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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

氮化鎵（GaN）如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)

為了提高采用率，電動(dòng)汽車(chē)必須提供安全性和便利性，在這種情況下，這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...

2022-12-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)DC-DC 氮化鎵 2.2k 0

氮化鎵半導(dǎo)體材料研究

氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢(shì)是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包...

2022-03-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.2k 0

金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵偏置電壓 2.2k 0

福布斯專訪納微半導(dǎo)體：談氮化鎵在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用

納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車(chē)以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。

2021-08-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)充電器汽車(chē)電子 2.2k 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 2.2k 0

半導(dǎo)體市場(chǎng)剛起步誰(shuí)能成為下個(gè)勝利者？

過(guò)去30年，臺(tái)積電、聯(lián)電擅長(zhǎng)制造的邏輯IC，基本上都是以硅做為材料?！腹杌旧鲜且环N相當(dāng)全能的材料?！构ぱ性寒a(chǎn)業(yè)科技國(guó)際策略發(fā)展所研究總監(jiān)楊瑞臨觀察。

2021-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.2k 0

貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器高頻應(yīng)用的好選擇

TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。

2019-09-29 標(biāo)簽：氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器貿(mào)澤電子 2.2k 0

韓國(guó)晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金，繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度

盡管東晶圓的2023年銷售與運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)雙雙大幅縮水，分別相較去年減少了31%和65%，但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金，鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭(zhēng)奪日...

2024-02-19 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵碳化硅 2.2k 0

氮化鎵發(fā)展深度評(píng)估

從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的...

2020-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵 2.2k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)生新人事任命

氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布已任命 Ron Shelton 為新任高級(jí)副總裁、首席財(cái)務(wù)官和財(cái)務(wù)主管。同時(shí)，臨時(shí)首席財(cái)...

2022-06-02 標(biāo)簽：芯片氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.2k 0

士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級(jí)無(wú)頻閃隔離LED照明驅(qū)動(dòng)方案

在LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。士蘭微電子以先進(jìn)的高壓MOS工藝平臺(tái)為基礎(chǔ)，以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝，成為...

2024-04-19 標(biāo)簽：變壓器 led照明氮化鎵 2.2k 0

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EP...

2020-11-13 標(biāo)簽：適配器服務(wù)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.2k 0

GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

2024-01-11 標(biāo)簽：雪崩擊穿氮化鎵 GaN 2.1k 0

首款氮化鎵充電樁發(fā)布氮化鎵充電更快嗎？

這款氮化鎵充電樁的外觀采用機(jī)甲身型設(shè)計(jì)，并進(jìn)行了金屬磨砂噴漆處理，內(nèi)嵌了燈帶，通過(guò)不同顏色的燈光狀態(tài)來(lái)顯示充電進(jìn)度：綠燈常亮表示已充滿，綠燈閃爍表示充電...

2023-08-30 標(biāo)簽：充電器適配器氮化鎵 2.1k 0

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

開(kāi)關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車(chē)載電子系統(tǒng)中，完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)開(kāi)關(guān)電源芯片的電磁干擾（EMI）噪聲的要求也日益嚴(yán)苛。

2024-05-20 標(biāo)簽：集成電路電磁干擾氮化鎵 2.1k 0

構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管是構(gòu)建光電器件的基本單元之一。然而，傳統(tǒng)p-n結(jié)二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制，這使得載流子的調(diào)控性受到影響

2024-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 PN結(jié)氮化鎵 2.1k 0

氮化鎵市場(chǎng)，中國(guó)扮演重要角色

借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性價(jià)比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價(jià)比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...

2023-03-10 標(biāo)簽：功率氮化鎵 GaN 2.1k 0

65W-1A2C接口氮化鎵(GaN)PD快充電源方案

1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3....

2023-04-07 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 2.1k 0

Nexperia最新發(fā)布的GaN產(chǎn)品

__[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來(lái)越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無(wú)引...

2022-09-27 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN Nexperia 2.1k 0

南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)蒞臨國(guó)星半導(dǎo)體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片

? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力，為南海區(qū)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐，11月2日下午，南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局局長(zhǎng)薛佩華，科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長(zhǎng)熊惠芬，科技成果轉(zhuǎn)化股股...

2023-11-06 標(biāo)簽：LED芯片功率器件氮化鎵 2.1k 0

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大疆無(wú)人機(jī)

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深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年，如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間，大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無(wú)人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系，在無(wú)人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
波音

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空客

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空客更加舒適安全，因?yàn)榭湛捅ｋU(xiǎn)和飛機(jī)材料都是比較齊全和高質(zhì)量的?？湛偷臋C(jī)翼設(shè)計(jì)水平是比較高的，飄降能力較強(qiáng)，大量采用復(fù)合材料，飛機(jī)重量減輕，燃油消耗降低，但同時(shí)復(fù)合材料導(dǎo)電能力差，在云中容易遭受電擊
電動(dòng)飛機(jī)

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電動(dòng)飛機(jī)是由供電的飛機(jī)電力經(jīng)由一個(gè)或螺旋槳驅(qū)動(dòng)多個(gè)電動(dòng)馬達(dá)，電力可以通過(guò)多種方法提供，常見(jiàn)的有燃料電池、太陽(yáng)能電池、超級(jí)電容器等。
大疆創(chuàng)新

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工業(yè)級(jí)無(wú)人機(jī)主要用于農(nóng)林植保、物流、安保巡防以及油氣開(kāi)采等眾多行業(yè)，用戶更注重?zé)o人機(jī)數(shù)據(jù)采集的精準(zhǔn)化，以及在此基礎(chǔ)上形成的資源分析與利用價(jià)值。
植保無(wú)人機(jī)

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植保無(wú)人機(jī)，又名無(wú)人飛行器，顧名思義是用于農(nóng)林植物保護(hù)作業(yè)的無(wú)人駕駛飛機(jī)，該型無(wú)人飛機(jī)由飛行平臺(tái)（固定翼、直升機(jī)、多軸飛行器）、導(dǎo)航飛控、噴灑機(jī)構(gòu)三部分組成，通過(guò)地面遙控或?qū)Ш斤w控，來(lái)實(shí)現(xiàn)噴灑作業(yè)，可以噴灑藥劑、種子、粉劑等。
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多旋翼無(wú)人機(jī)

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系留無(wú)人機(jī)

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系留無(wú)人機(jī)，又稱系留式無(wú)人機(jī)，為多旋翼無(wú)人機(jī)的一種特殊形式。系留一定是有電傳輸源源不斷的電源供電才稱為系留。
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