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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

中車半導(dǎo)體獲電投融合創(chuàng)新基金投資

中車半導(dǎo)體近日獲得了電投融合創(chuàng)新基金的投資。電投融合創(chuàng)新基金是由國(guó)家電投產(chǎn)業(yè)基金聯(lián)合常州市產(chǎn)業(yè)投資基金(有限合伙)、常州市武進(jìn)區(qū)基金及其他國(guó)有資本共同發(fā)...

2024-04-23 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體晶閘管 1.9k 0

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往...

2022-01-25 標(biāo)簽:SiC 1.9k 0

安世半導(dǎo)體斥資2億美元擴(kuò)產(chǎn)德國(guó)基地,聚焦寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天,芯片制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,該公司宣布將投資高達(dá)2億美元,用于在德國(guó)漢堡...

2024-06-29 標(biāo)簽:SiC寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 1.9k 0

X-FAB與派恩杰達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作,共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展

模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶...

2021-09-07 標(biāo)簽:晶圓代工功率器件SiC 1.9k 0

SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展

SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展

SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢(shì),使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可...

2023-11-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiCSiC模塊 1.9k 0

SiC功率器件市場(chǎng)正處在爆發(fā)式增長(zhǎng)的前期

我國(guó)第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來(lái)已久,但受制于技術(shù)等因素,市場(chǎng)始終不慍不火。然而今年市場(chǎng)出現(xiàn)明顯改觀,各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn),諸如天和通訊、吳越...

2020-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.9k 0

普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)

普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)

當(dāng)前,SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件,有效的降低了提升了開關(guān)速度,降低了能量損耗,使得整車的重量得到減少,續(xù)航里程得到提升。

2023-12-25 標(biāo)簽:新能源車SiC碳化硅 1.9k 0

將GaN用于射頻應(yīng)用的所有優(yōu)勢(shì)

與傳統(tǒng)技術(shù)相比,氮化鎵已被證明是射頻領(lǐng)域多種應(yīng)用的優(yōu)質(zhì)材料,其中可靠性、效率和減少吸收是基本要求。在制造過(guò)程中,氮化鎵通常在高于 1000 °C 的溫度...

2022-07-26 標(biāo)簽:射頻RFSiC 1.9k 0

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出,隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品,2015年碳化矽(SiC)功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑,有望刺激市場(chǎng)加速采 用;與此...

2016-03-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1.9k 0

國(guó)內(nèi)新增6個(gè)SiC項(xiàng)目動(dòng)態(tài):芯片、模塊、封裝等

國(guó)內(nèi)新增6個(gè)SiC項(xiàng)目動(dòng)態(tài):芯片、模塊、封裝等

2月26日,據(jù)鹽城市建湖縣人民政府網(wǎng)信息,芯干線投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及智能功率模塊封測(cè)項(xiàng)目,將抓緊做好設(shè)備訂購(gòu)調(diào)試,盡快實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

2024-02-28 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體芯片功率芯片 1.9k 0

SiC功率器件市場(chǎng)到2030年將突破86億美元

市場(chǎng)見證了汽車行業(yè)的需求大幅增長(zhǎng),確立了其在該行業(yè)的主導(dǎo)地位。這種顯著的轉(zhuǎn)變主要?dú)w功于碳化硅功率器件在提高現(xiàn)代汽車,特別是電動(dòng)汽車(EV)的性能和效率方...

2023-09-22 標(biāo)簽:功率器件SiC 1.9k 0

意法半導(dǎo)體第二代SiC功率MosFET特性

意法半導(dǎo)體第二代SiC功率MosFET特性

意法半導(dǎo)體(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有單位面積極低的導(dǎo)通電阻(RDSon)和優(yōu)良的開關(guān)性能,開關(guān)損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。 ST...

2020-11-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 1.9k 0

比亞迪推出全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片

在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái),推出閃充電池、3萬(wàn)轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級(jí),搭配全球首...

2025-03-24 標(biāo)簽:比亞迪SiC碳化硅 1.9k 0

SiC相關(guān)廠商芯三代啟動(dòng)上市輔導(dǎo)

近日,證監(jiān)會(huì)公開了芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯三代”)的首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告,標(biāo)志著這家專注于第三代半導(dǎo)體SiC-C...

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC 1.9k 0

通用半導(dǎo)體:SiC晶錠激光剝離全球首片最薄130μm晶圓片下線

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來(lái)源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟 江蘇通用半導(dǎo)體有限公司(原:河南通用智能裝備有限公司)7月12日披露,公司于2024年7月10日用自研設(shè)備(碳化硅晶錠激...

2024-07-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓SiC 1.9k 0

三菱電機(jī)開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊樣品

三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月13日)宣布,將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感,并集成了第二代...

2023-06-15 標(biāo)簽:封裝三菱電機(jī)SiC 1.9k 0

博世新一代SiC功率模塊PM6:重新定義車規(guī)級(jí)功率電子

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來(lái)源:博世汽車電子事業(yè)部 當(dāng)今汽車行業(yè)正處于十字路口,全球汽車市場(chǎng)正快速轉(zhuǎn)向更加清潔、更為可持續(xù)的新能源交通解決方案,而汽車功率電子將在其中扮演關(guān)鍵角色...

2024-11-06 標(biāo)簽:SiC功率模塊功率電子 1.9k 0

用于電動(dòng)汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

用于電動(dòng)汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

電源模塊的高級(jí)封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。

2023-12-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源模塊SiC 1.9k 0

三菱電機(jī)SiC器件的發(fā)展歷程

三菱電機(jī)SiC器件的發(fā)展歷程

三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用...

2024-07-24 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機(jī)SiC 1.9k 0

聞泰科技榮獲年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日,在備受矚目的2024年度全球電子成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上,聞泰科技半導(dǎo)業(yè)務(wù)憑借其1200V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“...

2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.9k 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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你是誰(shuí)啊z efans_62931057 jf_65683686 jf_87116849 jf_27590559 Austin11122 jf_19631743 jf_91020522 efans_80e021 13148775181 畫皮西瓜 角里先生同學(xué)

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