東芝存儲公司6日宣布推出一種新的存儲器（SCM）XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫。128Gbit芯片的樣品
2019-08-07 18:11:29
5730 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
研究人員已經(jīng)研發(fā)出一種太赫茲（THz）發(fā)射器，該發(fā)射器的數(shù)據(jù)傳輸速度要比5G至少快10倍，而該技術(shù)有望在2020年實現(xiàn)應(yīng)用。
2017-02-07 15:19:522603 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存（ReRAM）開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅（a-Si）為基板材料，并透過電場轉(zhuǎn)換機制，開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-02-13 09:46:402223 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 閃存設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含芯片、芯片控制器、存儲處理器、緩存、控制器內(nèi)存以及接口。目前主流的接口包括 UFS、SATA、PCIe 等
2020-07-15 16:29:282782 
脈沖驅(qū)動器設(shè)計》 *附件：激光二極管、激光雷達及其他應(yīng)用的高電流納秒級諧振脈沖驅(qū)動器設(shè)計.pdf ? 核心優(yōu)勢與價值 GaN技術(shù)引領(lǐng)未來 ：深入剖析GaN FET和IC在納秒級脈沖應(yīng)用中的獨特優(yōu)勢，其開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅MOSFET快10倍，寄生電感極低，
2025-03-18 12:06:091289 
“八仙過海，各顯神通”。5G的一個關(guān)鍵指標是傳輸速率：按照通信行業(yè)的預(yù)期，5G應(yīng)當實現(xiàn)比4G快十倍以上的傳輸速率，即5G的傳輸速率可實現(xiàn)1Gb/s。這就意味著用5G傳輸一部1GB大小的高清電影僅僅需要10秒
2019-08-16 06:56:45
發(fā)生氧運動。 研究機構(gòu) IMEC 預(yù)計，帶層迭結(jié)構(gòu)的 RRAM 設(shè)備能以 11nm 的規(guī)格進入市場，“SONOS”閃存作為在 17-14nm 節(jié)點的中間級。RRAM 使用最小的能耗提供亞納秒切換，并提
2014-04-22 16:29:09
隨著許多存儲項目的實施，用戶對存儲設(shè)備的需求已經(jīng)不僅僅滿足于數(shù)據(jù)存儲功能，許多用戶都希望存儲設(shè)備可以在一定程度上取代常規(guī)的應(yīng)用服務(wù)器，以達到簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、減少設(shè)備數(shù)量、節(jié)約系統(tǒng)建設(shè)成本的目的。這樣的需求促使了應(yīng)用存儲的出現(xiàn)、并使之得到了快速的發(fā)展。
2019-07-26 07:38:51
性價比超高的U盤讀寫模塊-PB375，兼容CH375讀寫操作1． 功能● 用于嵌入式系統(tǒng)/單片機讀寫U 盤、閃盤、閃存盤、USB 移動硬盤、USB 讀卡器等?！?支持符合USB
2009-02-03 10:39:48
美國科學(xué)家研發(fā)出一種可以在極端條件下使用的新型光學(xué)壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測量高達1800萬帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測頭放進-196°C的液態(tài)氮中或者加熱到 538°C，性能也不會有明顯改變。
2019-08-23 08:30:17
【作者】：袁春華;李曉紅;唐多昌;楊宏道;【來源】：《強激光與粒子束》2010年02期【摘要】：利用Nd:YAG納秒激光脈沖,在能量密度為1～10 J/cm2范圍內(nèi)輻照單晶硅,形成了表面錐形微結(jié)構(gòu)
2010-04-22 11:41:53
，所以不利于數(shù)據(jù)的長時間保存。而近幾年問世的閃存以其存儲容量大、體積小、可靠性高等優(yōu)點，逐步向存儲系統(tǒng)進軍。1 設(shè)計原理設(shè)計中相機輸出LVDS串行數(shù)據(jù)通過接收電平轉(zhuǎn)換和串并轉(zhuǎn)換后得到10路×8 bit
2019-08-07 08:20:48
供電電源：直流3.3v
待放大輸入電壓：10uV。
請問二級放大是否可以實現(xiàn)萬倍放大。如果可以，該怎樣實現(xiàn)？
2024-08-13 06:58:28
，每次耗時大約為0.33納秒。光在1納秒的時間內(nèi)，可以前進30厘米。也就是說，在CPU的一個時鐘周期內(nèi)，光可以前進10厘米。因此，如果內(nèi)存距離CPU超過5厘米，就不可能在一個時鐘周期內(nèi)完成數(shù)據(jù)的讀取
2015-12-27 10:19:01
，標準SDIO接口，兼容SPI，兼容拔插式TF卡/SD卡，可替代普通TF卡/SD卡，尺寸7x8.5mm，內(nèi)置平均讀寫算法，通過1萬次隨機掉電測試，耐高低溫，機貼手貼都非常方便，速度級別Class10（讀取
2024-01-05 17:54:39
。 3.用戶體驗與PC有差距 傳統(tǒng)VDI方案打開PPT、Word、Excel以及保存文件，響應(yīng)超過接近5-10秒鐘?！ ∠鄬τ趥鹘y(tǒng)存儲設(shè)備，基于華為OceanStor Dorado
2018-11-29 11:41:44
外存儲器 外儲存器是指除計算機內(nèi)存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。 外存儲器有哪些 外存儲器有哪些 1、軟盤存儲器 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū)，存取速度慢
2019-06-05 23:54:02
了基于MCU+CPLD的新型光柵數(shù)顯系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有計數(shù)精度高、成本低、操作方便以及升級快等特點，能夠處理高達5 MHz／s的正交脈沖，并在掉電時有效存儲當前長度值，其數(shù)碼管可顯示關(guān)鍵的長度值，點陣式液晶屏還可顯示相關(guān)的提示信息。
2019-07-29 06:53:42
，復(fù)旦新型水鋰電僅需10秒即可完成充電，且能跑上400公里，而其成本僅有傳統(tǒng)車用鋰電池的一半。目前，該項技術(shù)離產(chǎn)業(yè)化僅“一步之遙”。據(jù)悉，復(fù)旦大學(xué)自2005年起就一直在開展水鋰電這一國際前沿領(lǐng)域的探索
在用到ds18b20的時候，那些讀寫函數(shù)要做幾百納秒的延時，不知道怎么獲得？？？？
2015-03-11 21:04:35
、更輕、更強大，足夠滿足平板電腦或者電動車等設(shè)備的持久電量續(xù)航。試想一下，如果你的智能手機以后可以一次充電就能達到比現(xiàn)在普遍滿電情況下多出10倍的電量，生活是不是會更加美好呢？不過，目前這一新技術(shù)仍待完善，投產(chǎn)商用還需要再等待一些時日，所以你還得繼續(xù)背著充電寶。各位達人來分析分析`
2014-02-19 13:51:27
` 本帖最后由 348081236 于 2016-3-10 09:31 編輯
Wi-Fi大法好，然而它也是耗電大殺器。近日，美國計算機科學(xué)家和工程師成功降低了Wi-Fi傳輸過程中的耗電量，比傳統(tǒng)
2016-03-09 18:02:12
反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100 ns (納秒) 以下。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別是什么？：肖特基二極管的恢復(fù)時間比快恢復(fù)二極管小一百倍左右，肖特基二極管的反向恢復(fù)時間大約為幾納秒！前者
2016-04-19 14:29:35
`自制AVR JTAG ,比淘寶買的USB JTAG 快10倍由于學(xué)習(xí)AVR,就在淘寶買了一個JTAG USB,買回來用了一段時間,總是出問題,最后不得不返廠.嫌麻煩,于是照著網(wǎng)上的教程DIY 了一
2013-10-05 13:22:44
這個能放大一萬倍么，輸入正弦信號范圍多少啊.
2017-06-06 09:05:28
IBM公司日前發(fā)布了據(jù)稱是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管，并聲稱該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強1000倍，光子通量多達1萬倍。 &n
2006-03-13 13:03:07670
納秒脈沖檢測電路圖
2008-12-24 22:05:48993 
愛知制鋼開發(fā)出比MR 靈敏度高100 萬倍的微型地磁傳感器
豐田集團傘下的愛知制鋼日前開發(fā)出了外形為4.6mm × 5.3mm × 0.8mm 的微型雙軸地磁
2009-06-08 21:00:18853 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53652 英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43911 英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 11:22:27849 北京時間5月21日消息，三星電子成功開發(fā)出可生產(chǎn)比原有半導(dǎo)體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。
2012-05-22 14:19:365540 一群韓國科學(xué)家，在蔚山現(xiàn)代科技研究所已經(jīng)研發(fā)出了一種快速充電鋰電池，比普通電池充電速度快30到120倍，這個團隊相信他們可以最終可以推出少于一分鐘能充滿電動汽車的新型電池
2012-08-20 11:19:574372 
現(xiàn)今的智能手機更加復(fù)雜，但是它的電池技術(shù)仍相對落后，伊利諾伊大學(xué)的科學(xué)家最新研制迄今功能最強大的微電池，其充電速度比現(xiàn)有鋰電池快1000倍，僅1秒鐘便完成充電。
2013-04-22 09:45:421557 據(jù)荷蘭萊頓大學(xué)官網(wǎng)最新消息，該校研究人員開發(fā)出一種新型核磁共振顯微鏡（NMR），比現(xiàn)有核磁共振顯微鏡靈敏度高一千倍，能在納秒尺度觀察到銅原子核的弛豫時間，有望為醫(yī)學(xué)診斷和基礎(chǔ)物理研究帶來更好的觀測儀器。
2016-08-17 19:04:201409 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%
2017-04-11 08:30:054377 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-12 01:07:111359 剛面世沒多久的華為P10，先是被爆出了沒有疏油層這個問題，入手了P10的朋友還沒來得及傷心，華為P10再爆“閃存門”，P10疑似采用emmc5.1、ufs2.0、ufs2.1三種不同規(guī)格內(nèi)存，造成內(nèi)存的讀寫速度差異大，而采用了emmc5.1規(guī)格的內(nèi)存讀寫速度比ufs2.0慢兩倍。
2017-04-19 08:53:1622706 股神買可口可樂股票的故事還在流傳，另外一個傳奇則是百年增長3.4萬倍的IBM股票，但是從2011年開始投資IBM以來，市場就頻頻傳出“股神”巴菲特在這只股票上發(fā)生虧損的消息。時至今日，巴菲特終于大舉減持了。
2017-05-06 01:10:351942 All flash以及DSSD D5機架級閃存解決方案。其中，DSSD D5可將高級數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用提速多達10倍，并且可以改變Hadoop的三副本存儲機制。 EMC預(yù)測，到2020年，用于生產(chǎn)應(yīng)用的所有存儲系統(tǒng)都將基于閃存陣列，傳統(tǒng)磁盤僅用于大容量及歸檔存儲。 現(xiàn)代化的數(shù)據(jù)中心 EMC認為
2017-10-12 11:38:47
0 科學(xué)家已經(jīng)發(fā)現(xiàn)一種使小麥生長速度比正常速度快兩倍的種植方法，可為供養(yǎng)全世界迅速增長的人口做出一點貢獻。
2018-01-19 14:18:405012 有“中東硅谷”之稱的以色列高科技發(fā)達，其芯片產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體技術(shù)尤其令人矚目，每年創(chuàng)造的出口額占以色列總出口額的20%以上。眼下，以色列正在研發(fā)體型更小、速度比傳統(tǒng)芯片快100倍的超級芯片，前景令人充滿期待。
2018-06-21 11:28:002641 德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)研究人員開發(fā)出一種新的納米機器人電驅(qū)動技術(shù)，可使納米機器人在分子工廠像流水線一樣以足夠快的速度工作，比迄今為止使用的生化過程快10萬倍。
2018-02-02 10:54:224901 據(jù)報道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長繆向水及其團隊正在研制一款基于相變存儲器的3D XPOINT存儲技術(shù)。他估計，在這項技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質(zhì)固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004986 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。
2018-04-13 10:05:095898 
芯片的1000倍，現(xiàn)在更厲害的來了——復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬帶領(lǐng)的團隊研發(fā)了一種新的二維非易失性存儲芯片，他們使用了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，研發(fā)的存儲芯片性能優(yōu)秀，是傳統(tǒng)二維存儲芯片的100萬倍，而且性能更長，刷新時間是內(nèi)存的156倍，也就是說
2018-04-15 02:55:015259 第三類存儲技術(shù)寫入速度比目前的U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)刷新時間是內(nèi)存技術(shù)的156倍，并且擁有卓越的調(diào)控性，可以實現(xiàn)按照數(shù)據(jù)有效時間需求設(shè)計存儲器結(jié)構(gòu)。它既滿足了10納秒寫入速度，又實現(xiàn)了按需定制（10秒
2018-04-16 10:00:436384 利用納米機器人治病已經(jīng)不稀奇了。今年 2 月，德國慕尼黑工業(yè)大學(xué)研究人員開發(fā)出一種新的納米機器人電驅(qū)動技術(shù)，可使納米機器人在分子工廠像流水線一樣以足夠快的速度工作，比迄今為止使用的生化過程快 10 萬倍。
2018-04-17 09:14:4825805 際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中，“寫入速度”與“非易失性”兩種性能一直難以兼得。記者日前從復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院獲悉，該校張衛(wèi)、周鵬教授團隊研發(fā)出具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準非易失性存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，不僅可以實現(xiàn)“內(nèi)存級”的數(shù)據(jù)讀寫速度，還可以按需定制存儲器的數(shù)據(jù)存儲周期。
2018-04-24 02:07:004332 
日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器，核心容量可達 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲
2018-07-26 18:01:002759 掃描電子顯微鏡下的瀝青陽極，左圖是覆蓋鋰金屬的瀝青和石墨烯納米帶，右圖是沒有鋰金屬覆蓋的情況。這種新材料由美國萊斯大學(xué)的科學(xué)家開發(fā)，或許能使高容量鋰金屬電池的充電速率比商用鋰離子電池快10到20倍
2018-05-23 12:23:028122 使用激光脈沖來制作計算的基本單元，可以以1千兆次/秒的速度在開啟和關(guān)閉狀態(tài)之間進行切換，這比現(xiàn)代計算機中的位數(shù)快大約100萬倍。這項研究發(fā)表在5月2號Nature上。
2018-05-23 15:25:532929 鋰電池已經(jīng)成為當前純電動汽車上的主流技術(shù)，但電池續(xù)航里程段、充電速度慢卻時常被人詬病。近日一家法國初創(chuàng)公司稱正在研發(fā)中的新型電池，比加油快3倍，可以連續(xù)100萬次循環(huán)使用，將會打破電動汽車行業(yè)充電難、充電慢的困局。
2018-06-20 10:59:003535 Alberta 大學(xué)的科學(xué)家演示了最新的氫原子存儲技術(shù)，科學(xué)家表示目前他們可以使用氫原子來實現(xiàn)0與1的數(shù)據(jù)存儲，未來氫原子存儲技術(shù)的存儲密度和目前的硬件相比提升超過700倍。
2018-07-31 14:27:451458 出樣40nm ReRAM存儲芯片，更先進的28nm工藝版很快也會到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:163536 ： 21秒破10億，比去年再快7秒; 2分05秒破百億，比去年用時快了近一分鐘; 4分20秒破191億，超越2012年全天成交額，比去年快了1分半; 前一小時成交額比去年多了約100億元; 僅用1小時
2018-11-11 15:17:01671 盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
阿里云圖像識別速度創(chuàng)紀錄，比AWS快2.36倍，比谷歌快5.28倍 12月25日，斯坦福大學(xué)發(fā)布了最新的DAWNBench深度學(xué)習(xí)推理榜單，阿里云獲得了圖像識別性能及成本雙料冠軍，打破了亞馬遜保持
2018-12-27 12:51:01375 和RAM一樣快的永久存儲被廣泛認為會使服務(wù)器和存儲行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期，而這個改變?nèi)缃耠S著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。
2019-03-16 10:34:081351 UT（德州大學(xué)，University of Texas）研究人員開發(fā)出一種半導(dǎo)體測量新技術(shù)，這項技術(shù)的靈敏度比以往測量技術(shù)提升了10萬倍。
2019-05-05 15:38:123837 UT（德州大學(xué)，University of Texas）研究人員開發(fā)出一種半導(dǎo)體測量新技術(shù)，這項技術(shù)的靈敏度比以往測量技術(shù)提升了10萬倍。 UT電氣與計算機工程專業(yè)的研究生Sukrith Dev與UT中紅外光學(xué)研究小組的電氣與計算機工程副教授Daniel Wasserman共同完成了該研究。
2019-05-14 10:01:211829 MIT的研究人員開發(fā)出一種新型 “光子” 芯片，它使用光而不是電，并且在此過程中消耗相對較少的功率。該芯片用于處理大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的效率比現(xiàn)有的計算機高出數(shù)百萬倍。模擬結(jié)果表明，光子芯片運行光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的效率是其電子芯片的1000萬倍。
2019-06-12 14:04:494731 英國蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University )的
科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機的
新型計算機
存儲器并獲得了專利。在
科學(xué)報告中發(fā)表的研究報告中描述了這種電子
存儲設(shè)備，據(jù)說它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-09-03 16:19:30792 快閃存儲器的編程時間有時會很長（對于大的存儲器或存儲器組可達1分鐘）。因此，此時不容許有其它元件的逆驅(qū)動，否則快閃存儲器可能會受到損害。
2019-09-13 12:44:001166 英國蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University ）的
科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機的
新型計算機
存儲器并獲得了專利。在
科學(xué)報告中發(fā)表的研究報告中描述了這種電子
存儲設(shè)備，據(jù)說它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-12-06 11:37:31882 記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校李曉光團隊基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果日前發(fā)表在《自然通訊》雜志上。
2020-03-20 16:23:102774 EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當今最快的晶體管運行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運行速度也比目前計算機中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:202866 EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運行速度快十倍器件，并且新設(shè)備在運行速度上也比當前計算機中的晶體管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:352769 據(jù)國內(nèi)媒體報道，9月5日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)常務(wù)副校長、中國科學(xué)院院士、西湖大學(xué)創(chuàng)校校董潘建偉教授在公開課演講上向公眾透露光量子計算機最新進展：已經(jīng)實現(xiàn)了光量子計算性能超過谷歌53比特量子計算機的100萬倍。
2020-09-09 09:57:143716 Cerebras Systems和聯(lián)邦能源部國家能源技術(shù)實驗室今天宣布，該公司的CS-1系統(tǒng)比圖形處理單元（GPU）快10，000倍。
2020-11-18 12:52:482372 Elite 7 全系列都采用了 USB3.2 Gen2搭配NVMe的高性能方案，順序讀寫性能高達1060MB/S,比傳統(tǒng)的移動固態(tài)硬盤速度提高了2倍，比傳統(tǒng)的移動機械硬盤速度提高了10倍，真正做到了1秒1G。
2020-11-30 09:30:532858 最新的基準測試結(jié)果顯示，蘋果 M1 運行 Windows 10 on ARM的速度比微軟自家的硬件快了近 2 倍。基準測試顯示，蘋果 M1 上的 Windows 10 比 Surface Pro X
2020-12-07 09:35:122261 近日，科研人員成功開發(fā)出了一種全新的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，將高頻硅芯片與細如發(fā)絲的聚合物電纜配對，實現(xiàn)比USB快10倍的信息傳輸速度。該系統(tǒng)有朝一日可能會提高數(shù)據(jù)中心的能源效率，并減輕電子產(chǎn)品元件的負荷。
2021-03-08 09:14:021933 數(shù)據(jù)變成了一種新的生產(chǎn)資料，將計算力驅(qū)動的信息化設(shè)備變成了生產(chǎn)工具。 智算時代，算力供應(yīng)呈現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢，包括科學(xué)計算、關(guān)鍵計算、云計算、AI計算等，支持這些多元、異構(gòu)的計算，需要新型數(shù)據(jù)中心。 工信部在《新型數(shù)據(jù)中
2021-11-26 14:52:593171 。 據(jù)了解，在新型存儲器中，相變存儲器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲技術(shù)。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047 基于原子級銳利界面的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)超快浮柵存儲器具有和動態(tài)隨機存取存儲器（10 ns）相當?shù)木幊趟俣?，同時具備非易失、大容量的存儲特性。
2022-06-10 16:15:102633 
1納秒是什么概念？它等于10-9秒，這與最先進的微芯片單時鐘周期（最小的時間單位）相當。
2022-07-06 10:02:321425 超快激光是指脈沖寬度極窄的激光，其脈沖寬度通常定義為皮秒（10-12s）至飛秒（10-15s）量級，其瞬時功率極高，與物質(zhì)之間的相互作用呈現(xiàn)出非線性、非平衡、多尺度的狀態(tài)。超快激光具有超快（脈沖
2023-03-30 08:02:501646 
Flash存儲器，又叫做閃存，是一種非易失性存儲器。具有操作方便讀寫速度快等優(yōu)點。一般用于存儲操作系統(tǒng)和程序代碼，或者用于數(shù)據(jù)存儲。
2023-06-02 17:40:3710374 
大家對激光加工并不陌生，但你對經(jīng)常能聽到的納秒激光、皮秒激光、飛秒激光等，你是否能分得清呢？▌我們先來搞清楚時間單位換算1ms(毫秒)=0.001秒=10-3秒1μs(微秒)=0.000001
2023-06-21 17:25:062558 
中信建投指出，近年來光計算在AI領(lǐng)域呈現(xiàn)高速的發(fā)展，具有廣闊的應(yīng)用前景。以Lightmatter和Lightelligence為代表的公司，推出了新型的硅光計算芯片，性能遠超目前的AI算力芯片，據(jù)Lightmatter的數(shù)據(jù)，他們推出的Envise芯片的運行速度比英偉達的A100芯片快1.5到10倍。
2023-07-17 14:47:472258 
【產(chǎn)品特點】高速：速度與DRAM相當，比FLASH快1萬倍；高擦寫次數(shù)：比NANDFlash多一千萬倍掉電不丟失：MRAM可以斷電保存數(shù)據(jù)；低功耗，只有讀寫數(shù)據(jù)時才上電；抗輻射抗惡劣環(huán)境，CMOS
2022-07-05 16:47:264 編輯：鐳拓激光納秒激光焊接機實現(xiàn)高精度焊接主要依賴于先進的激光技術(shù)和精確的控制系統(tǒng)。以下是鐳拓小編為大家總結(jié)的納秒激光焊接機實現(xiàn)高精度焊接的幾點關(guān)鍵因素：1.激光技術(shù)：納秒激光焊接機使用納秒級脈沖
2024-01-29 15:38:571689 
存儲容量是普通光盤上萬倍、普通硬盤上百倍的“超級光盤”，在中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所誕生。
2024-02-25 10:16:391722 閃存隨機讀寫與連續(xù)讀寫各有其重要性，具體取決于應(yīng)用場景和需求。 隨機讀寫的重要性 延遲小，響應(yīng)快 ： 閃存（尤其是SSD）的隨機讀寫性能通常較強，因為其延遲小且沒有機械硬盤的尋道時間。 在需要
2024-10-12 11:44:351516 ()對比 System.currentTimeMillis()我們經(jīng)常使用，可以參考對比一下 看方法意思，一個是納秒，一個是毫秒，二者有關(guān)系嗎? 先看看單位換算：一秒=1000毫秒 1毫秒=1000微秒
2024-11-26 11:11:561185 基于NAND閃存的存儲技術(shù)，它集成了控制器和NAND閃存在一個單一的封裝中。與傳統(tǒng)的SD卡或eMMC相比，EMMC提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗。EMMC的版本從4.41到5.1不等，每個版本都有不同的性能和特性。 1. 讀寫速度 EMMC的讀寫速度是影響設(shè)備性能的關(guān)鍵因素
2024-12-25 09:40:403130 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論