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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無線充電功率

全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX, OTCQX: IFNNY)近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Elect...

2024-10-22 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體氮化鎵 1.9k 0

德州儀器日本會(huì)津工廠啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)

德州儀器(TI)宣布,其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI...

2024-10-26 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵GaN 1.9k 0

Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作

隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場(chǎng)的不斷增長(zhǎng),基于GaN的主流設(shè)計(jì)正漸入佳境,勢(shì)必推動(dòng)2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長(zhǎng)。

2021-03-12 標(biāo)簽:汽車電子氮化鎵Nexperia 1.9k 0

納微半導(dǎo)體CTO登場(chǎng)SEMICON Taiwan 2021大會(huì),介紹氮化鎵技術(shù)

 氮化鎵(GaN)是下一代半導(dǎo)體技術(shù),它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。

2021-09-08 標(biāo)簽:充電器氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 1.9k 0

納微氮化鎵功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充

納微氮化鎵功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充

氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9...

2021-12-30 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.9k 0

基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)

據(jù)云塔科技消息,1月15日,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異...

2024-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.9k 0

納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片助力一加11 5G版搭配100W超級(jí)閃充上市

? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體...

2023-02-28 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體一加手機(jī) 1.9k 0

氮化鎵充電器如何變得更快更強(qiáng)

隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子領(lǐng)域也在不斷發(fā)展。在這個(gè)領(lǐng)域中,氮化鎵(GaN)作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,正逐漸被廣泛應(yīng)用在各種電力電子器件中,其中最...

2023-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1.9k 0

氮化鎵芯片如何選擇?

氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景,如音頻、視頻...

2023-10-26 標(biāo)簽:芯片IC氮化鎵 1.9k 0

納微半導(dǎo)體攜手力積電,啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃

納微半導(dǎo)體攜手力積電,啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃

下一階段戰(zhàn)略有望強(qiáng)化供應(yīng)鏈、推動(dòng)創(chuàng)新,降本增效——助力納微氮化鎵(GaN)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能以及家電、手機(jī)移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的快速應(yīng)用。 加利...

2025-07-02 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.9k 0

電子科技大學(xué)在量子光源芯片研制領(lǐng)域取得重大突破

量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的中樞器具,如同“量子燈泡”,賦予聯(lián)網(wǎng)用戶量子信息交互的能力。當(dāng)前,量子光源芯片主要以氮化硅等材料制造,而此次研發(fā)的氮化鎵量子...

2024-04-19 標(biāo)簽:芯片量子氮化鎵 1.8k 0

瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Tran...

2024-01-11 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵GaN 1.8k 0

氮化鎵材料在電力電子器件中的應(yīng)用

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隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而氮化鎵(GaN)材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性,氮化鎵在電力電...

2023-10-13 標(biāo)簽:芯片電子器件氮化鎵 1.8k 0

第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅

第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅

  隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代,能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始...

2023-09-22 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.8k 0

福克斯電視臺(tái)專訪納微半導(dǎo)體CEO:納微氮化鎵技術(shù)走向世界

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截至 2021 年 5 月,超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。

2021-08-24 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.8k 0

北京冬奧會(huì)實(shí)現(xiàn)核心信息系統(tǒng)100%云上運(yùn)行

當(dāng)不同行業(yè)數(shù)字化程度趨于成熟,智慧城市雛形初現(xiàn)。2022北京冬奧會(huì)通過引進(jìn)智慧城市多種產(chǎn)品與模式,打造出微縮版城市空間,為全球展示著未來各個(gè)領(lǐng)域的可能樣...

2022-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.8k 0

氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用

本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比,氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...

2011-12-12 標(biāo)簽:氮化鎵射頻通信 1.8k 0

納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用

從三星S22到S23,下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)...

2023-11-03 標(biāo)簽:智能手機(jī)充電器氮化鎵 1.8k 0

氮化鎵充電器為什么這么火?

隨著氮化鎵充電頭的出現(xiàn),越來越多的人開始關(guān)注并選擇使用這種新型的充電設(shè)備。那么,氮化鎵充電頭好在哪,為什么這么多人選擇呢?

2023-10-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1.8k 0

騰訊紅魔手機(jī)6將標(biāo)配120W氮化鎵充電器

騰訊紅魔游戲手機(jī)6將于3月4日正式發(fā)布,搭載高通驍龍888處理器,還可能是業(yè)界首款內(nèi)置風(fēng)扇的驍龍888旗艦游戲手機(jī)。

2021-02-22 標(biāo)簽:充電器氮化鎵騰訊 1.8k 0

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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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