氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻技術(shù)

本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。

2022-03-17 標(biāo)簽：工藝氮化鎵刻蝕 2k 0

說不完道不盡的氮化鎵，氮化鎵（GaN）具有哪些功能

希望昨晚舉行的2015 APEC（國際電力電子應(yīng)用會議暨展覽會）座談會能夠最終將此話題確定下來。雖然參加的人很多，但似乎也過于夸大這一話題了。多少次，我...

2021-11-10 標(biāo)簽：控制器氮化鎵 2k 0

Nexperia第二代650V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2kW或更高功率下運行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。

2021-04-27 標(biāo)簽：服務(wù)器功率器件氮化鎵 2k 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些

氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵Anker 2k 0

力生美攜快充方案可解決不同范圍內(nèi)的電壓需求

8日，亞洲充電展（秋季）在福田會展中心順利舉辦。作為充電行業(yè)最具人氣的展會，3天展會帶來過萬人次的流量，吸引了各行業(yè)內(nèi)的專家、采購、工程師來參觀交流。 ...

2023-08-29 標(biāo)簽：變壓器氮化鎵快充 1.9k 0

Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統(tǒng)與產(chǎn)品

　　“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產(chǎn)品，包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進一步滿足消費者多樣化的充電需求。

2022-07-27 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 1.9k 0

EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉(zhuǎn)換器評估模塊——EPC9151

面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級實現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。

2020-12-22 標(biāo)簽：EPCDC-DC轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 1.9k 0

納微半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競手機發(fā)布，搭配120W氮化鎵神仙秒充，梅賽德斯F1手機震撼上市

納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共...

2022-03-14 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.9k 0

科雅超低音X2電容用于NITRIDE 65W超薄氮化鎵充電器

深圳市譽鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計，厚度僅為12.8mm。支持...

2022-12-02 標(biāo)簽：充電器脈沖氮化鎵 1.9k 0

10月30-31日重磅來襲丨CS China常州會議精彩劇透！匯聚頂流技術(shù)大咖，聚焦行業(yè)前沿風(fēng)向！

化合物半導(dǎo)體是我國重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭格局的重要突破口！隨著競爭的加劇，化合物半導(dǎo)體材料進入技術(shù)創(chuàng)新爆發(fā)期，各種新技術(shù)、新產(chǎn)品層出不窮。氮化鎵、碳化硅...

2024-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵化合物半導(dǎo)體 1.9k 0

日本羅姆半導(dǎo)體加強與臺積電氮化鎵合作,代工趨勢顯現(xiàn)

近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺積電的合作，其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵...

2024-10-29 標(biāo)簽：臺積電氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.9k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布了最新的AI人工智能數(shù)據(jù)中心電源技術(shù)路線圖

納微氮化鎵和碳化硅技術(shù)并進，下一代AI數(shù)據(jù)中心電源功率突破飛升

2024-03-13 標(biāo)簽：電源技術(shù)氮化鎵人工智能 1.9k 0

泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日，深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達(dá)成了一項全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競爭力。

2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片 1.9k 0