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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

采用 GaN 技術(shù)的快速充電器

氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...

2022-07-27 標(biāo)簽：電源氮化鎵 GaN 1.9k 0

POWI推出集成750V氮化鎵開關(guān)的高效準(zhǔn)諧振PFC IC

APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今天宣布推出內(nèi)部...

2022-03-22 標(biāo)簽：電容氮化鎵 POWI 1.9k 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 氮化鎵 1.9k 0

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?，新能源汽?..

2024-12-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.9k 0

光隔離探頭助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問(wèn)題

作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說(shuō)，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片，還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客...

2023-03-13 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)氮化鎵 GaN 1.9k 0

氮化鎵的十大關(guān)鍵要點(diǎn)

GaN 可為射頻應(yīng)用帶來(lái)獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。GaN 獨(dú)特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢(shì)和堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì)。

2022-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻氮化鎵 1.9k 0

小體積30W氮化鎵PD參考設(shè)計(jì),CX75GE030DI合封芯片來(lái)助力！

高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，CX75GE030DI內(nèi)部集成了氮化鎵功率管控制和驅(qū)動(dòng)電路芯片，外圍精簡(jiǎn)...

2023-10-19 標(biāo)簽：芯片充電器氮化鎵 1.9k 0

Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC

PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94％，其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時(shí)耐受輸入浪涌...

2020-03-15 標(biāo)簽：Power 晶體管氮化鎵 1.9k 0

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案

GaN驅(qū)動(dòng)器對(duì)性能至關(guān)重要，驅(qū)動(dòng)器使驅(qū)動(dòng)電壓保持在電壓最大限值內(nèi)并不是唯一的要求。

2021-06-16 標(biāo)簽：氮化鎵工業(yè)電源 ON Semiconductor 1.9k 0

納微半導(dǎo)體與欣銳科技聯(lián)合打造新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

納微半導(dǎo)體，作為氮化鎵和碳化硅功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，近日宣布與深圳欣銳科技股份有限公司聯(lián)合打造的新型研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌。這一創(chuàng)新合作旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車電源...

2024-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.9k 0

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國(guó)際電子器件會(huì)議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過(guò)在基于 p 型氮...

2022-07-26 標(biāo)簽：氮化鎵 HEMT 1.9k 0

隨著器件功耗的增加，氮化鎵技術(shù)正走向成熟

目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SJMOSFET）來(lái)調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸，重量大概1...

2020-11-05 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵工業(yè)電源 1.9k 0

格芯獲3000萬(wàn)美元資金，加速硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化

2022-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵 1.9k 0

了解GaN器件熱分析

您的工作是否涉及有源/無(wú)源微電子電路和設(shè)計(jì)?如果涉及，您可能非常了解高溫會(huì)對(duì)這些器件產(chǎn)生哪些不利影響。高工作溫度會(huì)導(dǎo)致性能下降，服務(wù)壽命縮短。因此，工程...

2022-12-26 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 熱分析 1.9k 0

IQE 宣布與 SK siltron 達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議

- 以 IQE 強(qiáng)大的氮化鎵創(chuàng)新技術(shù)為基礎(chǔ) - 行業(yè)龍頭企業(yè)結(jié)成伙伴關(guān)系，以亞洲市場(chǎng)增長(zhǎng)為重點(diǎn) 來(lái)源：IQE IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，...

2022-10-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.9k 0

英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵（GaN...

2024-09-12 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵 GaN 1.9k 0

Microchip持續(xù)擴(kuò)大氮化鎵（GaN）射頻功率器件產(chǎn)品組合

與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造，提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合，可在高壓下運(yùn)行，255℃結(jié)溫下使...

2021-12-02 標(biāo)簽：射頻 microchip 無(wú)線通信 1.9k 0

大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D

Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，K...

2023-09-20 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵功率芯片 1.9k 0

GaN氮化鎵加速無(wú)線充電應(yīng)用：更快、更方便

這種更高效的無(wú)線能量傳輸技術(shù)使得各種應(yīng)用變得更加簡(jiǎn)單，同時(shí)也開辟了新的領(lǐng)域。比如，你可以用它來(lái)給電動(dòng)滑板車充電，而滑板車的位置在充電墊上沒(méi)有那么嚴(yán)格。對(duì)...

2023-10-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵 GaN 1.9k 0

第十八屆中國(guó)工業(yè)論壇，爭(zhēng)妍微電子斬獲“中國(guó)制造消費(fèi)者信賴品牌”李學(xué)會(huì)：以創(chuàng)新筑品，共推半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)

2025年12月，第十八屆中國(guó)工業(yè)論壇與第三屆消費(fèi)者信賴品牌盛典大會(huì)在北京同期舉辦。大會(huì)以“融合創(chuàng)新工業(yè)當(dāng)強(qiáng)”為主題，中國(guó)工業(yè)報(bào)社社長(zhǎng)徐金寶、原工信部...

2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET 可控硅快恢復(fù)二極管 1.9k 0

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深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年，如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間，大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無(wú)人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系，在無(wú)人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
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空客

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空客更加舒適安全，因?yàn)榭湛捅ｋU(xiǎn)和飛機(jī)材料都是比較齊全和高質(zhì)量的?？湛偷臋C(jī)翼設(shè)計(jì)水平是比較高的，飄降能力較強(qiáng)，大量采用復(fù)合材料，飛機(jī)重量減輕，燃油消耗降低，但同時(shí)復(fù)合材料導(dǎo)電能力差，在云中容易遭受電擊
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電動(dòng)飛機(jī)是由供電的飛機(jī)電力經(jīng)由一個(gè)或螺旋槳驅(qū)動(dòng)多個(gè)電動(dòng)馬達(dá)，電力可以通過(guò)多種方法提供，常見的有燃料電池、太陽(yáng)能電池、超級(jí)電容器等。
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工業(yè)級(jí)無(wú)人機(jī)主要用于農(nóng)林植保、物流、安保巡防以及油氣開采等眾多行業(yè)，用戶更注重?zé)o人機(jī)數(shù)據(jù)采集的精準(zhǔn)化，以及在此基礎(chǔ)上形成的資源分析與利用價(jià)值。
植保無(wú)人機(jī)

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植保無(wú)人機(jī)，又名無(wú)人飛行器，顧名思義是用于農(nóng)林植物保護(hù)作業(yè)的無(wú)人駕駛飛機(jī)，該型無(wú)人飛機(jī)由飛行平臺(tái)（固定翼、直升機(jī)、多軸飛行器）、導(dǎo)航飛控、噴灑機(jī)構(gòu)三部分組成，通過(guò)地面遙控或?qū)Ш斤w控，來(lái)實(shí)現(xiàn)噴灑作業(yè)，可以噴灑藥劑、種子、粉劑等。
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多旋翼無(wú)人機(jī)

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系留無(wú)人機(jī)

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系留無(wú)人機(jī)，又稱系留式無(wú)人機(jī)，為多旋翼無(wú)人機(jī)的一種特殊形式。系留一定是有電傳輸源源不斷的電源供電才稱為系留。
軍用無(wú)人機(jī)

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