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SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在...

2024-11-13 標(biāo)簽:芯片SK海力士HBM 1.4k 0

SK海力士:2030年公司HBM出貨量將達(dá)到每年1億顆

Park Jung-ho在活動(dòng)中鼓勵(lì)合作伙伴公司的代表說:“由于設(shè)施投資減少,整體上有可能會(huì)變得更加困難,但是要克服難關(guān)?!彼€強(qiáng)調(diào)說,SK海力士將于2...

2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SK海力士HBM 1.4k 0

AI芯片需求猛增,CoWoS封裝供不應(yīng)求,HBM技術(shù)難度升級(jí)

行業(yè)觀察者預(yù)測,英偉達(dá)即將推出的B系列產(chǎn)品,如GB200, B100, B200等,將對(duì)CoWoS封裝產(chǎn)能產(chǎn)生巨大壓力。據(jù)IT之家早前報(bào)道,臺(tái)積電已計(jì)劃...

2024-05-20 標(biāo)簽:CoWoSHBMAI芯片 1.4k 0

集邦咨詢:明年HBM TSV產(chǎn)能預(yù)計(jì)250K/m,占DRAM總產(chǎn)能14%

集邦咨詢的報(bào)告進(jìn)一步強(qiáng)調(diào),HBM和DDR5之間的區(qū)別主要在于Die Size上。在同等制程及容量(如24GB)下,HBM Die尺寸大于DDR5的基礎(chǔ)版...

2024-03-19 標(biāo)簽:封裝HBMDDR5 1.4k 0

IDC:半導(dǎo)體行業(yè)借助人工智能復(fù)蘇,銷售額預(yù)計(jì)增長20%?

IDC提出,2024年全球范圍內(nèi),銷售額增長預(yù)期將使得半導(dǎo)體市場的年度增長率達(dá)至20%。相較于2023年下半年下跌20%的行業(yè)銷售額,IDC對(duì)此年的整體...

2024-01-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場HBM 1.3k 0

SK海力士展示業(yè)界最高標(biāo)準(zhǔn)適于AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器產(chǎn)品

3月18日至21日,SK海力士在圣何塞舉辦的2024年度英偉達(dá)GPU技術(shù)大會(huì)(NVIDIA GTC 2024,NVIDIA GPU Technology...

2024-03-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸NVIDIA 1.3k 0

美光新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。這座工廠預(yù)計(jì)將于2026年正式投...

2025-01-09 標(biāo)簽:封裝內(nèi)存美光 1.3k 0

三星將投資1萬億韓元擴(kuò)大HBM產(chǎn)能,以滿足英偉達(dá)和AMD需求

三星計(jì)劃在天安工廠安裝該設(shè)備,增加hbm的出貨量。天安工廠是三星半導(dǎo)體后端工程生產(chǎn)基地??紤]到hbm是垂直連接多個(gè)dram而成的形態(tài),三星為增加出貨量,...

2023-07-14 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體HBM 1.3k 0

三星下調(diào)HBM產(chǎn)能目標(biāo),強(qiáng)化研發(fā)與生產(chǎn)協(xié)作

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對(duì)其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整。原定的每月20萬顆產(chǎn)能目標(biāo)已被下調(diào)至每月17萬顆,降幅超過10%。

2024-10-15 標(biāo)簽:三星電子內(nèi)存HBM 1.3k 0

SK海力士斥資10億美元,加碼先進(jìn)芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求

據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴(kuò)充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞...

2024-03-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SK海力士HBM 1.3k 0

泰瑞達(dá)上季度營收同比增長,人工智能需求成關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力

Teradyne的首席執(zhí)行官Greg Smith表示:“得益于高帶寬內(nèi)存(HBM)以及人工智能應(yīng)用對(duì)計(jì)算需求的增長,半導(dǎo)體測試業(yè)務(wù)中的內(nèi)存收入表現(xiàn)繼續(xù)超...

2024-10-25 標(biāo)簽:人工智能泰瑞達(dá)HBM 1.3k 0

三星Display援助三星電子,計(jì)劃增加可分紅利潤的方案

減少資本準(zhǔn)備金、增加利潤盈余是企業(yè)為擴(kuò)大分紅規(guī)模而進(jìn)行的程序之一。因?yàn)轫n國稅法規(guī)定,通過減少資本準(zhǔn)備金籌集的可分紅利潤可以用作非課稅分紅財(cái)源。

2023-12-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器DisplayHBM 1.3k 0

SK海力士:預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年有望超過20億美元!

SK海力士:預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年有望超過20億美元!

SK海力士最近透露,預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。

2024-04-29 標(biāo)簽:加速器DRAM芯片人工智能 1.3k 0

SK海力士與臺(tái)積電達(dá)成研發(fā)合作,推動(dòng)HBM4和下一代封裝技術(shù)發(fā)展?

據(jù)協(xié)議內(nèi)容,雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片(Base Die)性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片(Core Die)堆疊在基礎(chǔ)裸片之上,...

2024-04-19 標(biāo)簽:DRAM封裝gpu 1.3k 0

三星HBM技術(shù)逆襲:NVIDIA認(rèn)證助力業(yè)績飆升

在8月1日公布的最新財(cái)報(bào)中,三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%,營業(yè)利潤...

2024-08-01 標(biāo)簽:三星電子NVIDIAHBM 1.3k 0

多家初企積極囤積三星電子高帶寬存儲(chǔ)器芯片

據(jù)多位知情人士透露,面對(duì)美國可能加強(qiáng)對(duì)華芯片出口的限制,中國科技巨頭如百度、多家大型企業(yè)及初創(chuàng)企業(yè)正積極囤積三星電子生產(chǎn)的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)芯片,以...

2024-08-06 標(biāo)簽:三星電子存儲(chǔ)器HBM 1.3k 0

英偉達(dá)擬向三星采購高帶寬存儲(chǔ)芯片,追趕AI芯片巨頭SK海力士

對(duì)此,英偉達(dá)聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛在加利福尼亞州圣何塞舉辦的大會(huì)上,坦言:“HBM結(jié)構(gòu)相當(dāng)精密且附加價(jià)值極高,我司已在此領(lǐng)域做出大量投資?!彼M(jìn)一...

2024-03-20 標(biāo)簽:芯片英偉達(dá)HBM 1.3k 0

SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實(shí)力的戰(zhàn)略規(guī)劃

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲(chǔ)器(以下簡稱HBM)實(shí)現(xiàn)了顯著的增長,為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要...

2025-04-18 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SK海力士HBM 1.3k 0

HBM的未來

HBM的未來

Rambus產(chǎn)品營銷高級(jí)總監(jiān) Frank Ferro 在 Rambus 設(shè)計(jì)展會(huì)上發(fā)表演講時(shí)表示:“HBM 的優(yōu)點(diǎn)在于,可以在可變的范圍內(nèi)獲得所有這些帶...

2023-11-15 標(biāo)簽:人工智能機(jī)器學(xué)習(xí)HBM 1.3k 0

HBM市場前景樂觀,將推動(dòng)三星等半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步增長

 在人工智能(ai)時(shí)代引領(lǐng)世界市場的三星等公司將hbm應(yīng)用在dram上,因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個(gè)dram芯片垂直堆積,可以適用于為ai處理而...

2023-08-03 標(biāo)簽:芯片DRAM人工智能 1.3k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    Nexperia
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    LM2596
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    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    光立方
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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