大功率場景的優(yōu)質(zhì)選擇。
核心參數(shù)
功率：單節(jié)鋰電 15W（5V/3A），雙節(jié)鋰電 30W（12V/2.5A）。
輸入輸出：輸入 2.7-12V，輸出最高 13V 且可調(diào)。
關(guān)鍵特性：內(nèi)置低阻
2025-12-31 15:06:39
3.0、DP&DM等主流快充協(xié)議，最大支持30W充電功率，電壓范圍5V~20V。兼容三元鋰電池（4.20V）和磷酸鐵鋰電池（3.65V）。內(nèi)置同步升降壓轉(zhuǎn)換器，自動調(diào)
2025-12-31 09:56:59
產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
735 
在車載USB-C快充模塊中，若需滿足 30W高功率、低發(fā)熱、車規(guī)級安全認(rèn)證 三大核心需求，電容選型需從 耐壓能力、ESR（等效串聯(lián)電阻）、溫度適應(yīng)性、認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) 四個維度綜合考量。以下是具體分析： 一
2025-12-17 14:50:12145 超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動力解決方案，重新定義15W級電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30
2025-11-28 17:18:042048 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-24 16:47:18
1 有限公司深諳此道，其推出的30W超小型系列模塊電源，正是為滿足這一核心需求而打造的標(biāo)桿產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不僅具備全球通用電壓輸入、高轉(zhuǎn)換效率、低溫升等優(yōu)勢，更率先采用
2025-11-24 11:07:522005 中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強(qiáng)度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達(dá)硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573101 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
，其內(nèi)部搭載了東科DK8710BD合封氮化鎵芯片，分別支持100W和30W輸出，還支持45W+45W、65W+30W等輸出策略，滿足包括米系用戶在內(nèi)的消費(fèi)群體對高性
2025-11-13 10:27:082783 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計。該系
2025-11-03 18:18:052815 
在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入
2025-10-15 17:41:294087 
PD3.0 和 DP&DM 輸入快充協(xié)議和同步升降壓轉(zhuǎn)換器的鋰電池充電管理芯片，充電功率高達(dá) 30W；IP2363 支持 2/3/4/5&n
2025-10-11 17:28:42
芯朋微PN8215主控芯片140W氮化鎵充電器芯片
2025-09-26 11:36:58
英集芯IP5385是一款應(yīng)用于充電寶、移動電源、手機(jī)、電動工具等充電方案的30W到100W雙向充放電的移動電源管理SOC芯片。集成快充協(xié)議控制器（支持UFCS等主流協(xié)議）、同步升降壓控制器、MCU、電量計量及LED/數(shù)碼管顯示驅(qū)動。支持30W-100W雙向充放電。
2025-09-01 10:51:49944 
（15W）水平，若應(yīng)用需超過15W，需要通過增加一節(jié)電池或選用驅(qū)動力更強(qiáng)的升壓芯片來解決。下文將介紹的兩款芯片均支持30W輸出：FP5207X和FP7208。實(shí)測
2025-08-29 15:00:02697 
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信號流向合理安排位置，減少交叉和迂回，降低布線
2025-08-28 16:18:507132 氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:432670 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
市場對更小、更輕、更高效的交流/直流 USB 供電 (PD) 充電器的需求一直是電源設(shè)計工程師面臨的挑戰(zhàn)。在 100W 以下，準(zhǔn)諧振反激結(jié)構(gòu)仍然是主要的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，氮化鎵 (GaN) 技術(shù)可以進(jìn)一步提高功率密度和效率。
2025-08-20 11:17:562813 
近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發(fā)表了他對氮化鎵材料發(fā)展的寄語。
2025-08-14 15:31:223004 NTP8835是一款高集成、高保真雙通道內(nèi)置DSP數(shù)字功放；供電電壓范圍在7V～28V；提供2CH?(30W x 2 BTL@24V, 6Ω)以及2.1CH?(10W x 2 + 30W @24V, 6Ω)輸出配置. 集成了多種音效算法，采用QFN40封裝。
2025-08-12 09:45:22906 
設(shè)計大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時，要想設(shè)計一個穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計同步整流電路時建議參考下圖的內(nèi)容。圖為PCB布局設(shè)計參考，包含U7110W、變壓器副邊引腳和輸出濾波電容等。
2025-08-06 11:39:343561 
氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時，驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102858 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
CS86706適用1~3節(jié)鋰電應(yīng)用，內(nèi)置升壓模塊，2×30W立體聲&50W單聲道R類音頻功率放大器
2025-07-16 20:42:44452 
支持PD3.0等多種快充輸入?yún)f(xié)議、支持2~5節(jié) 串聯(lián)鋰電池充電管理芯片功率30W升降壓 驅(qū)動電源管理芯片-IP2363
2025-07-12 11:13:56
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜。客戶最近熱賣的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設(shè)計，否則就要重新設(shè)計PCB板
2025-06-26 16:11:111778 A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設(shè)計方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CGH27030F是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），它專為高效率而設(shè)計，提供高增益和寬帶能力。這款晶體管適用于VHF通訊、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX
2025-06-17 15:44:36
同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認(rèn)證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
捷捷微電核心技術(shù)再獲行業(yè)認(rèn)可！近日，小米30W立式無線充電器（型號MDY-17-EM）正式搭載捷捷微電JMSL1040AGD雙NMOS功率器件，以卓越性能為無線充電效率保駕護(hù)航。作為線圈切換的核心
2025-06-11 14:19:52998 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201071 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 全電壓！PD20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD20W氮化鎵
2025-05-22 15:41:26734 過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時，該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充ic U8608輸入過欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來看看它的引腳。
2025-05-21 11:55:37755 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，從而減小次級側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電
2025-05-19 17:29:50736 
谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開關(guān)電源如反激式拓?fù)?、?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過精確控制開關(guān)管的導(dǎo)通時機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源ic U8722SP
2025-05-17 09:13:57825 
英集芯IP2363是一款廣泛應(yīng)用于儲能電源、電動工具、便攜音箱、應(yīng)急電源的30W大功率多節(jié)鋰電池充電管理SOC芯片。支持2至5節(jié)鋰電池串聯(lián)充電，內(nèi)置同步升降壓轉(zhuǎn)換，兼容PD3.0和DP&DM快充協(xié)議，充電功率高達(dá)30W。兼容三元鋰電池和磷酸鐵鋰電池。
2025-05-13 11:05:011165 
芯片?恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統(tǒng)溫度，防止過熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！
2025-05-10 14:22:16871 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
在65W氮化鎵快充設(shè)計中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 英集芯IP5385是一款適用于移動電源，充電寶，便攜式儲能設(shè)備等方案的支持30W到100W大功率雙向快充的移動電源SOC芯片。集成快充協(xié)議控制器、同步升降壓控制器、MCU、路徑管理、電量計量及LED/數(shù)碼管顯示驅(qū)動，大幅簡化外圍電路設(shè)計，降低BOM成本。
2025-04-29 10:44:35824 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
2025-04-23 17:00:17776 發(fā)燒友拍攝 “與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達(dá) 30W/mm，是硅的150倍，開關(guān)頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%?！?西安電子科技大學(xué)廣州研究院教授弓小武對媒體表示。當(dāng)前，GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58667 E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦
2025-04-03 16:20:08932 防止過熱。這種功能可以與OTP協(xié)同工作，提供雙重保護(hù)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！
2025-04-02 17:52:32781 
LoRaP30Pro 30W大功率串口數(shù)傳組網(wǎng)電臺規(guī)格書免費(fèi)下載
2025-04-01 17:35:083 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)330W氮化鎵方案CE65H110DNDI，原裝現(xiàn)貨 DescriptionThe CE65H110DNDl Series 650v, 110mΩgallium
2025-03-31 11:59:47
1500VDC的寬幅電壓輸入設(shè)計，輸出功率高達(dá)30W，且效率卓越，可達(dá)89%。DH30W10系列轉(zhuǎn)換器具備調(diào)節(jié)輸出的功能，同時內(nèi)置了多重保護(hù)電路，確保了其在高壓電源轉(zhuǎn)換場景中的穩(wěn)定與安全。其出色的高壓
2025-03-31 09:23:24
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來了解一下！
2025-03-28 13:36:48797 
UM2062-100M 是一款 100W 應(yīng)用頻率在 2.0～6.2GHz 的，基于全國產(chǎn)化及工藝的氮化鎵射頻功 率放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續(xù)波信號，主要用于收發(fā)
2025-03-27 10:00:11
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 單節(jié)鋰電池15W （5V/3A）和雙節(jié)鋰電池30W（12V/2.5A）雙模式輸出，實(shí)現(xiàn)手持設(shè)備到工業(yè)級散熱場景全覆蓋。內(nèi)置過流保護(hù)、軟啟動及0.1μA待機(jī)功耗特性，有效延長續(xù)航并應(yīng)對電機(jī)沖擊，為消費(fèi)
2025-03-20 14:18:052122 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計.pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 UG5060-30 是一款應(yīng)用頻率在 5-6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管，具有高效率、高增益的特 性。這款放大管提供帶法蘭的封裝形式，工作在 48V 供電模式.典型射頻特性：? 最大飽和功率
2025-02-25 16:01:39
U2G5060-140P2 是一款 140W 應(yīng)用頻率在 5.0~6.0GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管 具有高效率、高增益的特性。同時覆蓋 5-6GHz 應(yīng)用的 Demo 板，輸出功率
2025-02-25 15:56:49
U2G4460-30F2 是一款 30W 應(yīng)用頻率高達(dá) 4.4~6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管具 有高效率、高增益的特性。這款放大管提供帶法蘭的封裝形式，工作在 28V 供電模式.在
2025-02-25 15:47:06
此參考設(shè)計是基于氮化鎵 （GaN） 的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。它支持寬輸入（90V~交流~至 264V ~交流~ ） 和輸出 （5V 至 28V） 電壓。它專為 USB PD3.1 的適配器設(shè)計和電動工具的充電器等應(yīng)用而設(shè)計。
2025-02-24 15:33:20876 
，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節(jié)省了設(shè)計空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 UM0762-80M 是一款 80W 應(yīng)用頻率在 0.7～6.2GHz 的，基于全國產(chǎn)化及工藝的氮化鎵射頻功率 放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續(xù)波信號，主要用于收發(fā)組 件
2025-02-19 18:28:53
UM0660-25M 是一款 25W 應(yīng)用頻率在 0.6～6.0GHz 的，基于全國產(chǎn)化及工藝的氮化鎵射頻功率 放大管。這款功放管具有高效率、高增益的特性，適用于脈沖/連續(xù)波信號，主要用于收發(fā)組 件
2025-02-19 18:25:49
UM2060-30 是一款 30W 應(yīng)用頻率 2～6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管芯片。這款芯片具有高效 率、高增益的特性。主要用于收發(fā)組件，無線電通信等，工作在 28V 供電模式。關(guān)鍵
2025-02-19 18:20:06
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發(fā)光層再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
AC6951C功放30W彩燈電路
2025-02-18 15:33:054 過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
前言 近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克一款Zolo充電器，這款產(chǎn)品基于華源智信氮化鎵方案設(shè)計，因此整體做到相當(dāng)小巧，搭配可折疊插腳，便攜性很好。充電器支持最高20W PD3.0快充，可滿足
2025-02-14 14:46:512073 
英集芯IP5385是一款專為移動電源，充電寶，戶外應(yīng)急電源、平板電腦、手機(jī)、手持電動工具等便攜式設(shè)備設(shè)計的30W到100W大功率快充電源管理SOC芯片。
2025-02-13 10:21:191282 
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021106 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 
在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
電能的高效轉(zhuǎn)換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問題。今天介紹的是35W氮化鎵電源芯片搭配同步整流方案：U8722DE+U7116！
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09899 高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片-DK065G一、產(chǎn)品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片。DK065G檢測功率管漏極和源
2025-01-10 17:02:44
V-GaN 系列INN040W048A氮化鎵芯片，耐壓40V，導(dǎo)通電阻4.8mΩ，支持雙向?qū)?。具備無體二極管、低導(dǎo)通阻抗等特性，僅用1顆就能代替兩顆硅MOSFET。同時采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封裝，為終端產(chǎn)品節(jié)省系統(tǒng)空間的同時，有效降低了系統(tǒng)能耗。
2025-01-08 15:05:03
高性能AC-DC 75W氮化鎵電源管理芯片-DK075G一、產(chǎn)品概述：DK075G是一款高度集成了700V/150mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率電源管理芯片。DK075G檢測
2025-01-08 10:48:52
東科半導(dǎo)體高性能AC-DC 45W氮化鎵電源管理芯片-DK045G 一、產(chǎn)品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-08 10:46:14
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