VisIC Technologies為大功率氮化鎵牽引逆變器鋪平了道路

因此，VisIC Technologies 已經(jīng)證明其 D3GaN（直接驅(qū)動耗盡型氮化鎵）半導(dǎo)體技術(shù)非常適合最具挑戰(zhàn)性的大功率汽車應(yīng)用?？焖匍_關(guān)應(yīng)用中需...

2023-02-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體大功率氮化鎵 1.5k 0

數(shù)字控制 GaN 應(yīng)用已做好準(zhǔn)備

在英語里，ready是很有意思的一個詞，它在不同的語境下會有完全不同的意思。有一大屋子女兒時，ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備；而準(zhǔn)備的時間絕不會少...

2017-04-18 標(biāo)簽：數(shù)字電源氮化鎵 1.5k 0

北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室

近日，北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設(shè)計(jì)與實(shí)踐”本科大四學(xué)生在楊曉峰教授的帶領(lǐng)下，走進(jìn)了泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，開啟了一場科技探秘之...

2024-11-29 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵泰克科技 1.5k 0

2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國內(nèi)外格局生變

美國“2022芯片與科學(xué)法案”或?qū)θ虬雽?dǎo)體格局產(chǎn)生影響。該法案主要包括兩方面內(nèi)容：一是向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，并為企業(yè)提供價值240...

2022-09-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)氮化鎵 1.5k 0

什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？

氮化鎵 (GaN) 是一種半導(dǎo)體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應(yīng)用的理想選擇。

2023-03-03 標(biāo)簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 1.5k 0

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢。然而，散熱問題是制約其...

2023-03-24 標(biāo)簽：氮化鎵晶格半導(dǎo)體器件 1.5k 0

最高額！芯片制造商格芯將獲美國15億美元補(bǔ)貼

2月20日消息，據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r間周一，美國政府表示，作為美國《芯片與科學(xué)法案》的一部分，它打算向芯片制造商格芯提供15億美元資金，用于支持該公司擴(kuò)大...

2024-02-20 標(biāo)簽：芯片制造氮化鎵 1.5k 0

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（T...

2024-01-18 標(biāo)簽：封裝氮化鎵引腳 1.5k 0

氮化鎵前景怎么樣

氮化鎵前景怎么樣 氮化鎵產(chǎn)業(yè)概述 1、產(chǎn)業(yè)地位 隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 1.5k 0

電力電子上下游產(chǎn)業(yè)齊聚PEC西安站活動

由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會西安站將于2013年1...

2013-11-25 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 1.5k 0

炬芯科技助力Nothing子品牌CMF首秀

先前，Nothing Phone憑借著透明后蓋機(jī)身+LED燈帶設(shè)計(jì)，引起廣泛熱議吸引了不少的熱度。

2023-12-11 標(biāo)簽：dsp充電器氮化鎵 1.5k 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 1.5k 0

智芯公司高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組入選深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄

10月18日，智芯公司所屬深圳智芯“高可靠性氮化鎵功率器件及其電源模組”項(xiàng)目入選第二十二屆深圳企業(yè)創(chuàng)新紀(jì)錄，斬獲最高等級認(rèn)定。

2023-10-26 標(biāo)簽：開關(guān)電源電力系統(tǒng)功率器件 1.5k 0

德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大幅提升

近日，美國芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。其位于日本會津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功...

2024-10-29 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.5k 0