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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)
上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實(shí)驗(yàn)室首次在77 K?下成功制作出第一個(gè)電激發(fā)氮化鎵VCSEL，其雷...
美國(guó)政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片
隨著國(guó)防部Trusted Access Program Office（TAPO）授予的35萬美元新資金，GF計(jì)劃購買額外的工具，以擴(kuò)大開發(fā)和原型設(shè)計(jì)能力...
2023-11-24 標(biāo)簽：芯片氮化鎵半導(dǎo)體制造 1.8k 0
英諾芯半導(dǎo)體IN3261G+IN1305M :33W氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的33W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM?反激式控制器。該...
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)? 近日，Power Integrations(以...
2024-11-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN開關(guān)IC 1.7k 0
納微氮化鎵功率芯片進(jìn)入全新三星Galaxy S22系列45W旅行充電器
Navitas 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Gene Sheridan 表示：“三星的消費(fèi)者欣賞具有創(chuàng)新、性能和質(zhì)量卓越的領(lǐng)先技術(shù)。 “三星和納微在提供下一...
騰訊專訪納微副總裁查瑩杰：電源架構(gòu)與材料，即將發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變
在采訪中，查瑩杰先生向我們介紹了氮化鎵在電力電子行業(yè)的現(xiàn)狀與發(fā)展，納微半導(dǎo)體的使命以及未來發(fā)展的方向。
2021-07-02 標(biāo)簽：氮化鎵騰訊納微半導(dǎo)體 1.7k 0
貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評(píng)估板。
2020-03-16 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0
GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：18...
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
意法半導(dǎo)體與臺(tái)積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場(chǎng)采用率
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢(shì)十分明顯，例如，在大功率工作時(shí)能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。
2020-02-24 標(biāo)簽：臺(tái)積電意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.7k 0
氮化鎵第三代半導(dǎo)體材料，在消費(fèi)電源市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用
隨著各大手機(jī)和筆記本電腦品牌紛紛進(jìn)入氮化鎵快充市場(chǎng)，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場(chǎng)的普及。目前，快充源市場(chǎng)上氮化鎵...
納微半導(dǎo)體與Live Oak II簽訂合并最終協(xié)議，以10.4億美元的企業(yè)價(jià)值上市
納微半導(dǎo)體已向戴爾、聯(lián)想、小米、OPPO、LG、亞馬遜、貝爾金等幾十家高端客戶交付了超過1800萬顆GaNFast?功率芯片，沒有收到任何故障報(bào)告。
2021-05-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵功率芯片 1.7k 0
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），今天發(fā)布了新型氮化鎵 （GaN） 集成功率倍增器，為快速增長(zhǎng)的有線電...
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H800...
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
高頻驅(qū)動(dòng)下的第三代半導(dǎo)體服務(wù)器電源對(duì)磁性材料提出了高頻、低損耗要求。本期對(duì)話通過行業(yè)內(nèi)權(quán)威教授、服務(wù)器電源廠商、磁性元器件廠商、磁芯廠商以及線材廠商的對(duì)...
RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3
日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫...
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