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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn)，與硅晶圓相比在封裝過程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時(shí)，Ga...
直擊AI服務(wù)器電源痛點(diǎn)！英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件...
芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 2.9k 0
增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展
作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。
2023-12-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 2.9k 0
納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：英諾賽科）...
東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案，覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓?fù)浼軜?gòu)
前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動(dòng)器+GaN功率器件等，電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實(shí)現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使...
第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...
合粵固態(tài)電容概述、分類及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化家是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝...
2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些？
2023年，半導(dǎo)體市場(chǎng)的逆風(fēng)周期仍未過去，企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國電子報(bào)》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例，發(fā)現(xiàn)20...
近年來，氮化鎵開關(guān)非?；鸨?，PI的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開關(guān)，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開關(guān)。閻金光說，氮化鎵開關(guān)導(dǎo)通電阻低，比...
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTCD-mode GaN F...
IN3261G+IN1305M PD 30W內(nèi)置氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡(jiǎn)潔的30W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM 反激式控制...
2023-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源PD氮化鎵 2.8k 0
“融合時(shí)代”即將來臨？手機(jī)內(nèi)置氮化鎵有哪些優(yōu)勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）氮化鎵作為第三代功率半導(dǎo)體，因其寬帶隙和高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，在電源、射頻領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，近年來也逐漸開始進(jìn)入消費(fèi)類市場(chǎng)，成為...
2023-07-12 標(biāo)簽：氮化鎵 2.8k 0
用于太陽光紫外線指數(shù)檢測(cè)領(lǐng)域的紫外線傳感器
紫外線指數(shù)是指當(dāng)太陽在天空中的位置最高時(shí)（一般是在中午前后，即從上午十時(shí)至下午三時(shí)的時(shí)間段里），到達(dá)地球表面的太陽光線中的紫外線輻射對(duì)人體皮膚的可能損傷...
金沙江第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片應(yīng)用項(xiàng)目簽約鶴壁
徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱金沙江半導(dǎo)體）據(jù)官方消息，公司在2021年被設(shè)立，項(xiàng)目發(fā)起人氮化鎵（的）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，氮化鎵功率器件及其新應(yīng)用為主力...
國產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢(shì)？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們?cè)陂_關(guān)操作期間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會(huì)影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2.8k 0
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...
新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開關(guān)
新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開關(guān)CoolGaNG5系列650V雙向開關(guān)（BDS）是一款單片集成器件，能夠在兩個(gè)方向上主動(dòng)阻斷電...
2026-01-19 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵雙向開關(guān) 2.8k 0
三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元
2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。 公告顯示，根據(jù)三安光電...
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