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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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在本文中，我們首次報(bào)道了實(shí)現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...
2022-03-09 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)蝕刻晶片 1.2k 0
通過實(shí)驗(yàn)、理論模型和有限元模擬的結(jié)合，英思特通過將一個(gè)薄膜粘接到一個(gè)預(yù)應(yīng)變超過400%的軟彈性襯底上，探索了微觀和宏觀尺度上控制周期性屈曲脫層形成和發(fā)展...
HARSE工藝在先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用
在本文中講述了HARSE的工藝條件，其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓，還將成為展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。
半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)市場預(yù)計(jì)增長到2028年的120億美元，復(fù)合年增長率為2.5%
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表...
Aston 質(zhì)譜儀對小開口區(qū)域的蝕刻有更高的靈敏度
上海伯東日本 Aston? 質(zhì)譜儀能夠進(jìn)行準(zhǔn)確且可操作的端點(diǎn)檢測, OA% 是傳統(tǒng) OES 計(jì)量解決方案的一個(gè)數(shù)量級（1/10）. Aston? 質(zhì)譜...
多孔硅由于其在可見光范圍內(nèi)的室溫光致發(fā)光而引起了極大的關(guān)注。然而，關(guān)于多孔硅表面的光致發(fā)光有兩種不同的假說。第一個(gè)包括量子限制效應(yīng)，這是由于分隔孔壁的窄...
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子...
III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測系統(tǒng)、光電探測器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池的制造...
PTFE管用途：可用于蝕刻搖擺機(jī)的搖擺架，PTFE也稱：可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon 蝕刻機(jī)的簡單介紹： 1、采用傳動(dòng)裝置，霧化噴淋，結(jié)構(gòu)合理...
用于化學(xué)分析應(yīng)用的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻
分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
引言 陶瓷很難蝕刻。它們的化學(xué)惰性使它們非常穩(wěn)定，并且通常需要熱蝕刻技術(shù)來獲得它們的微結(jié)構(gòu)。我們介紹一項(xiàng)旨在簡化陶瓷蝕刻過程的技術(shù)。 陶瓷有著廣泛的應(yīng)用...
利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻，在晶體硅片上生成了錐體分層結(jié)構(gòu)，經(jīng)氟化后表現(xiàn)出較強(qiáng)的抗反射和超疏水性，利用紫外輔助壓印光刻技術(shù)將分層硅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到NOA63...
微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）是將機(jī)械元件和電子電路集成在一個(gè)共同的基板上，通過使用微量制造技術(shù)來實(shí)現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加...
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太...
引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。...
通過熱增強(qiáng)提高氮化鎵的濕蝕刻速率報(bào)告
通過增加過硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長紫外線(UVC)暴露，硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(xué)(CL-PEC(UVC)(Horiki...
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和...
在過去的幾年里，200mm設(shè)備在市場上一直供不應(yīng)求，但現(xiàn)在整個(gè)300mm供應(yīng)鏈也出現(xiàn)了問題。傳統(tǒng)上，300毫米設(shè)備的交貨時(shí)間為三到六個(gè)月，而特定系統(tǒng)的交...
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(D...
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS...
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