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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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隨著手機(jī)充電技術(shù)的迅猛發(fā)展，快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配，不少手機(jī)廠商還將“百瓦級”快充作為自家旗艦的宣傳亮點(diǎn)。
中國降價影響美臺三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)利潤
有報道稱，兩年前，第三代半導(dǎo)體概念曾成為市場熱點(diǎn)，不僅中國大陸股市大幅上漲，還推動臺灣地區(qū)同類企業(yè)股價攀升。然而，近兩年來，美臺相關(guān)企業(yè)業(yè)績表現(xiàn)與預(yù)期相去甚遠(yuǎn)。
據(jù)日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
意法半導(dǎo)體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體無線網(wǎng)絡(luò)氮化鎵 2.3k 0
7月31日，是世界氮化鎵日。在這個充滿探索與突破的時代，氮化鎵憑借其卓越的特質(zhì)和廣袤的應(yīng)用維度，化作科技領(lǐng)域的一顆冉冉升起的新星。氮化鎵的登場，給電子行...
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的...
在智能設(shè)備飛速發(fā)展的今天，無論是家里的智能音箱，還是工廠的自動化設(shè)備，都對其“心臟”—電源模塊，提出了前所未有的高要求：高效率、小體積、高可靠性、綠色環(huán)...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
Qorvo全球CEO專訪：手機(jī)中哪些射頻器件會爆增？
“我們在未來的5G 射頻市場將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)，特別是運(yùn)營商最新要求的...
西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線，中國科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共...
2023-09-25 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 2.2k 0
氮化鎵上車進(jìn)行時：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗(yàn)證
2025年12月，匯川聯(lián)合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國新能源汽車...
2026-01-09 標(biāo)簽：氮化鎵 2.2k 0
電動汽車的日益普及正在改變行業(yè)，對緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時又不影響車輛性能。同時，設(shè)計更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場。電動汽車 (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...
英飛特氮化鎵LED驅(qū)動電源助力邁向可持續(xù)照明新時代
在“碳達(dá)峰、碳中和”成為全球共識的背景下，提升能源利用效率已成為各行業(yè)的核心任務(wù)。照明約占全球電力消耗的15%，而LED 驅(qū)動電源作為照明系統(tǒng)的核心部件...
據(jù)了解，此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù)，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，可以從基板...
國產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（簡稱PCIM Asia）在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會，本屆...
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)
近日，在第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會上，香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器，每個都配備中央處理單元 （CPU）、圖形處理單元 （GPU） 和能夠存儲大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存，因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 2.2k 0
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