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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

【科普小貼士】MOSFET的性能:漏極電流和功耗

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2023-12-07 標(biāo)簽:MOSFET漏極電流 2k 0

平面型與溝槽型IGBT特性上有哪些區(qū)別?

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在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)...

2023-05-11 標(biāo)簽:二極管功率二極管MOSFET 2k 0

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

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本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfs...

2025-02-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET碳化硅 2k 0

SiC-MOSFET的可靠性

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ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜,通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。

2023-02-24 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 2k 0

隧穿晶體管的原理及優(yōu)勢

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本文介紹了隧穿晶體管的原理及它的優(yōu)勢。 ? 我們所處的這個(gè)由永遠(yuǎn)在線的個(gè)人電腦、平板電腦和智能手機(jī)構(gòu)成的世界的誕生,要?dú)w功于一個(gè)了不起的趨勢:金屬氧化物...

2024-11-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 2k 0

適用于48V電池?cái)嚅_開關(guān)的80V雙門極MOSFET及其應(yīng)用仿真詳解

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現(xiàn)代車輛電氣系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)變得越來越復(fù)雜。這是由于負(fù)載數(shù)量的增加,從鉛酸電池轉(zhuǎn)變?yōu)殇囯x子或其他類型電池,以及對失效可操作等功能安全措施的需求。

2024-08-30 標(biāo)簽:二極管MOSFETTVS 2k 0

功率MOSFET的選型法則

功率MOSFET有二種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管,要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...

2024-10-30 標(biāo)簽:MOSFET封裝N溝道 2k 0

如何使用固態(tài)繼電器驅(qū)動(dòng)恒溫器

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有兩種電源可供恒溫器使用:電池和24VAC電源。恒溫器需要電池供電不中斷運(yùn)行。非常重要的一點(diǎn)是,這些電池所消耗的能量盡可能低,但即使您將耗電量降至最低,...

2023-04-10 標(biāo)簽:電源MOSFET電池 2k 0

什么是電力電子?為什么碳化硅對電力電子很重要?

碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。

2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET電力電子SiC 2k 0

為什么不用SiC來做IGBT?未來是否會(huì)大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢?

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IGBT芯片是IGBT器件的主要部分,通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成:N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

2023-08-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 2k 0

數(shù)字控制可實(shí)現(xiàn)具有有源緩沖功能的高可靠性DC-DC電源轉(zhuǎn)換

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本文展示了有源鉗位緩沖電路的數(shù)字實(shí)現(xiàn),用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高輸出電流應(yīng)用。所提出的有源箝位方案具有多種優(yōu)點(diǎn),例如較低的箝位電壓導(dǎo)致較低的MOS...

2023-04-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 2k 0

N+緩沖層結(jié)構(gòu)對MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響

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隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...

2023-07-05 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 2k 0

增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動(dòng)器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率

增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動(dòng)器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率

UCC27282 120V半橋驅(qū)動(dòng)器具有多項(xiàng)新特性和參數(shù)改進(jìn),有助于實(shí)現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號(hào)可禁用驅(qū)動(dòng)器,將UCC27...

2023-03-30 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2k 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFET電阻器IGBT 2k 0

柵控二極管可以替代MOSFET嗎

柵控二極管的工作原理基于電子輸運(yùn)過程中的沖擊電離效應(yīng)。當(dāng)電子從n型區(qū)域進(jìn)入p型區(qū)域時(shí),由于內(nèi)部電場的作用,電子的能量增加。

2024-02-04 標(biāo)簽:MOSFET電容電子器件 2k 0

【科普小貼士】BJT和MOSFET的差異

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2023-12-13 標(biāo)簽:MOSFETBJT集電極電流 2k 0

如何選擇Mosfet驅(qū)動(dòng)程序進(jìn)行運(yùn)動(dòng)控制

如何選擇Mosfet驅(qū)動(dòng)程序進(jìn)行運(yùn)動(dòng)控制

要了解驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O所需的條件,您需要知道MOSFET的開關(guān)速度。您必須在低開關(guān)損耗(需要快速的上升和下降時(shí)間)和低EMI(需要緩慢的上升和下降時(shí)間)之間進(jìn)行...

2021-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC無刷電動(dòng)機(jī) 2k 0

SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化

SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢,但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗...

2023-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2k 0

ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡介和常見問題解答

ARK(方舟微)的MOSFET產(chǎn)品簡介和常見問題解答

ARK(方舟微)研發(fā)銷售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主(包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓(UltraVt?)耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品...

2023-11-07 標(biāo)簽:ESDMOSFETJFET 2k 0

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離式20A柵極驅(qū)動(dòng)器是一款高度可配置的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有可調(diào)壓擺率,用于在電動(dòng)汽車和...

2025-08-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離式 2k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    +關(guān)注
    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    +關(guān)注
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    Nexperia
    +關(guān)注
    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    LM2596
    +關(guān)注
    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
  • 光立方
    光立方
    +關(guān)注
    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
  • STM32單片機(jī)
    STM32單片機(jī)
    +關(guān)注
    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    +關(guān)注
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    +關(guān)注
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    COMSOL
    +關(guān)注
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    CD4046
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  • 服務(wù)機(jī)器人
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    +關(guān)注
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    +關(guān)注
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    +關(guān)注
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    ESP8266
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    靜電防護(hù)
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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