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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來到,并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵功率芯片 1.6k 0
A+C口兼容雙接口電路,可滿足多設(shè)備充電需求,還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備,接口互補(bǔ),場景覆蓋廣,依然是當(dāng)前充電市場不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推...
何時(shí)應(yīng)對(duì)寬能帶隙材料時(shí)代?
對(duì)于功率電子而言,寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本,顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡單地說,寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能,這種性能提...
永銘電子導(dǎo)電性電容在采用氮化鎵的AC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用
隨著氮化鎵技術(shù)的逐漸成熟,越來越多的AC/DC轉(zhuǎn)換器采用氮化鎵作為開關(guān)元件,以取代傳統(tǒng)的硅元件。在這種新技術(shù)的應(yīng)用中,導(dǎo)電性電容器也扮演著重要的角色。
2023-05-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DC氮化鎵 1.6k 0
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場景上的優(yōu)勢(shì),使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
OPPO作為快充行業(yè)的先行者,一直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快充市場,最早期的VOOC閃充“充電五分鐘,通話兩小時(shí)”深入人心,演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125...
羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體
羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布,雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合作,共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。
氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.4eV,對(duì)應(yīng)截至波長365nm,對(duì)可見光無響應(yīng),克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見光有強(qiáng)烈響應(yīng),且紫外靈...
進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
技術(shù)集成與工程實(shí)踐:高空低壓環(huán)境下閃蒸噴霧相變機(jī)理及其對(duì)機(jī)載微通道換熱器傳熱強(qiáng)化的實(shí)驗(yàn)研究
隨著航空技術(shù)的飛速演進(jìn),機(jī)載電子設(shè)備正朝著集成化、高性能化的方向快速發(fā)展?,F(xiàn)代軍用雷達(dá)、電子戰(zhàn)系統(tǒng)、多功能射頻陣列以及飛行控制計(jì)算機(jī)的功率密度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)...
中國上海,2016年2月24日- 領(lǐng)先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應(yīng)用于宏基站的MAGb系列氮化鎵...
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出
前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時(shí)都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器,而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。創(chuàng)...
Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ,拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產(chǎn)品組合
中國 / 法國貝寧,2020年7月14日創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soite...
碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國防領(lǐng)域的電源應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來越高: 硅 Mosfets 的開關(guān)電阻太高,無法達(dá)到 SiC(碳化硅)提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...
英飛凌氮化鎵技術(shù)賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器
【2025年11月21日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY)近日宣布將為Enphase Ener...
意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN系列首發(fā),讓電源能效更高、體積更纖薄
意法半導(dǎo)體推出了一個(gè)新系列—— 氮化鎵(GaN) 功率半導(dǎo)體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體的STPOWER 產(chǎn)品組合,能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。
2021-12-17 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.5k 0
多年來,設(shè)計(jì)人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設(shè)備或技術(shù)成熟度——...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1.5k 0
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET,為業(yè)界樹立全新性能基準(zhǔn)
EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20...
2020-09-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達(dá) 1.5k 0
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