一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型

在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗(yàn)和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項(xiàng)研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)...

2022-05-09 標(biāo)簽：工藝蝕刻模型 858 0

丁基醇濃度對(duì)Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響

本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速...

2022-03-18 標(biāo)簽：蝕刻晶片測(cè)量 845 0

關(guān)于KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告

引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不...

2022-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 826 0

不同掩模材料對(duì)400nm瀝青光柵蝕刻特性的影響

本文主要介紹了我們?nèi)A林科納研究了用聚合物、Cr、二氧化硅和Cr-單聚聚合物等各種蝕刻掩模材料對(duì)400nm瀝青硅光柵的低溫深蝕刻。研究發(fā)現(xiàn)，下切口是限制C...

2022-05-10 標(biāo)簽：光柵材料蝕刻 795 0

用蝕刻法測(cè)定硅晶片表面的金屬雜質(zhì)

本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量...

2022-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備蝕刻 794 0

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕...

2022-04-12 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 788 0

AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報(bào)告

摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長(zhǎng)AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻...

2022-03-14 標(biāo)簽：單晶蝕刻 785 0

Cu雜質(zhì)對(duì)Si(110)濕法蝕刻的影響

我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻...

2022-03-10 標(biāo)簽：算法蝕刻原理 739 0

Cu雜質(zhì)對(duì)Si(110)濕法蝕刻的影響—蘇州華林科納半導(dǎo)體

引言 我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘...

2021-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 732 0

KOH溶液中使用濕法蝕刻制備具有ZnO納米管的倒置有機(jī)太陽(yáng)能

摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機(jī)太陽(yáng)能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡(jiǎn)單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過(guò)濕...

2022-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 726 0

循環(huán)緩沖氧化物蝕刻過(guò)濾器的特性報(bào)告

本文討論了我們?nèi)A林科納用于再循環(huán)蝕刻浴的過(guò)濾器的物理、性能和成本特性。然而，要為生產(chǎn)操作選擇合適的過(guò)濾器，還需要蝕刻應(yīng)用知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

2022-02-10 標(biāo)簽：蝕刻性能過(guò)濾器 695 0

濕蝕刻在硅片晶薄中的作用

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識(shí)別系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)移之外，垂直系統(tǒng)集...

2022-04-01 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 668 0

關(guān)于ZnO 的濕化學(xué)表面紋理化的研究報(bào)告

摘要 透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)作為薄膜硅(Si)太陽(yáng)能電池的前電極起著重要作用，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁┕鈱W(xué)散射，從而改善器件內(nèi)部的光子吸收。本文報(bào)道了摻雜鋁...

2022-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 662 0

方差分析在等離子蝕刻工序中的應(yīng)用

在集成電路的許多生產(chǎn)步驟中，晶片被一層材料(如二氧化硅或某種金屬)完全覆蓋。通過(guò)對(duì)掩模的蝕刻有選擇性地除去不需要的材料，從而創(chuàng)建電路模板、電互連以及必須...

2022-04-25 標(biāo)簽：集成電路蝕刻 624 0