)間卻讓人煩惱不已?，F(xiàn)在，有一種新型的氮化鎵充電器能夠解決這些問題。氮化鎵充電器采用了最新的半導(dǎo)體材料技術(shù)，使...
GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦：身藏寶藏，初現(xiàn)鋒芒
10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會(huì)展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會(huì)，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)...
近日，美國一家GaN企業(yè)宣布破產(chǎn)倒閉，該企業(yè)還有一個(gè)晶圓廠，總投資超過10億人民幣，而且該企業(yè)此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅(qū)，倒閉原因是什么？
“芯”品發(fā)布｜鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級(jí) GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
2025-11-27 2k 0
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)升溫，成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術(shù)公司，加速在這一領(lǐng)域的布...
2024-08-26 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 2k 0
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