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標(biāo)簽 > 3nm

3nm

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在半導(dǎo)體制造中,3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年,三星和臺(tái)積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET(全能柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù),這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。

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3nm資訊

2nm芯片將于2025年量產(chǎn),將啟用全新技術(shù)

臺(tái)積電報(bào)告稱正全力以赴地開發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)。臺(tái)積電計(jì)劃在今年晚些時(shí)候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝,并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。

2022-04-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm2nm 2.9k 0

能耗降低30%,臺(tái)積電3nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)?官方表示不評(píng)論傳聞

上個(gè)月底,三星完成了3nm工藝的量產(chǎn),正式領(lǐng)先了臺(tái)積電一步,但是收到的訂單卻并沒(méi)有想象中那么多,蘋果、高通、AMD等大客戶都在等待臺(tái)積電的3nm工藝。 ...

2022-07-22 標(biāo)簽:芯片臺(tái)積電3nm 2.9k 0

三星電子發(fā)布為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片

近日,三星電子震撼發(fā)布了其專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000,標(biāo)志著該公司在微型芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。這款尖端芯片...

2024-07-05 標(biāo)簽:三星電子可穿戴設(shè)備3nm 2.9k 0

臺(tái)積電研發(fā)3nm工藝遇阻

近日,外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱,目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn),因此,最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會(huì)相應(yīng)的推遲。

2021-01-05 標(biāo)簽:三星電子臺(tái)積電3nm 2.9k 0

3nm芯片之爭(zhēng),牽一發(fā)而動(dòng)全身

在芯片代工的領(lǐng)域,最核心的依然是技術(shù)實(shí)力。 過(guò)去兩年,國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠商都在發(fā)力高端手機(jī)市場(chǎng),在發(fā)布會(huì)和宣傳上自然繞不開「最強(qiáng)性能」的芯片,但高通驍龍 888...

2022-12-01 標(biāo)簽:芯片3nm 2.9k 0

臺(tái)積電3nm工藝下半年產(chǎn)能料將大增,2025年?duì)I收預(yù)增26.6%?

分析師強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電的N3制程處于全球領(lǐng)先地位,盡管第一季度的3nm制程銷量同比下降了32%,僅占據(jù)總銷量的9%,但自第三季度以來(lái),該公司有望迎來(lái)強(qiáng)勁反彈...

2024-04-30 標(biāo)簽:芯片臺(tái)積電3nm 2.8k 0

三星率先實(shí)現(xiàn)3nm制程工藝量產(chǎn),或?qū)②s超臺(tái)積電

三星與臺(tái)積電同為全球頂尖晶圓代工大廠,近幾年三星的各種評(píng)價(jià)卻開始落后于臺(tái)積電,差距也被逐漸拉大,不過(guò)三星沒(méi)有放棄,還是宣稱要超越臺(tái)積電。 據(jù)媒體報(bào)道稱,...

2022-05-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm三星 2.8k 0

臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)入實(shí)驗(yàn)性生產(chǎn)階段

多方消息表明,蘋果準(zhǔn)備在iPad上首次使用臺(tái)積電3nm芯片,在此之后才會(huì)使用在別的產(chǎn)品中。

2022-04-16 標(biāo)簽:臺(tái)積電A153nm 2.8k 0

3nm、5nm關(guān)鍵技術(shù):為高性能低功耗電子器件發(fā)展提供新技術(shù)途徑

3nm、5nm關(guān)鍵技術(shù):為高性能低功耗電子器件發(fā)展提供新技術(shù)途徑

來(lái)自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息,該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對(duì)具有重大需求的3-5納米節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù),驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管(...

2020-12-22 標(biāo)簽:集成電路晶體管5nm 2.8k 0

中芯國(guó)際8大項(xiàng)技術(shù)“進(jìn)入全面開發(fā)階段”

恰逢新任副董事長(zhǎng)蔣尚義到來(lái)之際,此前中芯國(guó)際的聯(lián)席CEO梁孟松鬧出了辭職風(fēng)波,有報(bào)道稱這次事件背后是中芯國(guó)際的技術(shù)路線之爭(zhēng)。

2021-01-19 標(biāo)簽:中芯國(guó)際3nmEUV光刻機(jī) 2.8k 0

高通或成為臺(tái)積電3nm制程的第三家客戶

蘋果已經(jīng)發(fā)布了基于臺(tái)積電3nm制程的A17 Pro處理器。最近,有消息稱,高通的下一代5G旗艦芯片也將采用臺(tái)積電3nm制程,并預(yù)計(jì)會(huì)在10月下旬公布,成...

2023-09-26 標(biāo)簽:高通臺(tái)積電蘋果 2.8k 0

雙劍合璧!小米15系列攜手驍龍8 Gen4

驍龍8 Gen4平臺(tái)采用了臺(tái)積電3nm工藝制程,這是高通首次采用自研的Nuvia架構(gòu),其中包含了2個(gè)Nuvia Phoenix性能核心和6個(gè)Nuvia ...

2024-03-01 標(biāo)簽:高通臺(tái)積電小米 2.8k 0

臺(tái)積電或?qū)⒃?022年下半年為英特爾代工采用3nm技術(shù)的CPU制造芯片

雖然還沒(méi)有正式進(jìn)入投產(chǎn),但是臺(tái)積電2022年3nm的產(chǎn)能,已經(jīng)被蘋果和英特爾兩家“包圓”了。 今天,臺(tái)媒曝料稱,英特爾已于去年與臺(tái)積電簽訂了外包合同。具...

2021-01-28 標(biāo)簽:芯片英特爾臺(tái)積電 2.8k 0

積電仍要依賴上游半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的支撐

在芯片代工領(lǐng)域,臺(tái)積電占據(jù)主導(dǎo)地位,全球92%的高端芯片都由臺(tái)積電制造。在下一代工藝節(jié)點(diǎn)研制上,臺(tái)積電也跑在業(yè)界前列,計(jì)劃于2022年下半年實(shí)現(xiàn)3nm芯...

2021-06-30 標(biāo)簽:芯片PVDCVD 2.7k 0

想要解決芯片被卡脖子的問(wèn)題我們就不能太依賴外界力量

當(dāng)華為的芯片問(wèn)題被不斷放大之后,爭(zhēng)奪半導(dǎo)體行業(yè)主動(dòng)權(quán)的競(jìng)爭(zhēng)就在暗中展開,都想要通過(guò)投入來(lái)爭(zhēng)奪話語(yǔ)權(quán)。此前歐洲很多國(guó)家就聯(lián)合成立了半導(dǎo)體聯(lián)盟,想要用1.1...

2021-06-01 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體臺(tái)積電 2.7k 0

如何加速推進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化發(fā)展,實(shí)現(xiàn)彎道超車?

從中興禁運(yùn)到華為禁令,再到10月4日,中芯國(guó)際被美國(guó)列入斷供名單。近一段時(shí)間以來(lái)的國(guó)際貿(mào)易摩擦使得我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的不確定性日趨增加。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2020-10-23 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體3nm 2.7k 0

新思聯(lián)合TSMC實(shí)現(xiàn)新一代芯片設(shè)計(jì)

來(lái)源:新思科技 重點(diǎn) ● 半導(dǎo)體市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)最先進(jìn)芯片制造的發(fā)展 ● 新思科技與TSMC開展廣泛合作,利用新思科技全流程數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái),有...

2020-10-14 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體新思科技 2.7k 0

GAA-FET在3nm及更先進(jìn)制程上很關(guān)鍵

得益于從平面型晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(FinFET)的過(guò)渡,過(guò)去 10 年的芯片性能提升還算勉強(qiáng)。然而隨著制程工藝不斷抵近物理極限,芯片行業(yè)早已不再高聲談...

2021-01-27 標(biāo)簽:芯片晶體管3nm 2.7k 0

剖析凡爾賽里的3nm/2nm競(jìng)爭(zhēng)

剖析凡爾賽里的3nm/2nm競(jìng)爭(zhēng)

幾家芯片制造商和無(wú)晶圓廠設(shè)計(jì)公司正在相互競(jìng)爭(zhēng),以在3nm和2nm的下一個(gè)邏輯節(jié)點(diǎn)開發(fā)工藝和芯片,但是將這些技術(shù)投入批量生產(chǎn)證明既昂貴又困難。 它也開始引...

2021-05-25 標(biāo)簽:芯片晶體管7nm 2.7k 0

臺(tái)積電 2020 年資本支出超過(guò) 180 億美元?jiǎng)?chuàng)下新高

2 月 20 日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,芯片代工商臺(tái)積電去年的營(yíng)收創(chuàng)下了新高,達(dá)到了 455.05 億美元,但先進(jìn)制程工藝投產(chǎn)、工藝研發(fā)等方面的支出也有增...

2021-02-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm 2.6k 0

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    智原科技(Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035)為專用集成電路(ASIC)設(shè)計(jì)服務(wù)暨知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)研發(fā)銷售領(lǐng)導(dǎo)廠商,通過(guò)ISO 9001與ISO 26262認(rèn)證,總公司位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū),并于中國(guó)大陸、美國(guó)與日本設(shè)有研發(fā)、營(yíng)銷據(jù)點(diǎn)。
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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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