多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的過程

ZnO是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可摻雜為透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，用于無機(jī)和有機(jī)光伏器件，為了更好地理解ZnO薄膜的腐蝕過程，我們?nèi)A林科納發(fā)現(xiàn)了一種原子力顯微...

2022-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻ZnO 1.1k 0

一種穿過襯底的通孔蝕刻工藝

通過使用多級等離子體蝕刻實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaA...

2022-06-23 標(biāo)簽：工藝蝕刻襯底 1k 0

如何利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮...

2022-03-18 標(biāo)簽：檢測蝕刻測量 1k 0

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)，測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建...

2022-03-22 標(biāo)簽：參數(shù)蝕刻單晶硅 1k 0

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異...

2022-03-07 標(biāo)簽：集成電路封裝蝕刻 1k 0

怎樣通過重新化學(xué)表面處理改善水痕缺陷

根據(jù)水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率， 并不會蝕刻掉多晶硅的特性， 工藝易于控制。 因此對于用光學(xué)顯微鏡觀察到產(chǎn)生水痕缺陷...

2022-03-15 標(biāo)簽：晶圓蝕刻缺陷 999 0

硅中的各向異性濕法蝕刻工藝課堂4（下）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4...

2022-08-09 標(biāo)簽：蝕刻 976 0

基于噴射條件的蝕刻特性和霧化特性研究

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-07 標(biāo)簽：工藝特性蝕刻 975 0

用于批量加工的創(chuàng)新型 NexAStep濕式蝕刻清洗系統(tǒng)

來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志文章 近幾十年來，半導(dǎo)體行業(yè)取得了巨大進(jìn)步，在我們的現(xiàn)代世界中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。濕法工藝設(shè)備是生產(chǎn)高質(zhì)量半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部...

2024-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 962 0

化學(xué)添加劑對KOH 溶液中Si表面反應(yīng)性的影響

介紹 于大多數(shù)半導(dǎo)體而言，陽極氧化需要價(jià)帶空穴。因此，人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。 氫氧化鉀溶液中硅的化...

2021-12-31 標(biāo)簽：蝕刻測量 948 0

下一代晶體管有何不同

在經(jīng)歷了近十年和五個主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對于FinFE...

2023-12-26 標(biāo)簽：晶體管蝕刻 929 0

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅...

2022-03-11 標(biāo)簽：傳感器晶圓蝕刻 923 0

一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因...

2022-04-06 標(biāo)簽：超聲波蝕刻 910 0

通過檢測金剛石線鋸硅片表面顆粒負(fù)荷來評價(jià)清洗工藝的新方法

高效硅太陽能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。...

2023-11-01 標(biāo)簽：太陽能電池測試晶圓 900 0

KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...

2022-03-09 標(biāo)簽：晶體材料蝕刻 894 0

局部陽極氧化和化學(xué)蝕刻對硅表面的自然光刻

利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)...

2022-03-23 標(biāo)簽：電壓蝕刻測量 892 0

用蝕刻法對金屬陶瓷薄膜進(jìn)行電阻修整

二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學(xué)性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對這些薄膜進(jìn)行濺射蝕刻。 可以看出，當(dāng)從鉭面積比超過50%的靶濺射時(shí)，鉭-二氧化硅金屬...

2022-02-25 標(biāo)簽：電阻裝置蝕刻 890 0

無氫氟蝕刻劑中鈦選擇性濕蝕刻銅的研究

眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結(jié)構(gòu)對真核細(xì)胞和原核細(xì)胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發(fā)這種結(jié)...

2023-10-23 標(biāo)簽：蝕刻 883 0