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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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電鍍的原理是將生產(chǎn)大板并排夾在一條銅條飛靶上，再把板子放到含有銅離子的電鍍槽液中，電流通過銅條飛靶傳遞到板子上，板子上露出銅面的地方在電流的作用下，會吸...
MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系
CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌...
在噴淋蝕刻過程中，蝕刻液是通過蝕刻機(jī)上的噴頭，在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達(dá)印制板之后進(jìn)入干鏌之間的凹槽內(nèi)并與凹槽內(nèi)露出的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2020-04-08 標(biāo)簽：印制電路板PCB設(shè)計蝕刻 4.9k 0
HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對硅表面質(zhì)量的影響
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕...
本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動力學(xué)作為蝕刻劑組成的函數(shù)。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區(qū)域，蝕刻...
鍺化硅（SiGe）和硅（Si）之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制
引言 目前，硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅（SiGe）合金的使用頻率越來越高，在互補金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中，英思特通過使用SON結(jié)構(gòu)...
為了形成膜結(jié)構(gòu)，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片...
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pc...
剝離成形電子束蒸鍍設(shè)備Lift-Off E-beam
上海伯東代理剝離成形電子束蒸鍍設(shè)備 Lift-Off E-beam 精確控制真空壓力, 電子束源與基板的拋射距離, 基板溫度, 電子束源溫度, 并控制涂...
側(cè)蝕產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長，（或者使用老式的左右搖擺蝕刻機(jī)）側(cè)蝕越嚴(yán)重。側(cè)蝕嚴(yán)重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴(yán)重側(cè)蝕將使制作精細(xì)導(dǎo)線成為不可能。
2019-04-25 標(biāo)簽：PCB設(shè)計蝕刻可制造性設(shè)計 4.2k 0
蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡單，但實際上，如果在蝕刻階段出現(xiàn)問題將會影響板子的最終質(zhì)量，特別是在生產(chǎn)細(xì)紋或高精度印制電路板時，尤為重...
2011-08-30 標(biāo)簽：印制電路板PCB設(shè)計蝕刻 4.2k 0
我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體開發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法，其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min，在50°c下超過100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容，適用...
日本限制芯片制造設(shè)備出口 中方回應(yīng) 美國拉上了一些盟友，比如日本，來一起無理打壓我們的半導(dǎo)體發(fā)展，日本計劃限制23種半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口；對此外交部發(fā)言...
通過光刻和蝕刻工藝順序提高整個晶圓的關(guān)鍵尺寸均勻性（1）
摘要 跨晶圓柵極臨界尺寸(CD)的一致性會影響芯片與芯片之間在速度和功耗方面的性能差異。隨著線寬減小到90 nm及以下，跨晶片CD均勻性的性能規(guī)格變得越...
引言 我們?nèi)A林科納描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關(guān)的新的成品率損失機(jī)制。在預(yù)金屬化濕法清洗過程中，含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化...
引言 為了在半導(dǎo)體工藝中獲得均勻的電氣特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清潔度的技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的高密度化，其重要性日益增加。一般來說，半導(dǎo)體工藝中...
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場：行業(yè)分析
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場預(yù)計將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆粒或污染物的過程。器件表面晶圓上的污...
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本文章描述了...
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異...
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度...
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