2016年下半年開(kāi)始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開(kāi)始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并沒(méi)有
2018-10-31 09:49:01
2463 根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)，總存儲(chǔ)器市場(chǎng)在過(guò)去兩年中對(duì)IC市場(chǎng)的總體增長(zhǎng)產(chǎn)生了重大影響，但可能會(huì)對(duì)2019年的IC市場(chǎng)總體增長(zhǎng)產(chǎn)生非常不利的影響。 DRAM和NAND閃存市場(chǎng)繼續(xù)緊跟原有的IC
2019-04-28 11:03:184876 DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出貨量連續(xù)增長(zhǎng)，但芯片價(jià)格下跌拖累
2019-08-21 09:24:005660 ，2020年IC市場(chǎng)將會(huì)迎來(lái)一波增長(zhǎng)，同時(shí)NAND閃存增長(zhǎng)最快。由于全球供應(yīng)過(guò)剩，PC和移動(dòng)設(shè)備的需求疲軟以及宏觀不利因素，NAND和DRAM存儲(chǔ)器芯片的市場(chǎng)價(jià)格在過(guò)去兩年中暴跌。因此，這兩個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)強(qiáng)勁的預(yù)期市場(chǎng)增長(zhǎng)并不令人感到意外。預(yù)計(jì)2020年NAND閃存市場(chǎng)將增長(zhǎng)19％，DRAM預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12%。但
2019-12-05 10:14:4615795 據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開(kāi)發(fā)部門(mén)整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開(kāi)發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:334546 邁入2020年，DRAM模組及NAND Flash終端產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)上漲，與存儲(chǔ)顆粒合約價(jià)之間的溢價(jià)差持續(xù)擴(kuò)大，包括威剛、十銓、廣穎等存儲(chǔ)模組廠對(duì)2020年營(yíng)運(yùn)展望樂(lè)觀，而且看好2020年獲利表現(xiàn)會(huì)
2020-01-15 09:36:015552 本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
2016-12-27 15:49:1323375 
IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等，未來(lái)五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)可達(dá)7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1,099億美元。
2017-01-10 08:30:09766 集微網(wǎng)消息，IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等，未來(lái)五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá)7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1，099億美元。
2017-01-10 11:32:05739 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:3213702 
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過(guò)電荷的存儲(chǔ)與釋放來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
2025-09-08 09:51:206275 
自可穿戴設(shè)備興起，其迅速占領(lǐng)各大頭條，更在今年CES展會(huì)上獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷，態(tài)勢(shì)火熱。與過(guò)高關(guān)注度相反的是，可穿戴市場(chǎng)仍在瓶頸之期，電池續(xù)航、外型設(shè)計(jì)、功能特色等種種問(wèn)題亟待解決，然而，醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域卻在逐步升溫，無(wú)疑將成為可穿戴設(shè)備最先起飛的市場(chǎng)，后勢(shì)看俏！
2014-02-28 17:12:401568 個(gè)最大細(xì)分市場(chǎng)。 DRAM和NAND閃存在2019年保持相同的地位后，有望在2020年再次成為兩個(gè)最大的IC領(lǐng)域。今年的銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)3.2％，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)將達(dá)到近646億美元，比去年增長(zhǎng)15
2020-08-05 09:29:066000 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專(zhuān)為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:002956 
失性的新技術(shù)，力求制造出同時(shí)替代閃存和DRAM的通用存儲(chǔ)。 ? ULTRARAM 與閃存和DRAM的區(qū)別 ? 閃存和DRAM作為已經(jīng)被行業(yè)使用了數(shù)十年的存儲(chǔ)形式，因?yàn)槠涮匦圆煌?，往往只能被分別用于特定場(chǎng)景中。以閃存為例，其具有非易失性、非破壞性讀出和高度擴(kuò)展性等特點(diǎn)，但缺點(diǎn)在于
2023-10-09 00:10:002774 導(dǎo)讀：VR 在2016年取得不錯(cuò)的成績(jī)，在2017年市場(chǎng)逐漸成熟，可以預(yù)測(cè)未來(lái)五年市場(chǎng)發(fā)展前景良好，VR設(shè)備也將更多考慮市場(chǎng)需求，設(shè)計(jì)出滿足顧客期望的設(shè)備。
美國(guó)知名科技媒體
2016-12-21 11:31:56
Software System、Symbian和Intel等廠商所采用?！ ◎?qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。應(yīng)用環(huán)境NOR型閃存現(xiàn)在的容量
2012-08-15 17:11:45
超高畫(huà)質(zhì)電視等消費(fèi)性產(chǎn)品。以及后續(xù)2020年受惠游戲機(jī)卡匣、5G基地臺(tái)、資料中心及筆電用存儲(chǔ)器出貨強(qiáng)勁成長(zhǎng)，旺宏的19nm SLC NAND FLASH將在眾多產(chǎn)品中成為中流砥柱。截至目前為止，19nm
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
已超越DRAM比重，躍升為最重要產(chǎn)品線，全球市占率達(dá)30~35%，攀至全球第二大，今年預(yù)估出貨量還會(huì)成長(zhǎng)5~10%，市占率上看40%。對(duì)NAND Flash近期市況，他指出，目前下游庫(kù)存低，農(nóng)歷年前拉
2022-02-10 12:26:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán)，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
分類(lèi)
NOR和NAND是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年，東芝公司
2025-07-03 14:33:09
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷(xiāo)售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
時(shí)間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤(rùn)率是40％，但是第一季度過(guò)后NAND價(jià)格就開(kāi)始暴降，據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來(lái)每年
2021-07-13 06:38:27
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 LED前景看俏 華興私募助漲 華上減資助跌
由于LED前景看俏，國(guó)內(nèi)LED廠商近年興起私募風(fēng)潮，包括泰谷、光磊、佰鴻等相繼辦理私
2010-04-01 10:31:06521 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的
2010-05-20 09:26:231244 
嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個(gè)單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開(kāi)始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專(zhuān)門(mén)用于汽車(chē)、消費(fèi)及網(wǎng)
2012-05-29 08:55:471517 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06968 IC Insights最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器等，未來(lái)五年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá)7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴(kuò)增至1，099億美元。
2017-01-10 16:42:57429 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑，除了游戲相關(guān)的硬件之外，活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了，2016下半年開(kāi)始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24836 策略進(jìn)行了講解。 首先，Micron 公司 CEO Mark Durcan 講解了 DRAM 和 NAND 存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)。他說(shuō)，未來(lái)幾年 DRAM 出貨量增長(zhǎng)速度將減緩。如圖 1 所示，2015
2017-10-20 16:08:26
49 今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋(píng)果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂(lè)觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:001032 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車(chē)用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187 隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫(xiě)速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫(xiě)速度不佳。
2018-06-22 11:40:0012610 過(guò)去幾年由于PC從傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)轉(zhuǎn)換為閃存盤(pán)，智能手機(jī)等數(shù)碼產(chǎn)品不斷提升閃存容量，導(dǎo)致全球市場(chǎng)對(duì)NAND flash的需求大幅增長(zhǎng)，這推動(dòng)了全球NAND flash的價(jià)格持續(xù)上漲。作為全球最大
2018-05-31 12:10:001612 近日據(jù)消息稱，韓國(guó)方面已經(jīng)對(duì)外釋放信號(hào)，將在未來(lái)10年拿出1.5萬(wàn)億韓元（約合91億人民幣）支持下一代半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。雖然目前韓國(guó)在DRAM和NAND存儲(chǔ)方面有著強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，但仍需要開(kāi)發(fā)新的材料
2018-07-31 10:12:00647 根據(jù)Yole 預(yù)測(cè)2018年DRAM價(jià)格將上漲23%，NAND價(jià)格下降15％。
2018-06-28 17:05:016564 
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 面對(duì)2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過(guò)90層。
2018-07-24 14:36:328259 根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的專(zhuān)文報(bào)導(dǎo)說(shuō)到，由于市場(chǎng)預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體價(jià)格已達(dá)到高點(diǎn)并開(kāi)始下跌，未來(lái)韓國(guó)半導(dǎo)體出口價(jià)格將呈下降的趨勢(shì)。特別是NAND Flash快閃存儲(chǔ)器價(jià)格的下降，越來(lái)越有可能連帶影響DRAM價(jià)格下跌。
2018-08-15 10:45:033847 威剛科技董事長(zhǎng)陳立白表示，從DRAM市況來(lái)看，未來(lái)1~2年的市況將是樂(lè)觀且健康的，供應(yīng)商都沒(méi)有太大的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，至于NAND Flash價(jià)格將緩步下跌，明年就看QLC NAND Flash投入市場(chǎng)的狀況，可望帶來(lái)新一波的需求。
2018-08-21 15:04:041293 8月21日，調(diào)研公司IC Insights發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長(zhǎng)，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷(xiāo)售額較英特爾高出22%，而一年前的該比例僅為1%。
2018-08-24 14:16:001261 日前DRAMeXchange發(fā)表報(bào)告稱Q3季度DRAM內(nèi)存價(jià)格微幅上漲2%，但Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降幾成定局，這也意味著漲了三年的DRAM內(nèi)存價(jià)格終于要下跌了。與內(nèi)存相比，NAND閃存價(jià)格在
2018-09-10 16:26:322157 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:242506 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:346335 
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:181033 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢(shì)必會(huì)取而代之。 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:435407 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01629 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26867 
2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開(kāi)始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:223223 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:564189 在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來(lái)命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專(zhuān)用控制器來(lái)處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專(zhuān)注于DRAM。
2019-08-07 10:02:5711958 
國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究企業(yè)IC Insights近日發(fā)布預(yù)測(cè)稱：“在世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）分類(lèi)的33個(gè)IC（集成電路）產(chǎn)品中，25個(gè)產(chǎn)品今年的銷(xiāo)售額將會(huì)出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。尤其是
DRAM和
Nand閃存，銷(xiāo)售額將分別比去年減少38%和32%，減少規(guī)模是半導(dǎo)體市場(chǎng)整體預(yù)期減少幅度（15%）的兩倍?！?/div>
2019-08-15 15:14:552725 根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來(lái)的BiCS閃存，以及PLC的NAND開(kāi)發(fā)。
2019-08-26 16:15:584174 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463856 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤(pán)密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44976 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0316738 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:528552 DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2552915 
市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌，韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出，出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252697 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:183722 上周，美光科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到，可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來(lái)幾個(gè)季度的NAND和DRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:173503 NAND閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個(gè)月的庫(kù)存。今年下半年，芯片價(jià)格將迅速下降，季度價(jià)格降幅達(dá)到近20%。
2022-09-27 10:11:581213 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:112256 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:433434 
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394222 這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)?b class="flag-6" style="color: red">年，NAND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度，以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:343462 
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步，數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此，與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:353579 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開(kāi)始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:501370 從2024年第四季度開(kāi)始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:492193 但是，存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō)，已經(jīng)從dram開(kāi)始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:281359 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547 有存儲(chǔ)模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價(jià)格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價(jià)，但預(yù)計(jì)NAND價(jià)格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價(jià)格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價(jià)格，但低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:541358 近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商美光科技發(fā)布了《車(chē)用存儲(chǔ)大趨勢(shì)白皮書(shū)》。該白皮書(shū)深入探討了未來(lái)五年內(nèi)車(chē)用存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)趨勢(shì)和預(yù)測(cè)。根據(jù)預(yù)測(cè)，到2025年，每輛汽車(chē)將搭載高達(dá)16GB的DRAM
2024-02-02 15:41:131471 首先來(lái)看DRAM內(nèi)存，TrendForce原本預(yù)測(cè)2024年第二季度的合約價(jià)會(huì)上漲3~8%，現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存，原預(yù)測(cè)漲幅為13~18%，現(xiàn)已調(diào)整至15~20%，其中eMMC/UFS的漲幅相對(duì)較小，為10%。
2024-05-07 15:56:17922 型產(chǎn)品的涌現(xiàn)，預(yù)計(jì)到2024年度，全球DRAM和NAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入有望實(shí)現(xiàn)75%和77%的驚人同比增長(zhǎng)。而在此之后的2025年度，這兩大領(lǐng)域的營(yíng)收增長(zhǎng)勢(shì)頭仍將持續(xù)，預(yù)計(jì)DRAM和NAND閃存產(chǎn)業(yè)的總營(yíng)業(yè)收入將分別以51%和29%的速度繼續(xù)攀升，創(chuàng)造出前所未有的歷史新紀(jì)錄。
2024-07-24 14:51:101331 據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告，全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的繁榮期。受市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格顯著上揚(yáng)以及HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)興起的共同驅(qū)動(dòng)，兩大存儲(chǔ)芯片行業(yè)預(yù)計(jì)在2024年將實(shí)現(xiàn)爆炸性增長(zhǎng)。
2024-08-01 17:45:581290 NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展等幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
2024-08-10 15:57:1913058 NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來(lái)就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)和重要進(jìn)展。
2024-08-10 16:32:583368 近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng)，近一個(gè)月內(nèi)下跌近20%。
2024-10-09 17:08:431189 近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷(xiāo)售該類(lèi)產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會(huì)正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474 近日，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是在DRAM市場(chǎng)方面，春節(jié)長(zhǎng)假過(guò)后，消費(fèi)者對(duì)于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47933 近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)過(guò)后依然沒(méi)有顯著回暖，市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291018 TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02930 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）根據(jù)2021年上半年DRAM市場(chǎng)情況來(lái)看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的全球市占已經(jīng)來(lái)到1%，排名第五（三星、SK海力士、美光三家共占據(jù)94%份額），NAND市場(chǎng)排名中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)全球市占
2021-11-23 07:30:0011823 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論