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      hbm

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      hbm資訊

      HBM的崛起！

      HBM的崛起！

      時任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM采用堆疊式設計實現(xiàn)存儲速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結構設計，DRAM顆粒由“平房設計”改為“樓房設計”，所以H...

      2023-07-13 標簽：處理器HBMAI芯片 1.6k 0

      競逐HBM，三星競爭力在下降？

      7月5日，在三星每周三舉行的員工內部溝通活動期間，三星電子負責半導體業(yè)務的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內存 (HB...

      2023-07-10 標簽：三星電子存儲器超級計算機 1.6k 0

      消息稱三星Q2供應超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產

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      2024-04-15 標簽：DDR內存HBM三星 1.6k 0

      英偉達2025年計劃發(fā)布Blackwell Ultra與B200A,或大幅提升HBM消耗量

      根據TrendForce最新發(fā)布的HBM市場研究報告，隨著人工智能（AI）芯片技術的持續(xù)迭代升級，單顆芯片所集成的HBM（高帶寬內存）容量正顯著增長。英...

      2024-08-09 標簽：人工智能英偉達HBM 1.6k 0

      三星或重新設計1a DRAM以提升HBM質量

      　三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據業(yè)內人士透露，...

      2024-10-22 標簽：DRAM三星電子HBM 1.6k 0

      TrendForce預測2025年DRAM與NAND閃存產業(yè)營收將創(chuàng)歷史新高

      根據市場調研公司TrendForce最新公布的一份深入詳盡的研究報告，得益于對位元需求持續(xù)攀升，市場供求狀況得到顯著改善從而帶動產品價格穩(wěn)步上升，再加上...

      2024-07-24 標簽：DRAMNAND閃存HBM 1.6k 0

      HBM芯片市場前景可期，三星2023年訂單同比增長一倍以上

      sk海力士負責市場營銷的管理人員表示：“一臺ai服務器至少需要500gb的hbm高帶寬內存和2tb的ddr5內存。人工智能是拉動內存需求的強大力量。”s...

      2023-09-12 標簽：服務器人工智能SK海力士 1.6k 0

      SK海力士正探索與與鎧俠合作在日本生產HBM

      SK海力士正探索與與鎧俠合作在日本生產HBM

      HBM的競爭才剛剛開始。

      2024-03-05 標簽：DRAM存儲器人工智能 1.6k 0

      SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

      HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。

      2024-04-23 標簽：DRAMSK海力士HBM 1.6k 0

      英偉達供應商SK海力士盈利大增158%

      得益于AI需求的有力推動；高帶寬內存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據SK海力士公布的財務業(yè)績數(shù)據顯示，在20...

      2025-04-24 標簽：英偉達SK海力士HBM 1.6k 0

      三星電子或2026年將HBM4基底技術生產外包給臺積電

      據媒體報道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電，并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同...

      2024-10-10 標簽：三星電子臺積電HBM 1.6k 0

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      2024年1月3日，SK海力士宣布，公司將參加于1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大規(guī)模電子、IT展會“國際消費電子產品展覽會（CES 202...

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      2024-04-19 標簽：DRAM三星半導體HBM 1.5k 0

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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
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