低溫蝕刻重新出現(xiàn)_

經(jīng)過多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。

2023-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.4k 0

鋁蝕刻劑控制研究—華林科納半導(dǎo)體

摘要 本文對(duì)本克斯使用的鋁蝕刻劑進(jìn)行調(diào)查，以長期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕...

2022-01-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.4k 0

離子布植法介紹

由于蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學(xué)術(shù)研究單位最常采用的方法為離子布植法。采用離子布植法作為面射型雷射...

2025-01-15 標(biāo)簽：電極蝕刻 1.4k 0

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》減薄硅片的蝕刻技術(shù)

摘要 高效指間背接觸太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費(fèi)。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況...

2022-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.4k 0

精確確定晶片結(jié)晶方向的不同技術(shù)方法

在濕法體微機(jī)械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長蝕刻導(dǎo)致由最慢蝕刻平面限定的結(jié)構(gòu)。為了制造高尺...

2022-05-24 標(biāo)簽：蝕刻晶片微機(jī)械 1.3k 0

通過X射線光刻在指尖大小的芯片中產(chǎn)生高精度微光學(xué)元件的晶圓級(jí)制造

引言 在過去的二十年中，市場(chǎng)對(duì)大量N灰度級(jí)三維微納米元件的需求一直很活躍?；阢U筆束的光刻技術(shù)，我們可以生產(chǎn)出精確的組件，但目前需要更長的時(shí)間去處理。使...

2024-02-28 標(biāo)簽：芯片蝕刻晶圓級(jí) 1.3k 0

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透

本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-06 標(biāo)簽：工藝蝕刻滲透 1.3k 0

HF/H2O二元溶液中硅晶片變薄的蝕刻特性

使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散...

2022-03-18 標(biāo)簽：光電蝕刻晶片 1.3k 0

通過紫外線輔助光蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)的濕式蝕刻

我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面...

2022-02-14 標(biāo)簽：晶體管蝕刻GaN 1.3k 0

懸浮波導(dǎo)SiO2薄膜的應(yīng)力和折射率控制

懸浮二氧化硅結(jié)構(gòu)對(duì)于許多光學(xué)和光子集成電路(PIC)應(yīng)用是重要的，例如寬光譜頻率梳，低傳播損耗波導(dǎo)，以及紫外-可見光濾光器等。除了這些應(yīng)用，懸浮波導(dǎo)還可...

2023-11-16 標(biāo)簽：薄膜蝕刻 1.2k 0

單層和多層中的應(yīng)力和分層控制

類金剛石碳(DLC)膜具有諸如高硬度和低摩擦系數(shù)的優(yōu)異特性，并且在切削工具、金屬模具和機(jī)器部件中具有應(yīng)用。不幸的是，它們通常表現(xiàn)出低粘合強(qiáng)度由于高的內(nèi)部...

2023-09-26 標(biāo)簽：RF蝕刻單晶體 1.2k 0

各種濕化學(xué)處理方法及其對(duì)表面特性的影響

引言 III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)系統(tǒng)、光電探測(cè)器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池...

2022-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.2k 0

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-03-16 標(biāo)簽：光纖蝕刻硅片 1.2k 0

混合酸溶液和熔融KOH中蝕刻的GaN薄膜

本文介紹了我們?nèi)A林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質(zhì)，鹽酸作為陽極腐蝕介質(zhì)，用掃描電鏡和透射電...

2022-05-27 標(biāo)簽：薄膜蝕刻GaN 1.2k 0

各向異性潤濕過程中的表面形態(tài)

在過去的幾年中，隨著器件尺寸的不斷減小，蝕刻表面的粗糙度開始發(fā)揮越來越重要的作用。

2023-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.2k 0

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充...

2023-03-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 1.2k 0

電化學(xué)行為后的蝕刻清洗

清潔是在 32 nm 及以下技術(shù)的微電子設(shè)備中集成自對(duì)準(zhǔn)勢(shì)壘 (SAB) 的關(guān)鍵步驟之一。因此，研究不同清洗液對(duì) SAB 金屬成分的影響非常重要，主要涉...

2022-03-22 標(biāo)簽：電化學(xué)蝕刻測(cè)量 1.2k 0