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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵器件開關頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應能力，確保高頻工況下精準控制同步整流管的開通與關斷時。同步整流芯片U7106應用在氮化鎵電源芯片U87...
來自客戶的光隔離探頭實測對比 ? 自泰克光隔離探頭推出市場以來，由于其手機大小的體積、最高近30萬人民幣的天價和宣傳中近乎完美的共模抑制比指標，在新興的...
富士通半導體有限公司臺灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，并擴大電源供應的增值應用，實現低...
氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資
近日，第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)晶湛半導體宣布完成C+輪數億元融資，這是晶湛公司繼2022年完成2輪數億元融資以來的又一融資進展。
康佳欲加快Micro LED芯片研發(fā) 并以氮化鎵技術為突破
近日，康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發(fā)業(yè)界高度關注?？导迅笨偛美詈觏w在接受記者采訪時解釋，招募氮化鎵工程師是希望加快推進康佳在Micro LED芯...
美國國際貿易委員會裁定英飛凌在針對英諾賽科的一項專利侵權案中勝訴
美國國際貿易委員會的最終裁定可能導致英諾賽科涉嫌侵權的產品被禁止進口至美國 該裁決是又一項積極結果，彰顯了英飛凌在業(yè)界領先的專利組合的價值 氮化鎵?(G...
據悉，本項目計劃在2025年實現竣工并投入運營。它是省級重點項目，旨在建立高端的化合物半導體光電子研發(fā)制造平臺，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料...
隨著半導體技術不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關鍵技術。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...
“在2024財年第二季度，我們看到了強勁的環(huán)比和同比產品銷售增長，同時，毛利率同比增長了近一倍。我們對產品線的持續(xù)增長和設計勝利感到高興，大功率設計的成...
氮化鎵是一種由氮和鎵結合而來的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，鎵排序第31位，7月31日世界氮化鎵日因此得名，同時也以英文名GaN Day傳播到全...
中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面獲進展
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準確測試出器件在長期高壓大電流應力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...
Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續(xù)未來
3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心 【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...
本周，半導體行業(yè)最引人關注的新聞非中國限制鎵和鍺及其某些化合物出口莫屬了。
因為Micro LED尺寸很小，傳統(tǒng)顯示器量測設備鏡頭的相機像素無法滿足檢測需求，臺灣地區(qū)工研院研發(fā)團隊利用“重復曝光色彩校正技術”，以重復曝光方式達到...
近日，德州儀器（TI）宣布了一個重要的產能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導體已經正式投產。
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且機械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的熱導率和更低的導通電阻，GaN基功率器...
納微半導體下一代GaNFast?氮化鎵技術為三星打造超快“加速充電”
加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NV...
用 Hercules 開發(fā)套件來控制 GaN 功率級——第 2 部分
在我的上一篇博文中，我為大家介紹了一個動手操作項目：用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules 微控制器和一個滾輪來調節(jié)一盞燈的亮度。我講到...
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導體材料，因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢，在汽車和移動手機市場中展現出巨大的商業(yè)潛力。
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