存儲(chǔ)行業(yè)為什么在資本市場(chǎng)不被看好

我們都知道，近一年來(lái)，內(nèi)存價(jià)格上漲，相應(yīng)的NAND（閃存）價(jià)格也跟隨者水漲船高，但摩根士丹利最近卻下調(diào)了多家芯片股的評(píng)級(jí)，理由是明年閃存價(jià)格將下滑，盈利...

2019-09-05 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器 884 0

李在镕受審讓三星的瘋狂投資并購(gòu)步伐暫停

李在镕最近受審，也讓三星的并購(gòu)進(jìn)入了一個(gè)暫停狀態(tài)。如果不是李在镕受審，三星電子可能會(huì)參與到東芝公司閃存業(yè)務(wù)的并購(gòu)爭(zhēng)奪中。

2017-04-17 標(biāo)簽：東芝閃存三星電子 884 0

2018年第一季度全球企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)廠商收入同比猛增34.4%，高達(dá)130億美元

據(jù)國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）的《全球季度企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)跟蹤報(bào)告》顯示，2018年第一季度全球企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)廠商收入同比猛增34.4%，高達(dá)130億美元。訪季度容...

2018-09-29 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 884 0

三星推出車用閃存存儲(chǔ)：專為駕駛輔助設(shè)計(jì)，速度遠(yuǎn)超eMMC

分享到 Intel 剛剛正式發(fā)布了新一代 Xeon D - 2100 系列處理器，面向追求低功耗、高密度、高安全的服務(wù)器，采用了與Xeon Scalab...

2018-07-03 標(biāo)簽：閃存三星電子存儲(chǔ) 880 0

閃存漲價(jià)潮來(lái)臨 國(guó)內(nèi)產(chǎn)品跟海外的先進(jìn)水平又一步縮短

12 月 30 日訊，報(bào)道稱，閃存貶價(jià)現(xiàn)已兩年了，可是現(xiàn)在好日子要完畢了。自從 6 月份東芝、西數(shù)坐落日本的 NAND 閃存工廠斷電罷工一個(gè)月之后，閃存...

2019-12-31 標(biāo)簽：閃存NAND 873 0

DRAM與NAND閃存等未來(lái)五年最看俏

內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，...

2017-01-10 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 872 0

容量輕松TB級(jí)、價(jià)格/功耗降低東芝3D閃存技術(shù)突破

東芝表示，原型產(chǎn)品已經(jīng)在6月出貨，成品將在下半年上市。同時(shí)，業(yè)內(nèi)將在8月7日開(kāi)幕的閃存峰會(huì)上有幸得以近距離了解產(chǎn)品詳情。

2017-07-11 標(biāo)簽：東芝閃存 871 0

科學(xué)研發(fā)新型存儲(chǔ)設(shè)備：比閃存快1萬(wàn)倍 讀寫僅用10納秒

在現(xiàn)在計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲(chǔ)持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲(chǔ)時(shí)間不長(zhǎng)，硬盤與閃存則相反。而今，一種原型存儲(chǔ)設(shè)備打破了這種限制，實(shí)現(xiàn)了速度...

2013-06-14 標(biāo)簽：閃存 866 0

東芝閃存業(yè)務(wù)存變數(shù)，已計(jì)劃單獨(dú)拆分進(jìn)行IPO

為了填補(bǔ)美國(guó)核電業(yè)務(wù)造成的巨額虧損漏洞，東芝在2017年9月份與貝恩資本財(cái)團(tuán)簽署協(xié)議，以180億美元（約合1153億元人民幣）的價(jià)格將旗下芯片業(yè)務(wù)賣給...

2018-06-27 標(biāo)簽：東芝閃存 866 0

閃存真的要降價(jià)了 東芝成功研發(fā)世界首款4比特3D QLC閃存 大容量硬盤將更便宜

東芝日前宣布，他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。

2017-06-30 標(biāo)簽：東芝閃存 865 0

有望取代閃存的新型非易失性技術(shù)--相變內(nèi)存

相變內(nèi)存（Phase Change Memory，PCM）是一項(xiàng)以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅(qū)的新型非易失性技術(shù)，可以成為取代閃存的...

2010-07-17 標(biāo)簽：閃存非易失性技術(shù) 864 0

未來(lái)NOR閃存將開(kāi)始向著汽車領(lǐng)域的方向而快速發(fā)展

隨著汽車變得越來(lái)越智能，并需要更多的存儲(chǔ)空間，很多技術(shù)都在為駕駛員的座位而折騰，但是可以肯定地說(shuō)，NOR閃光燈至少可以使用shot彈槍。 憑借其可編程能...

2020-08-27 標(biāo)簽：閃存汽車電子存儲(chǔ)器 863 0

領(lǐng)存H1 Plus系列2.5寸PATA固態(tài)硬盤產(chǎn)品介紹

領(lǐng)存 H1 Plus 系列 2.5 寸 PATA 固態(tài)硬盤產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn) IDE 44 腳接口，具有讀寫性能高、穩(wěn)定性及 可靠性高、最大容量可達(dá) 1TB ...

2021-05-27 標(biāo)簽：閃存接口硬盤 861 0

戴爾科技PowerProtect產(chǎn)品組合重大升級(jí)

過(guò)去，全閃存就像存儲(chǔ)界的超跑——性能炸裂，但身價(jià)不菲，通常只出現(xiàn)在最核心的業(yè)務(wù)系統(tǒng)里。

2025-11-06 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)設(shè)備戴爾科技 861 0

美高森美推出滿足油氣行業(yè)鉆井探測(cè)環(huán)境的高溫快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）...

2013-04-15 標(biāo)簽：閃存美高森美 859 0