美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:34
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美高森美公司（Microsemi ）宣布擴(kuò)大RF功率產(chǎn)品線，推出DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 （industrial、scientific and medical，ISM） 應(yīng)用的RF產(chǎn)生器中使用，包括
2012-06-05 09:31:441087 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 宣布推出超低功耗（ULP） 射頻（RF）收發(fā)器產(chǎn)品ZL70251，具有用于工業(yè)應(yīng)用短距無(wú)線傳感器的40至85℃擴(kuò)展工作溫度范圍。
2013-05-23 11:00:291692 目前，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)以高存儲(chǔ)密度、低功耗、擦寫次數(shù)快等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片的壟斷地位，但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸，而新一代存儲(chǔ)技術(shù)——阻變存儲(chǔ)器有望成為閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)的替代者。
2015-10-13 08:24:583387 盧志遠(yuǎn)分析，NOR型快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長(zhǎng)下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴(kuò)產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場(chǎng)，對(duì)旺宏不會(huì)有所影響。
2017-07-26 08:12:14944 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲(chǔ)數(shù)據(jù)就再也無(wú)法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)消失
2021-12-10 06:34:11
油氣行業(yè)成為近幾年眾多RFID應(yīng)用領(lǐng)域中發(fā)展勢(shì)頭最快的行業(yè)之一，但RFID究竟是如何被使用的呢？除了一部分采用有源標(biāo)簽的項(xiàng)目外，大部分的RFID應(yīng)用所使用的依舊是無(wú)源超高頻標(biāo)簽，這些標(biāo)簽被用來(lái)追蹤和管理資產(chǎn)，幫助油氣公司更好的遵守行業(yè)法規(guī)，實(shí)現(xiàn)安全生產(chǎn)。
2019-07-26 06:54:47
油氣行業(yè)的安全性不可小覷。在過(guò)去數(shù)10年間已經(jīng)看到大量油輪，海上平臺(tái)發(fā)生故障導(dǎo)致受傷和死亡，引起環(huán)境災(zāi)難的事件。油氣企業(yè)也在不斷努力改進(jìn)行業(yè)的安全性，今天我們講著眼于無(wú)線射頻模塊如何在油氣行業(yè)改進(jìn)
2018-08-06 10:41:31
油氣行業(yè)的安全性不可小覷。在過(guò)去數(shù)10年間已經(jīng)看到大量油輪，海上平臺(tái)發(fā)生故障導(dǎo)致受傷和死亡，引起環(huán)境災(zāi)難的事件。油氣企業(yè)也在不斷努力改進(jìn)行業(yè)的安全性，今天我們講著眼于無(wú)線射頻模塊如何在油氣行業(yè)改進(jìn)
2018-08-08 09:10:07
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存
器），各種各樣的
閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
、汽車、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲(chǔ)器的理想代替產(chǎn)品。此外，Ramtron已計(jì)劃在2008年陸續(xù)推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM產(chǎn)品。 
2008-10-08 09:23:16
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
要求?！ 在線重刪壓縮，3:1數(shù)據(jù)縮減承諾，OPEX節(jié)省75%?！ ∪A為OceanStor Dorado V3滿足數(shù)據(jù)庫(kù)、虛擬化等企業(yè)級(jí)應(yīng)用對(duì)高性能、高可靠、高效率存儲(chǔ)的需求，助力金融、制造、運(yùn)營(yíng)商等
2018-11-29 11:41:44
?！ ?、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
的 F-RAM 存儲(chǔ)器產(chǎn)品已成為高品質(zhì)行業(yè)（例如汽車）中非常普遍的選擇。 諸如 Mercedes、GM、BMW、Ford、Porsche 等制造商正在將 FRAM 用于他們的汽車產(chǎn)品中。13.我可以在與基于閃存
2018-08-20 09:11:18
，而且用戶或電腦黑客無(wú)法篡改設(shè)備數(shù)據(jù)?！ ∷?b class="flag-6" style="color: red">美高森美第三代FPGA，包括ProASIC3，IGLOO，F(xiàn)usion和SmartFusion系列，均使用快閃存儲(chǔ)器來(lái)永久儲(chǔ)存密鑰設(shè)置，這些密鑰設(shè)置決定產(chǎn)品
2012-12-07 16:26:14
三星跟進(jìn)推出840PRO，緊接著OCZ推出自家第一款三代SSD。至此，三代SSD形成三足鼎立的局面，如同艷麗的花朵綻放。 移動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)：全面進(jìn)入單碟500技術(shù) 2012年影響最深的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品
2012-12-30 18:45:31
系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)仍然面對(duì)重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲(chǔ)器技術(shù)要求尺寸越來(lái)越小，但耑要較大系統(tǒng)級(jí)變化來(lái)維持系統(tǒng)級(jí)討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲(chǔ)器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
128Mb以上的串行閃存被認(rèn)為是電子產(chǎn)品滿足市場(chǎng)需求、增加更多功能的一個(gè)主要障礙，針對(duì)需要128Mb以上串行閃存的應(yīng)用要求，美光科技 (Micron Technology)推出一個(gè)簡(jiǎn)單的獨(dú)一無(wú)二的擴(kuò)
2010-10-11 11:36:22
54 MTFC32GAKAEEF-AIT 產(chǎn)品概述 MTFC32GAKAEEF-AIT是Micron推出的一款高性能NAND閃存存儲(chǔ)器，具有32GB的存儲(chǔ)容量。該器件設(shè)計(jì)用于滿足各種嵌入式
2024-10-15 23:15:35
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能，適合低電量運(yùn)作
由于擁有
2010-09-30 11:11:201173 美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來(lái)延長(zhǎng)數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過(guò)在
2010-12-08 09:34:13876 隨著數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨，除了PC外，越來(lái)越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭：移動(dòng)電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等，這些產(chǎn)品越來(lái)越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
美高森美公司宣布推出PD69104A，為一具自動(dòng)模式的4端口以太網(wǎng)絡(luò)供電供電端設(shè)備管理器,是針對(duì)中小型企業(yè)和小型辦公室PoE應(yīng)用所設(shè)計(jì)
2011-02-16 18:08:022065 美高森美公司宣布擴(kuò)展其60 W以太網(wǎng)供電(PoE)中跨(midspan)產(chǎn)品系列，立即提供24端口產(chǎn)品PD-9524G.
2012-03-18 10:40:39837 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺(tái)工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2012-06-21 14:44:174446 
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司的數(shù)款太空產(chǎn)品在火星探測(cè)器發(fā)射和飛行期間用于關(guān)鍵性任務(wù)應(yīng)用，并將繼續(xù)支持在火星表面
2012-08-27 10:01:05850 美商美高森美公司（Microsemi） 祝賀美國(guó)國(guó)家航空暨太空總署 （NASA） 和噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室 （Jet Propulsion Lab， JPL）成功實(shí)現(xiàn)好奇號(hào)火星探測(cè)器的歷史性著陸。在火星探測(cè)器發(fā)射和飛行期間
2012-08-28 09:44:341293 美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 宣布推出六款新型多輸出、任意速率時(shí)鐘合成器和頻率轉(zhuǎn)換/抖動(dòng)衰減產(chǎn)品，新產(chǎn)品的主要優(yōu)勢(shì)在于輸出時(shí)鐘的高頻率和超低抖動(dòng)，以及內(nèi)部集成了時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和用戶可配置存儲(chǔ)區(qū)。
2013-06-19 11:55:442262 致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC） 現(xiàn)在宣布推出用于工業(yè)、商業(yè)、航空、國(guó)防、通信和安全應(yīng)用的IGLOO?2現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）系列產(chǎn)品。
2013-06-27 15:07:162345 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181200 Spansion公司宣布推出首款配備HyperBus?接口的RAM產(chǎn)品。作為HyperFlash?的配套設(shè)備，SpansionHyperRAM?存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)約而經(jīng)濟(jì)高效的SoC和微控制器（MCU
2015-03-05 16:30:596262 美高森美使用AcuEdge技術(shù)在最新Timberwolf平臺(tái)上，設(shè)計(jì)用于Ambarella SoC的定制解決方案
2015-07-16 10:49:451200 致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC）和專門設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)面向世界
2016-04-19 13:50:011717 
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司宣布推出新一代存儲(chǔ)輸入/輸出(I/O)控制器產(chǎn)品 SmartROC 3100和SmartIOC 2100。這兩款產(chǎn)品均由公司統(tǒng)一智能存儲(chǔ)堆棧(Unified Smart Storage Stack)推動(dòng)。
2017-04-08 01:13:071364 
是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 14:11:3723692 可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1716975 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個(gè)屬于儲(chǔ)存器，一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來(lái)看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問(wèn)速度快，但容量?。?086微處理器只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:2112475 存儲(chǔ)器芯片價(jià)格還在上漲的同時(shí)，質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵，對(duì)旺宏而言，2017年的業(yè)績(jī)大幅成長(zhǎng)，完整產(chǎn)品組合，提供一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)。
2017-12-18 13:09:161372 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:392098 的 GDDR6 顯卡存儲(chǔ)器，另一家存儲(chǔ)器大廠美商美光（Micron）的動(dòng)向格外讓人關(guān)注。面對(duì)兩家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手陸續(xù)推出號(hào)稱最新規(guī)格的 GDDR6 顯卡存儲(chǔ)器，美光表示攤開規(guī)格來(lái)看，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手推出的 GDDR6 顯卡存儲(chǔ)器，與美光目前大量出貨的 GDDR5x 顯卡存儲(chǔ)器幾乎相同，不要被名稱混淆了，比較規(guī)格后再說(shuō)。
2018-06-14 10:36:001707 
美光科技旗下游戲存儲(chǔ)器品牌Ballistix宣布，與華碩的TUF游戲聯(lián)盟合作推出新的Sport AT存儲(chǔ)器系列。TUF游戲聯(lián)盟是由華碩、Ballistix和其它值得信賴的產(chǎn)業(yè)合作伙伴之間所合作開發(fā)，確保從零組件到外殼可更輕松的組裝，同時(shí)擁有最佳的兼容性和互補(bǔ)的美學(xué)。
2018-07-09 10:13:00711 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011484 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004986 是新產(chǎn)品，普及還要一段時(shí)間，目前 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器如何發(fā)展，依然是關(guān)鍵。24 日，東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤，是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器首發(fā)，讀取
2018-07-26 18:01:002759 美高森美的低功耗、高性能HBA和RAID存儲(chǔ)連接產(chǎn)品補(bǔ)足AMD EPYC服務(wù)器解決方案 美高森美公司(Microsemi ) 宣布，包括其智能存儲(chǔ)適配器產(chǎn)品組合中的美高森美Adaptec HBA
2018-05-14 06:53:011291 美高森美公司（Microsemi） 宣布全新智能存儲(chǔ) SAS/SATA 量產(chǎn)。這些先進(jìn)智能存儲(chǔ)陣列卡的推出使 美高森美針對(duì)數(shù)據(jù)中心中 SAS/SATA 服務(wù)器存儲(chǔ)的智能存儲(chǔ)產(chǎn)品有了進(jìn)一步提升，其中
2018-05-19 15:10:001412 
最近的新聞報(bào)導(dǎo)指出，英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手，肇因于對(duì)未來(lái)3D NAND Flash發(fā)展的看法差異，想來(lái)合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 存儲(chǔ)器大廠美光 26 日宣布，正式量產(chǎn) GDDR6 存儲(chǔ)器。其核心容量 8Gb，速率 12、14Gbps。美光表示，其速度最高可達(dá) 20Gbps，而且未來(lái)還會(huì)推出容量翻倍的 16Gb GDDR6 存儲(chǔ)器，傳輸速率達(dá) 16Gbps
2018-06-27 09:54:584715 
美高森美公司（Microsemi Corporation）宣布推出最新11.7版本Libero系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC），這是用于美高森美現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯器件（FPGA）產(chǎn)品的全面FPGA設(shè)計(jì)工具套件
2018-08-08 14:28:002242 美高森美公司推出全新SXP 24G系列器件，全新系列滿足高帶寬存儲(chǔ)需求，充分發(fā)揮 PCIe Gen 4系統(tǒng)的全部性能。
2018-08-29 11:25:525684 美高森美公司（Microsemi Corporation）宣布，可以提供面向高速信號(hào)處理應(yīng)用的耐輻射FPGA產(chǎn)品RTG4?，采用可重編程閃存技術(shù)，在最嚴(yán)苛的輻射環(huán)境中提供完全免疫于輻射引發(fā)的配置翻轉(zhuǎn)
2019-05-28 16:22:261471 群聯(lián)搶搭儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）需求爆發(fā)商機(jī) ，今年在臺(tái)北國(guó)際電腦展（ Computex）展出的高端儲(chǔ)存系列產(chǎn)品受到市場(chǎng)矚目，預(yù)料在進(jìn)入5G后，將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵，也成為群聯(lián)獲利利器。
2019-06-04 17:02:223583 作為非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，Macronix推出了一系列eMMC存儲(chǔ)器，以滿足高容量存儲(chǔ)和高可靠性應(yīng)用的需求。通過(guò)將閃存設(shè)計(jì)和管理方面的多年經(jīng)驗(yàn)與先進(jìn)的內(nèi)部NAND閃存制造技術(shù)相結(jié)合
2020-06-30 10:13:03666 
后來(lái)為了滿足大數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)的需求，需要降低單位bit的成本，因此東芝在1989年發(fā)明了NAND Flash。而NAND Flash的最大特點(diǎn)就是高存儲(chǔ)密度和低成本。雖然NAND Flash可以重復(fù)擦寫
2019-08-30 09:04:494797 
新式存儲(chǔ)器可分為獨(dú)立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯工藝，用于取代部分傳統(tǒng)的嵌入式快閃存儲(chǔ)器 eFlash 技術(shù)，而在嵌入式技術(shù)上，趨勢(shì)已快速成熟中。但用于獨(dú)立型存儲(chǔ)器上，目前還有性能、成本的問(wèn)題待克服。
2019-09-09 16:08:331144 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:001166 全球第一的非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)英特爾在韓國(guó)推出新一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體，外界解讀，英特爾選在存儲(chǔ)器半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)發(fā)表新產(chǎn)品，是在向全球前兩大存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)三星電子、SK海力士宣戰(zhàn)。
2019-09-27 17:20:141177 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:453512 高溫存儲(chǔ)器的詳解及推薦 存儲(chǔ)器根據(jù)不同的分類條件具有多種分類方式： 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲(chǔ)器)和外存(輔助存儲(chǔ)器) 存儲(chǔ)介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)方式的不同可分為順序
2020-03-16 15:15:442000 石油測(cè)井高溫存儲(chǔ)器是作為測(cè)井測(cè)量中數(shù)據(jù)保留的核心部件，這些測(cè)量出來(lái)的 井斜、方位角、工具面、溫度、位置信息、等等數(shù)據(jù)如果沒(méi)有高溫存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保留，那么對(duì)于井下的一切信息將會(huì)一無(wú)所知，因此高溫存儲(chǔ)器
2020-06-27 09:41:00923 存儲(chǔ)器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:324480 主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲(chǔ)器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲(chǔ)
2020-04-03 15:01:301026 青島智騰微電子主打的175度耐高溫大容量存儲(chǔ)器，具有高低溫下快速讀寫，可靠高、能優(yōu)良等特點(diǎn)?？砷L(zhǎng)期工作在-45℃～175℃的惡劣環(huán)境中。它綜合了高能和低功耗操作，能在沒(méi)有電源的情況下保存數(shù)據(jù)
2020-03-14 10:11:141010 高溫存儲(chǔ)器的詳解及推薦 存儲(chǔ)器根據(jù)不同的分類條件具有多種分類方式： 用途的不同可以分為內(nèi)存(主存儲(chǔ)器)和外存(輔助存儲(chǔ)器) 存儲(chǔ)介質(zhì)的不同可分為磁表面存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)方式的不同可分為順序
2020-03-23 11:41:211477 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573525 
因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215449 鐵電存儲(chǔ)器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無(wú)法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21675 
XKCON祥控油氣存儲(chǔ)區(qū)環(huán)境在線監(jiān)控系統(tǒng)對(duì)于石油儲(chǔ)備、石油化工企業(yè)的安全生產(chǎn)起到監(jiān)測(cè)和報(bào)警的重要作用，能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)溫度和氣體濃度等環(huán)境要素異常，提高油氣存儲(chǔ)環(huán)境的安全監(jiān)管力度。
2023-02-15 11:29:50997 
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:132304 
由于光伏組件在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)受到高溫高濕等惡劣環(huán)境的影響，從而導(dǎo)致其輸出功率以及性能發(fā)生變化。因此為了驗(yàn)證與評(píng)估戶外太陽(yáng)能組件在高溫高濕環(huán)境下的承受程度以及性能變化，「美能光伏」生產(chǎn)了美能高溫
2023-10-10 10:16:00786 
美光展示了豐富的新產(chǎn)品信息，眾多高管拜訪了參展的制造商。對(duì)于今年存儲(chǔ)器行業(yè)的預(yù)測(cè)，蒙提斯表示，由于AI技術(shù)如火如荼地發(fā)展以及硬件規(guī)格的升級(jí)，存儲(chǔ)器行業(yè)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭。
2024-02-29 09:50:491064 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:152049 
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