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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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近來，為提高IC芯片性能，倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實現(xiàn)倒裝芯片鍵合，需要大量的通孔。因此，硅通孔（TSV）被應(yīng)用。然而，硅有幾個缺點，例如其價格相對較...
濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新
在顯示技術(shù)飛速迭代的今天，微型LED、柔性屏、透明顯示等新型器件對制造工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)：更精密的結(jié)構(gòu)、更低的損傷率、更高的量產(chǎn)一致性。作為研發(fā)顯...
半導體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法...
半導體生產(chǎn)過程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液bath中一次性加入數(shù)...
瑞鑫環(huán)保：致力于讓PCB生產(chǎn)廢物“變廢為寶”
電解提銅過程中，陽極區(qū)的氫離子會透過陽離子膜遷移到陽極區(qū)中，使藥水酸度增加，正好可以補充蝕刻過程中藥水酸度的損耗，使蝕刻液可以不斷循環(huán)使用。
我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微...
晶圓高溫清洗蝕刻工藝是半導體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對于確保芯片的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。為此，在目前市場需求的增長情況下，我們來給大家介紹一下詳情。 一、工...
摘要 公開了一種用于濕法處理襯底的設(shè)備和系統(tǒng)，其可用于化學處理，例如蝕刻或清洗半導體襯底。該設(shè)備具有處理室，在該處理室中濕法處理襯底。處理液通過開口和噴...
在本文中，使用緩沖氧化物蝕刻(BOE)溶液進行濕法蝕刻以直接鍵合Cu-Cu圖案之后，根據(jù)Cu圖案密度變量在400℃的結(jié)溫下進行Cu-Cu鍵合，具有良好的...
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜...
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺...
在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計算算術(shù)平均粗...
引言 氮化鎵因其獨特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質(zhì)外延層中高達108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的...
已經(jīng)完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學效應(yīng)的研究。反應(yīng)物克服液相傳質(zhì)阻力和動力學阻力完成反應(yīng)。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機位置，...
2022-03-08 標簽：電阻數(shù)據(jù)蝕刻 1.4k 0
石墨烯是一種原子級薄層2D碳納米材料，具有以六方晶格結(jié)構(gòu)排列的sp2鍵碳原子。石墨烯因其優(yōu)異的物理和電子性能而受到廣泛關(guān)注。自發(fā)現(xiàn)石墨烯以來，石墨烯的基...
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的...
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 ...
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