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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心

納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心

下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來到,并減少20%道路二氧化碳排放。

2022-01-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵功率芯片 1.6k 0

30W高效率氮化鎵電源方案概述

A+C口兼容雙接口電路,可滿足多設(shè)備充電需求,還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備,接口互補(bǔ),場景覆蓋廣,依然是當(dāng)前充電市場不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推...

2025-06-17 標(biāo)簽:電源MOSFET氮化鎵 1.6k 0

何時(shí)應(yīng)對(duì)寬能帶隙材料時(shí)代?

對(duì)于功率電子而言,寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本,顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡單地說,寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能,這種性能提...

2012-11-26 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1.6k 0

永銘電子導(dǎo)電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

永銘電子導(dǎo)電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

隨著氮化鎵技術(shù)的逐漸成熟,越來越多的AC/DC轉(zhuǎn)換器采用氮化鎵作為開關(guān)元件,以取代傳統(tǒng)的硅元件。在這種新技術(shù)的應(yīng)用中,導(dǎo)電性電容器也扮演著重要的角色。

2023-05-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC氮化鎵 1.6k 0

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢(shì),使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...

2025-03-01 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 1.6k 0

納微氮化鎵器件助力OPPO新一代快充

OPPO作為快充行業(yè)的先行者,一直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快充市場,最早期的VOOC閃充“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”深入人心,演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125...

2020-07-31 標(biāo)簽:OPPO氮化鎵超級(jí)閃充 1.6k 0

羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體

羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體

羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布,雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合作,共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

2023-12-11 標(biāo)簽:晶圓SiC氮化鎵 1.6k 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.4eV,對(duì)應(yīng)截至波長365nm,對(duì)可見光無響應(yīng),克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見光有強(qiáng)烈響應(yīng),且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽:傳感器氮化鎵GaN 1.6k 0

進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。

2023-10-10 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1.6k 0

技術(shù)集成與工程實(shí)踐:高空低壓環(huán)境下閃蒸噴霧相變機(jī)理及其對(duì)機(jī)載微通道換熱器傳熱強(qiáng)化的實(shí)驗(yàn)研究

技術(shù)集成與工程實(shí)踐:高空低壓環(huán)境下閃蒸噴霧相變機(jī)理及其對(duì)機(jī)載微通道換熱器傳熱強(qiáng)化的實(shí)驗(yàn)研究

隨著航空技術(shù)的飛速演進(jìn),機(jī)載電子設(shè)備正朝著集成化、高性能化的方向快速發(fā)展?,F(xiàn)代軍用雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、多功能射頻陣列以及飛行控制計(jì)算機(jī)的功率密度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)...

2026-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵換熱器 1.6k 0

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)

2023-12-28 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵GaN 1.6k 0

MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列

中國上海,2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵...

2016-02-24 標(biāo)簽:晶體管無線基站氮化鎵 1.6k 0

東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出

東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出

前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。創(chuàng)...

2024-03-20 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 1.6k 0

Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ,拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產(chǎn)品組合

中國 / 法國貝寧,2020年7月14日創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soite...

2020-07-14 標(biāo)簽:射頻氮化鎵5G 1.6k 0

碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國防領(lǐng)域的電源應(yīng)用

半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來越高: 硅 Mosfets 的開關(guān)電阻太高,無法達(dá)到 SiC(碳化硅)提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...

2022-08-04 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體氮化鎵 1.6k 0

應(yīng)用在電源適配器中的GaN/氮化鎵

應(yīng)用在電源適配器中的GaN/氮化鎵

電源適配器(Power adapter)是小型便攜式電子設(shè)備及電子電器的供電電源變換設(shè)備,一般由外殼、變壓器、電感、電容、控制IC、PCB板等元器件組成。

2022-10-21 標(biāo)簽:電源適配器氮化鎵GaN 1.5k 0

英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器

英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器

【2025年11月21日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)近日宣布將為Enphase Ener...

2025-12-03 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵光伏微型逆變器 1.5k 0

意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN系列首發(fā),讓電源能效更高、體積更纖薄

意法半導(dǎo)體推出了一個(gè)新系列—— 氮化鎵(GaN) 功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER 產(chǎn)品組合,能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。

2021-12-17 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.5k 0

氮化鎵,并網(wǎng)轉(zhuǎn)換器vista

氮化鎵,并網(wǎng)轉(zhuǎn)換器vista

多年來,設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...

2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1.5k 0

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET,為業(yè)界樹立全新性能基準(zhǔn)

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20...

2020-09-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達(dá) 1.5k 0

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    深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年,如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間,大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系,在無人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
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步進(jìn)電機(jī) SPWM 充電樁 IPM 機(jī)器視覺 無人機(jī) 三菱電機(jī) ST
伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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