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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要,因?yàn)樗鼈兙哂挟惓8叩逆I能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這...
氮化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而,GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯(cuò)密度縮短了GaN基器件的壽命。...
本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過(guò)程中進(jìn)行的濕法蝕刻過(guò)程和使用的藥液,在晶圓表面,為了形成LSI布線,現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式,這是因...
本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻,13.56兆赫)放電激勵(lì)下,在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口...
硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無(wú)源襯底,也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述,所需的圖案也可以通過(guò)濕化學(xué)蝕刻方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片,是液體...
在本文中,使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻方法進(jìn)行了陣列制作鐵氧化物納米點(diǎn)的生物納米過(guò)程,ICP法是一種很有前途的方法,用于半導(dǎo)體圖案化的干蝕刻方法,...
摘要 在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì),因?yàn)樗哂袩o(wú)污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優(yōu)點(diǎn)。然而,...
對(duì)于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力,改變了硅的蝕刻各向異性,顯著降低了(...
高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制...
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō),它們...
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng) 2023-2030分析
半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類型...
在高頻水溶液中,SiO的蝕刻可以通過(guò)電場(chǎng)的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中,非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對(duì)溶解過(guò)程提出了平行反應(yīng)路徑,并加上電場(chǎng)...
2022-03-07 標(biāo)簽:電位器實(shí)驗(yàn)蝕刻 2.7k 0
微透鏡陣列是重要的光學(xué)器件,因?yàn)樗鼈冊(cè)诠鈱W(xué)系統(tǒng)、微制造和生物化學(xué)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一種利用飛秒激光增強(qiáng)化學(xué)濕法刻蝕在石英玻璃上大面積制作凹...
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器,它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...
TMAH溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻后晶體平面的表征研究
本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計(jì)成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此,詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻;我們發(fā)現(xiàn)m-G...
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限,因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干...
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