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基于SiC MOSFET的雙向 CLLC 諧振變換器的對稱性設(shè)計(jì)與增益特性分析

基于SiC MOSFET的雙向 CLLC 諧振變換器的對稱性設(shè)計(jì)與增益特性分析隨著全球能源結(jié)構(gòu)的深刻轉(zhuǎn)型，分布式儲(chǔ)能系統(tǒng)（Energy Storage...

2026-03-19 標(biāo)簽：諧振變換器 SiC MOSFET 118 0

CRPS 電源數(shù)字控制技巧：如何實(shí)現(xiàn)高效率的SiC MOSFET同步整流（SR）動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)

傾佳楊茜-死磕算電-CRPS 電源數(shù)字控制技巧：如何實(shí)現(xiàn)高效率的SiC MOSFET同步整流（SR）動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié) 1. 引言：人工智能數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的演進(jìn)...

2026-03-18 標(biāo)簽：數(shù)字控制同步整流 SiC MOSFET 261 0

SiC MOSFET 與貼片封裝助力戶用儲(chǔ)能逆變器高功率密度革命

傾佳楊茜-戶儲(chǔ)方案：SiC MOSFET 與貼片封裝助力戶用儲(chǔ)能逆變器高功率密度革命一、引言：全球戶用儲(chǔ)能市場的爆發(fā)與系統(tǒng)設(shè)計(jì)的演進(jìn) 在全球能源結(jié)構(gòu)...

2026-02-27 標(biāo)簽：貼片封裝 SiC MOSFET 儲(chǔ)能逆變器 212 0

基于功率評估法（PEM）的固態(tài)斷路器SiC MOSFET短路保護(hù)方案

傾佳楊茜-固斷方案：基于功率評估法（PEM）的超快保護(hù)方案突破固態(tài)斷路器SiC MOSFET“短路耐受時(shí)間”瓶頸引言：固態(tài)斷路器與碳化硅功率器件的可靠...

2026-02-27 標(biāo)簽：斷路器 PEM SiC MOSFET 167 0

380V工業(yè)電機(jī)控制中心的SiC MOSFET固態(tài)斷路器與軟啟動(dòng)器融合技術(shù)

傾佳楊茜-固斷方案：基于SiC MOSFET與先進(jìn)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)的交流380V工業(yè)電機(jī)控制中心（MCC）固態(tài)斷路器與軟啟動(dòng)器融合技術(shù) 工業(yè)電機(jī)控制中心（MCC...

2026-02-27 標(biāo)簽：電機(jī)斷路器軟啟動(dòng)器 225 0

基于SiC MOSFET和低寄生電感 PCB 層疊母排的 50kHz變頻器設(shè)計(jì)

傾佳楊茜-變頻方案：基于SiC MOSFET和低寄生電感 PCB 層疊母排的 50kHz變頻器設(shè)計(jì)對數(shù)控加工表面質(zhì)量的提升分析在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化與高端制...

2026-02-26 標(biāo)簽：PCB 變頻器 SiC MOSFET 96 0

高壓革命：英偉達(dá)800V平臺架構(gòu)與SiC MOSFET的商業(yè)技術(shù)共生

高壓革命：英偉達(dá)800V平臺架構(gòu)的深層價(jià)值重構(gòu)與SiC MOSFET的商業(yè)技術(shù)共生全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor...

2026-02-17 標(biāo)簽：英偉達(dá)SiC MOSFET 5.5k 0

SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析

工業(yè)功率半導(dǎo)體技術(shù)變革研究報(bào)告：SiC MOSFET模塊與專用驅(qū)動(dòng)方案全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊的系統(tǒng)性分析全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC S...

2026-02-16 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 263 0

邁向極致效率：SiC MOSFET與LLC諧振變換器的協(xié)同設(shè)計(jì)與優(yōu)化

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2026-02-08 標(biāo)簽：LLC 諧振變換器 SiC MOSFET 471 0

SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對五萬億電網(wǎng)投資的賦能作用

十五五期間五萬億電網(wǎng)投資中的SiC MOSFET功率半導(dǎo)體及配套驅(qū)動(dòng)對電網(wǎng)投資的賦能作用 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳...

2026-01-31 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 1.6k 0

1400V SiC MOSFET市場再添新玩家

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，杰平方半導(dǎo)體正式推出兩款1400V 碳化硅SiC MOSFET 新品，分別實(shí)現(xiàn) 40mΩ 和 80mΩ 的導(dǎo)通電阻，為 80...

2026-01-19 標(biāo)簽：功率器件 SiC SiC MOSFET 7.6k 0

德州儀器UCC21710：先進(jìn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的深度剖析

德州儀器UCC21710：先進(jìn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的深度剖析在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，一款性能卓越的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器對于提升系統(tǒng)的可靠性和效率至關(guān)重要。德州儀器（T...

2026-01-08 標(biāo)簽：SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 UCC21710 426 0

英偉達(dá)GPU算力直流供電架構(gòu)變革與SiC MOSFET在800V至57V轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值

研究報(bào)告：英偉達(dá)GPU算力直流供電架構(gòu)變革與SiC MOSFET在800V至57V轉(zhuǎn)換中的關(guān)鍵應(yīng)用價(jià)值傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2026-01-05 標(biāo)簽：英偉達(dá)SiC MOSFET 491 0

英偉達(dá)GPU直流供電架構(gòu)與基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在AI服務(wù)器PSU中的應(yīng)用價(jià)值分析

英偉達(dá)GPU直流供電架構(gòu)與基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在AI服務(wù)器PSU中的應(yīng)用價(jià)值分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和...

2026-01-05 標(biāo)簽：gpu 英偉達(dá)SiC MOSFET 470 0

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深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器在電力電子領(lǐng)域，IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開...

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人形機(jī)器人電機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展趨勢及碳化硅SiC MOSFET在其中的應(yīng)用

SiC MOSFET配合2LTO保護(hù)技術(shù)在人形機(jī)器人電機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)應(yīng)用中的發(fā)展趨勢傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-12-30 標(biāo)簽：電機(jī)伺服人形機(jī)器人 SiC MOSFET 492 0

面向能源互聯(lián)網(wǎng)的功率半導(dǎo)體變革：基本半導(dǎo)體ED3系列SiC MOSFET功率模塊

面向能源互聯(lián)網(wǎng)的功率半導(dǎo)體變革：基本半導(dǎo)體ED3系列SiC MOSFET功率模塊（BMF540R12MZA3）技術(shù)與應(yīng)用分析 1. 引言：功率半導(dǎo)體與“...

2025-12-26 標(biāo)簽：功率模塊 SiC MOSFET 143 0

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2025-12-20 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0

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2025-12-19 標(biāo)簽：SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC 浮動(dòng)輔助電源 331 0

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探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能與多功能的完美結(jié)合在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的...

2025-12-18 標(biāo)簽：應(yīng)用領(lǐng)域電氣性能 SiC MOSFET 432 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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