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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長碳...
每個世紀(jì)在人類努力的各個領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對于電力電子而言，21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗...
氮化鎵（GaN）作為現(xiàn)在重要的第三代半導(dǎo)體材料，具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力，能夠...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來提高能效和功率密度。
力德諾70W多口氮化鎵充電器自帶1.5米可拆卸電源線設(shè)計，作為桌面充電器方便日常使用不受空間限制。產(chǎn)品配有LED屏幕可以顯示實時輸出功率，方便了解設(shè)備的...
作為Redmi Note 12系列的重頭戲，Redmi Note 12探索版配備了210W“神仙秒充”，在等效4300mAh電池下，5分鐘就能充至66%...
2022-12-02 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.6k 0
恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實現(xiàn)高能效移動網(wǎng)絡(luò)
減少能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的一個主要目標(biāo)，其中每一點效率都至關(guān)重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%，比公司上一...
隨著科技的不斷發(fā)展，充電器的種類和性能也在不斷升級。最近，氮化鎵充電器的出現(xiàn)引起了廣泛關(guān)注。那么，氮化鎵充電器是什么?它又是如何比傳統(tǒng)充電器更出色的呢?
三星在2023年年度三星代工論壇 (SFF) 上公布了更新的制造技術(shù)路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米和 1.4納米級節(jié)點上...
GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮，預(yù)估2030年市場規(guī)模將突破43億美元
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術(shù)的投入不斷加...
近日，無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件...
1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （Ga...
世強與泰高簽署代理協(xié)議 滿足市場對氮化鎵充電器的需求
近日，深圳市泰高技術(shù)有限公司（下稱“泰高”）與世強先進(jìn)（深圳）科技股份有限公司（下稱“世強先進(jìn)”）簽署代理協(xié)議，授權(quán)世強先進(jìn)代理其旗下氮化鎵電源產(chǎn)品、低...
憑藉在第三代半導(dǎo)體GaN制造方面的專業(yè)知識、強大科研技術(shù)團(tuán)隊及研發(fā)能力，宏光半導(dǎo)體近年積極實現(xiàn)相關(guān)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。集團(tuán)之技術(shù)團(tuán)隊利用其豐富經(jīng)驗，在短短三個月調(diào)...
納微十載征程，引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展
在功率半導(dǎo)體行業(yè)，納微半導(dǎo)體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際，納微半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷...
2024-02-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 1.6k 0
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 1.6k 0
納微半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強化戰(zhàn)略合作
加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（...
2025-12-04 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.6k 0
CNBC專訪納微半導(dǎo)體：全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計中心展望及新聞稿
美西時間2月4日，納微半導(dǎo)體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示，電動汽車是納微下一個目標(biāo)市場。
納微半導(dǎo)體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充
作為摩托羅拉的最新旗艦?機，X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器，采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是，...
2022-11-15 標(biāo)簽：摩托羅拉氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.6k 0
英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布，電壓覆蓋700V！
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的...
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