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蝕刻

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最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

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蝕刻資訊

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第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要,因?yàn)樗鼈兙哂挟惓8叩逆I能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這...

2022-02-23 標(biāo)簽:發(fā)射器氮化鎵蝕刻 3.4k 0

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2023-05-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓蝕刻 3.4k 0

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氮化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而,GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯(cuò)密度縮短了GaN基器件的壽命。...

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2022-07-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓蝕刻 3.3k 0

石英單晶等離子體蝕刻工藝參數(shù)的優(yōu)化

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本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻,13.56兆赫)放電激勵(lì)下,在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口...

2022-02-17 標(biāo)簽:工藝參數(shù)蝕刻 3.2k 0

硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻工藝

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硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無(wú)源襯底,也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述,所需的圖案也可以通過(guò)濕化學(xué)蝕刻方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

2022-03-23 標(biāo)簽:元件材料蝕刻 3.2k 0

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

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2023-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻 3k 0

納米掩膜蝕刻的詳細(xì)說(shuō)明

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磷酸中二氧化硅的選擇性濕法蝕刻方法

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2022-02-15 標(biāo)簽:蝕刻晶片 3k 0

對(duì)于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

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引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力,改變了硅的蝕刻各向異性,顯著降低了(...

2022-01-13 標(biāo)簽:蝕刻晶片 2.8k 0

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

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蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制...

2023-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻 2.8k 0

堿性KOH蝕刻特性的詳細(xì)說(shuō)明

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō),它們...

2022-05-09 標(biāo)簽:蝕刻晶片 2.8k 0

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng) 2023-2030分析

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HF溶液中二氧化硅刻蝕機(jī)理實(shí)驗(yàn)

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在高頻水溶液中,SiO的蝕刻可以通過(guò)電場(chǎng)的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中,非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對(duì)溶解過(guò)程提出了平行反應(yīng)路徑,并加上電場(chǎng)...

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局部濕蝕刻法制備硅玻璃凹微透鏡陣列

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微透鏡陣列是重要的光學(xué)器件,因?yàn)樗鼈冊(cè)诠鈱W(xué)系統(tǒng)、微制造和生物化學(xué)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一種利用飛秒激光增強(qiáng)化學(xué)濕法刻蝕在石英玻璃上大面積制作凹...

2022-02-18 標(biāo)簽:芯片光學(xué)蝕刻 2.7k 0

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為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器,它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...

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2022-05-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻 2.7k 0

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溶劑對(duì)ITO電極蝕刻的影響

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本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對(duì)ITO膜腐蝕行為的影響,在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率,然而,通過(guò)XPS分析,發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻劑中比在HCl中有更多...

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摘要 微流體和光學(xué)傳感平臺(tái)通常由玻璃和熔融石英(石英)制成,因?yàn)樗鼈兙哂泄鈱W(xué)透明性和化學(xué)惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介...

2022-05-23 標(biāo)簽:蝕刻玻璃 2.5k 0

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