電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）半導(dǎo)體材料的突破一直是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一大助力，為了滿足日益多元化的芯片需求，半導(dǎo)體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體逐步
2023-04-02 01:53:36
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2020全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會(huì) 展會(huì)主題：“芯”動(dòng)力 新發(fā)展一、時(shí)間、地點(diǎn)、規(guī)模時(shí)間：2020年5月7日-9日地點(diǎn)：重慶國(guó)際博覽中心展會(huì)規(guī)模：展示面積30000㎡，參展企業(yè)達(dá)500家,專業(yè)觀眾
2019-12-10 18:20:16
我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)的不同可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類。 點(diǎn)接觸型二極管是將一根很細(xì)的金屬觸絲（如三價(jià)元素鋁）和一塊半導(dǎo)體（如鍺）熔接后做出相應(yīng)的電極引線，再外加管殼密封而成。其結(jié)構(gòu)圖如圖（a
2021-05-13 07:52:35
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
”對(duì)越多;在室溫下,“電子—空穴”對(duì)少,故電阻率大。2. 摻雜半導(dǎo)體及其特點(diǎn) (1) N 型半導(dǎo)體:在本征硅或鍺中摻入適量五價(jià)元素形成 N 型半導(dǎo)體, N 型半導(dǎo)體中電子為多子,空穴為少子;電子的數(shù)目
2021-05-24 08:05:48
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過(guò)點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開(kāi)始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們?cè)诙O管整流得時(shí)候理想是，整個(gè)周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2017-07-28 10:17:42
半導(dǎo)體具有獨(dú)特的導(dǎo)電性能。當(dāng)環(huán)境溫度升髙或有光照時(shí)，它們的導(dǎo)電能力 會(huì)顯著增加，所以利用這些特性可以做成各種溫敏元件（如熱敏電阻）和各種光 敏元件（如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等）。更重
2018-02-11 09:49:21
年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅則是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip)，又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
掙脫束縛，會(huì)導(dǎo)致載流子濃度上升，從而打破這個(gè)平衡，溫度一定后會(huì)再次建立平衡。雜質(zhì)半導(dǎo)體通過(guò)擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體摻入某些元素。一 .N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體加入+5價(jià)元素磷，由于加入了最外層為5個(gè)電子
2020-06-27 08:54:06
鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻
2019-05-28 06:06:21
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來(lái)作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來(lái)替代磁控管帶來(lái)好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動(dòng)電壓
2017-09-04 15:02:41
負(fù)有盛名。MACOM公司氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)是第四代，且極具價(jià)格優(yōu)勢(shì)和廣闊的應(yīng)用前景。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)Demo關(guān)于MACOM據(jù)悉，MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對(duì)硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體資料，容易遭到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)作變化。目前，只要硅、鍺性能好，運(yùn)用的比擬廣，硒在電子照明和光電范疇中應(yīng)用。硅在
2020-03-26 15:40:25
、3-三極管 第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
為什么就不能在半導(dǎo)體中摻雜四價(jià)元素或六價(jià)元素？
2012-11-25 13:30:00
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
芯片和cpu制造流程芯片芯片屬于半導(dǎo)體，半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類物質(zhì)。元素周期表中的硅、鍺、硒的單質(zhì)都屬于半導(dǎo)體。除了這些單質(zhì)，通過(guò)摻雜生成的一些化合物，也屬于半導(dǎo)體的范疇。這些化合物在
2021-07-29 08:32:53
類型包括硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（BiCMOS）和硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（SiGe HBTs）。DTRA關(guān)注的其他設(shè)備類型還包括45納米絕緣硅（SOI）芯片、氮化鎵異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaAn HFET）功率半導(dǎo)體和其他抗輻射微電子和光子器件，用于當(dāng)前和未來(lái)軍事系統(tǒng)，如衛(wèi)星和導(dǎo)彈。
2012-12-04 19:52:12
全球汽車市場(chǎng)發(fā)展整體向好，汽車中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車推動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂(lè)系統(tǒng)，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場(chǎng)，推動(dòng)全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。
2020-05-04 06:30:06
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度，更在接下來(lái)的半個(gè)實(shí)際中，猶如一只無(wú)形大手般推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
模擬電子復(fù)習(xí)總結(jié)（一）：半導(dǎo)體二極管一、半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有
2019-07-10 19:15:30
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。8、N型半導(dǎo)體是在硅或鍺的晶體中摻入磷（或其他五價(jià)元素），半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，也稱作電子半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-07 22:07:14
知識(shí)點(diǎn)1：導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體電阻率半導(dǎo)體的電阻率為10-3～10-9 歐.cm。 典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。導(dǎo)體是相對(duì)的。知識(shí)點(diǎn)2：本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。制造
2020-01-08 10:52:03
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
，有望占據(jù)主要市場(chǎng)份額；在其他對(duì)輸出功率要求相對(duì)較低的領(lǐng)域，將形成GaAs和GaN共同主導(dǎo)的格局?，F(xiàn)階段在整個(gè)射頻市場(chǎng)，LDMOS、GaAs和GaN幾乎三分天下，但未來(lái)LDMOS的市場(chǎng)份額會(huì)逐漸縮小
2019-04-13 22:28:48
和電池就好比是人的心臟。而功率器件就好比是人的血液和神經(jīng)系統(tǒng)。而三代半導(dǎo)體就是在這個(gè)領(lǐng)域在未來(lái)取代部分的硅器件為整個(gè)系統(tǒng)提供更加優(yōu)良的解決方案的核心材料。經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展，硅材料已經(jīng)接近完美晶體，對(duì)于
2017-05-15 17:09:48
有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge，它們都是4價(jià)元素。
2016-08-26 17:02:46
0 根據(jù)物體導(dǎo)電能力（電阻率）的不同，來(lái)劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。 硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化模型及晶體結(jié)構(gòu)
2017-11-23 11:37:1330 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:523387 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵GaAs 砷化鎵GaAs 砷化鎵的電子
2017-12-07 14:37:192680 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導(dǎo)性的元素，下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體，其中C表示金剛石。C、P、Se具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B、Si、Ge、Te具有半導(dǎo)性；Sn、As、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點(diǎn)與沸點(diǎn)太低，Ⅰ的蒸汽壓太高、容易分解，所以它們的實(shí)用價(jià)值不大。
2018-03-08 10:47:1830314 
不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體硅和鍺的最外層電子有四個(gè)，故而稱它為四價(jià)元素，每一個(gè)外層電子稱為價(jià)電子。為了處于穩(wěn)定狀態(tài)，單晶硅和單晶鍺中的每個(gè)原子的四個(gè)價(jià)電子都要和相鄰原子的價(jià)電子配對(duì)，形成所謂的共價(jià)鍵。
2018-09-25 17:58:1115261 不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體硅和鍺的最外層電子有四個(gè)，故而稱它為四價(jià)元素，每一個(gè)外層電子稱為價(jià)電子。為了處于穩(wěn)定狀態(tài)，單晶硅和單晶鍺中的每個(gè)原子的四個(gè)價(jià)電子都要和相鄰原子的價(jià)電子配對(duì)，形成所謂的共價(jià)鍵。
2018-11-02 16:45:0340996 目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。
2019-03-29 15:21:5715426 半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。
2019-04-29 11:08:0712385 導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，叫做半導(dǎo)體．例如：鍺、硅、砷化鎵等． 半導(dǎo)體在科學(xué)技術(shù)，工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和生活中有著廣泛的應(yīng)用。
2019-12-13 17:44:526024 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。
2020-04-12 17:06:0710859 
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的 半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2020-09-10 10:46:004 ，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2020-07-13 16:32:214378 ，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速
2020-10-30 02:09:471689 半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，其中硅是商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種，其下游應(yīng)用十分廣泛，包括集成電路，通訊系統(tǒng)，光伏發(fā)電，人工智能等領(lǐng)域。
2020-11-01 10:49:058864 
半導(dǎo)體芯片是指在半導(dǎo)體材料上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體電子器件。常見(jiàn)的半導(dǎo)體芯片有硅芯片、砷化鎵、鍺等。
2021-07-13 11:06:3319267 常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:086802 了解氮化鎵
-寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？
-氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:252391 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562410 
來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費(fèi)產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204101 第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 14:57:165804 元素半導(dǎo)體是由單一種類的原子組成的那些，例如硅(Si)，元素周期表 IV列中的鍺(Ge)和錫(Sn)，元素周期表 VI 列中的硒(Se)和碲(Te)。然而，存
在許多由兩個(gè)或更多個(gè)元素組成的化合物
2023-02-27 14:46:243 硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺（Ge）是另一種純半導(dǎo)體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:144446 該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物項(xiàng)的出口許可要求。
2023-07-04 17:21:352289 
外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國(guó)商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對(duì)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對(duì)此我國(guó)外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制是中方依法對(duì)相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，不針對(duì)任何特定國(guó)家
2023-07-04 19:11:162528 7月3日，中國(guó)商務(wù)部和海關(guān)總署宣布，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，決定自2023年8月1日起對(duì)鎵和鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。
2023-07-05 15:09:582928 
眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。
2023-07-06 10:05:1915092 鎵和鍺是構(gòu)成半導(dǎo)體的重要材料，也是芯片制造的關(guān)鍵元素。其中氮化鎵（GaN）化合物可用于手機(jī)、電腦的LED顯示屏，也廣泛用于照明、電源、通信等領(lǐng)域。而鍺主要用于光纖通信、夜視鏡和衛(wèi)星上的太陽(yáng)能電池。此外硅鍺（SiGe）是一種重要的半導(dǎo)體應(yīng)變材料，可大大提高晶體管的速度，在高速芯片中有著廣泛應(yīng)用。
2023-07-06 10:19:082493 近日，中國(guó)出臺(tái)了關(guān)于鎵和鍺兩種金屬的出口管制政策，這一舉動(dòng)不僅是為了維護(hù)國(guó)家安全和利益，還將對(duì)全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生重大影響。那么，這到底是為什么呢？ 鎵和鍺是半導(dǎo)體、軍工、通信、5G、微電子、新能源
2023-07-10 10:50:59748 鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，已被列入國(guó)家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國(guó)在鎵和鍺的儲(chǔ)量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。
2023-07-10 15:35:102181 中國(guó)近期的鎵、鍺出口管制將對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生何影響?
2023-07-11 13:53:191314 在疫情爆發(fā)期間，半導(dǎo)體供應(yīng)的長(zhǎng)期瓶頸影響了汽車生產(chǎn)。危機(jī)看似基本結(jié)束，但半導(dǎo)體生產(chǎn)能力仍受到限制。盡管中國(guó)政府采取了限制出口半導(dǎo)體和電動(dòng)汽車使用的兩種金屬（鎵、鍺）的方針，但這一領(lǐng)域仍然處于危險(xiǎn)之中。
2023-07-19 10:31:08937 /磷化鎵/砷化鎵/銦鎵砷/硒化鎵/銻化鎵)、鍺相關(guān)物項(xiàng)(金屬鍺/區(qū)熔鍺錠/磷鍺鋅/鍺外延生長(zhǎng)襯底/二氧化鍺/四氯化鍺)，這是中國(guó)對(duì)歐美等國(guó)家的半導(dǎo)體行業(yè)反制措施之一！金航標(biāo)kinghelm薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說(shuō)，鎵被稱作是“半導(dǎo)體工業(yè)新糧食”，
2023-08-01 10:18:411238 
根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。 第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺等元素半導(dǎo)體為代表。
2023-09-28 12:57:431356 
按照代際來(lái)進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體材料的發(fā)展經(jīng)歷了第一代、第二代和第三代。第一代半導(dǎo)體材料主要指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）；
2023-10-11 17:08:336525 
半導(dǎo)體，也稱為微芯片或集成電路（IC），通常由硅、鍺或砷化鎵等純元素制成。最常用的半導(dǎo)體材料是硅（Si），但也常用其他材料，例如鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）。其電導(dǎo)率介于絕緣體（如非金屬）和導(dǎo)體（如金屬）之間，其電導(dǎo)率可隨雜質(zhì)、溫度或電場(chǎng)等因素而變化。
2023-10-16 14:02:505316 
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 鎵和鍺是生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體芯片所必需的核心原料，中國(guó)在全球這兩種產(chǎn)品的產(chǎn)量上占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。自今年8月開(kāi)始，北京政府實(shí)施了對(duì)鎵和鍺相關(guān)物品的出口限制措施。
2024-01-23 14:22:361300 半導(dǎo)體材料的種類繁多，如硅、鍺、砷化鎵等，其中硅由于其良好的導(dǎo)電性和易于加工的特性，是最常用的半導(dǎo)體材料之一。
2024-02-20 15:21:123758 的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 氮化鎵是什么？氮化鎵可以被看作是一種新型的半導(dǎo)體材料，它由鎵（Gallium）和氮（Nitrogen）元素組成。相比于第一代硅和第二代砷化鎵半導(dǎo)體，氮化鎵具有更高的電子遷移率和更寬的能帶間隙，使得它在功
2024-11-27 16:06:503151 
銻化鎵是一種化合物晶體，化學(xué)式為GaSb。它由鎵（Ga）和銻（Sb）兩種元素組成。在半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用領(lǐng)域中，銻化鎵（GaSb）晶體以其獨(dú)特的電子和光學(xué)性質(zhì)，占據(jù)著重要的地位。這種III-V族
2024-11-27 16:34:512415 
VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40902 
微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531708 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）7月3日，國(guó)家商務(wù)部、海關(guān)總署宣布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。 商務(wù)部公告顯示，根據(jù)相關(guān)法規(guī)和條例，決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。根據(jù)公告，鎵相關(guān)物項(xiàng)包括金屬鎵
2023-07-05 00:08:004943
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