關(guān)于GaAs在酸性和堿性溶液中的濕蝕刻研究報告

摘要 我們?nèi)A林科納用同步光電發(fā)射光譜法研究了無氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結(jié)果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子...

2022-01-24 標簽：電化學蝕刻 2.5k 0

電偶腐蝕對先進封裝銅蝕刻工藝的影響

共讀好書 高曉義 陳益鋼 （上海大學材料科學與工程學院 上海飛凱材料科技股份有限公司） 摘要： 在先進封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在...

2024-02-21 標簽：半導體封裝電鍍 2.5k 0

關(guān)于微技術(shù)中硅反應離子刻蝕的研究

等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡單；使用氣體輝光放電來離解和離子化相對穩(wěn)定的分子，形成化學反應性和離子性物質(zhì)，并選擇化學物質(zhì)，使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應，形...

2022-02-14 標簽：材料監(jiān)測蝕刻 2.5k 0

玻璃電路板表面微蝕刻工藝

玻璃表面蝕刻紋路由于5G時代玻璃手機后蓋流行成為趨勢，預測大部分中高端機型將采用玻璃作為手機的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中...

2024-07-17 標簽：電路板蝕刻 2.5k 0

濕法蝕刻工藝的作用：可有效去除金屬氧化物

摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明，近 8% 的設(shè)備由于金屬過多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實驗和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在...

2022-02-28 標簽：半導體蝕刻 2.4k 0

二氧化硅蝕刻標準操作程序研究報告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...

2022-03-10 標簽：材料蝕刻晶片 2.4k 0

氮化鎵的大面積光電化學蝕刻的實驗報告

索引術(shù)語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意...

2022-02-07 標簽：化學蝕刻 2.3k 0

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

引言 在使用濕化學硅體微機械加工制造微機電系統(tǒng)時，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...

2021-12-28 標簽：蝕刻單晶硅 2.2k 0

選擇性高通量TiN蝕刻方法的研究

本研究的目的是我們?nèi)A林科納開發(fā)足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對電介質(zhì)和金屬具有高選擇性。大多數(shù)蝕刻實驗是在分子間Tempus F...

2022-05-30 標簽：蝕刻生物技術(shù) 2.2k 0

關(guān)于氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻的研究

光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低、表面損傷較低的優(yōu)點，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切...

2022-01-17 標簽：半導體蝕刻 2.2k 0

半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學

摘要 綜述了半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學蝕刻和 n 型半導體中各向異性孔的電化學蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效...

2022-03-03 標簽：半導體蝕刻 2.1k 0

影響pcb蝕刻性能的五大因素有哪些？

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過程中的關(guān)鍵步驟之一，影響蝕刻性...

2024-03-28 標簽：電路設(shè)計蝕刻PCB 2.1k 0

適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學成分（1）

引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系...

2022-06-23 標簽：半導體蝕刻 2.1k 0

深硅蝕刻技術(shù)使下一代功率器件成為可能

包括汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應用對大功率設(shè)備的需求正在增加。如今，功率器件必須滿足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴格要求...

2022-07-29 標簽：半導體功率器件蝕刻 2.1k 0

金屬蝕刻殘留物對蝕刻均勻性的影響

引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結(jié)果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)...

2022-06-13 標簽：蝕刻材料科學 2.1k 0

解析半導體蝕刻過程中的光學監(jiān)測

為了獲得功能正常的半導體器件，我們在納米制造過程中依賴于嚴格的尺寸控制。在該初步校準之后，在相同的處理條件下在真實晶片上運行制造，隨后再次進行后處理測量...

2022-03-14 標簽：半導體監(jiān)測蝕刻 2.1k 0